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以 HKMG 專業技術為建構基礎
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FinFET 架構採用傳統的 2D 電晶體設計,並將導電通路設計於兩側,形成可控制電流流動的閘極環繞的 3D「鰭狀」架構。FinFET 技術的主要優點為其優異的低功耗特性。3D 電晶體設計基本上可在較低的電壓下運作,將電流洩漏減到最低,因此可延長行動應用的電池使用壽命,或降低資料中心網路晶片等插入式應用的耗電量。
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' z* B- `( o: E' k' o5 i" v A' `VLSI Research 執行長暨總裁 G. Dan Hutcheson 表示:「很多人不知道 FinFET 的建構基礎與當下推動行動發展的 HKMG 技術相同。HKMG 技術在減少漏電方面實現了重大創新,FinFET 在此基礎上又向前推進了一大步,突破了今後多年的技術發展障礙。但想要發揮 FinFET 技術的完整價值,公司就必須要能量產 HKMG。GLOBALFOUNDRIES 在這方面起步較早,已擁有兩年的 HKMG 量產經驗。」 0 T9 a, W0 `4 B: n
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並非所有 3D 電晶體皆可一概而論2 t" N4 @9 w, w; a- T
8 y. H1 B/ Y* }- N; \GLOBALFOUNDRIES 制定了一套新的技術定義方法,並以此開發出具成本效益且功耗優化的 FinFET 技術,成為行動 SoC 市場的理想之選。14nm-XM 架構完美平衡了效能及耗電量,將晶片的尺寸和成本降到最低。技術的建構方式可實現最佳的製造便利性和設計方便性,亦可讓設計師重複使用前一代產品中部分的 IP。除了電晶體架構外,這項技術也將 SoC 層級的需求納入考量,如支援全系統性能及特殊的行動應用需求等。 : ?2 r' {! b9 ~! N9 s
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打造全面 SoC 優化解決方案的另一個關鍵因素,便是能夠運用整個生態系統的專業知識,包括 EDA 和設計解決方案合作夥伴以及 IP供應商。尤其對設計社群而言,FinFET 技術也伴隨著新的考量。GLOBALFOUNDRIES 的製程研發和技術架構團隊一直與內部的設計團隊及設計生態系統合作夥伴緊密合作,攜手推出最佳的技術和設計環境。 ]# ]) k6 L8 `7 d2 r- `! G& r' {
2 V* y9 q$ x6 _% f. @- iGLOBALFOUNDRIES 近日宣佈與 ARM 簽訂一份多年期合約,共同針對採用 FinFET 製程技術的 ARM 處理器設計推出最佳化的 SoC 解決方案。這兩家公司在 ARM Cortex™-A 系列處理器已有多年合作經驗,此份合約將延續先前的努力,推動生產 IP 平台,以加速轉移至 3D FinFET 電晶體技術。 6 w# z7 t- E/ |7 `$ l7 J
2 Y% N* k6 z1 @% _! jARM 實體 IP 部副總經理 Dipesh Patel 表示:「在不斷發展中的超級行動時代,FinFET 技術將是下一代智慧行動設備發展的關鍵推手。透過我們與 GLOBALFOUNDRIES 多年的接觸與合作優化,將可為共同的客戶提供先進的系統性能並協助其加速轉移,以儘早利用FinFET技術帶來的優勢 。這成果也將成為應用至以下一代ARM處理器與GPU行動市場為基礎之 SoC的平台。」 |
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