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[問題求助] 請教設計低壓降線性穩壓器(LDO)的問題!!

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1#
發表於 2010-6-8 02:29:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位賢拜好:* j  }; V* B" M: h
     請教設計低壓降線性穩壓器(LDO)的問題,以小弟附上的電路圖為例
2 P1 o9 l0 U$ C3 N
1 r: x1 e: w+ Y& f: h問題一:如果要設計低壓降線性穩壓器(LDO)的輸出電壓穩定在1.8V(VDD=2~5),圖中的參考電壓是否能以傳統的能隙參考電壓電路設計即可 Vef=1.25V左右,之後
( |8 O9 [0 H# S' [. \再利用Vout=Vref*(R1+R2/R2)此關係式設計電阻的比例關係就可以。還是說在Vref的設計上與輸出電壓(1.8V)的關係有其他的設計上的考量
8 m7 w5 o# H# {  o6 T(如:Vref<<輸出電壓(1.8V),如果是這樣Vref要多小才算是<<輸出電壓,Vref與輸出電壓倍數關係約如何?)。
" T* }- x1 t4 ?3 e/ `0 f) k" h* _9 Q; W6 w/ p/ H
問題二:低壓降線性穩壓器(LDO)圖中,OP的規格(如:gain,GB,SR...等)通常在設計LDO時,都大概抓多少??   u* }6 h+ \2 k$ J" g4 ~
還是一樣抓典型的OTA設計值嗎??(OTA典型的值為gain>=70db,GB>=5MHz,SR>=5V/us)
4 ]! P4 ?9 ~9 a9 r3 l2 b$ z, U' H1 t" @. u. E0 e; `
問題三OWER PMOS的W/L的大小如何估計,是用低壓降線性穩壓器(LDO)所能輸出最大電流下去估算嗎??
0 k' h. d! T6 @' s1 Q! h: x. Z% B那該如何估算??可以麻煩講解一下嗎??
% N* P5 x, m) R' \# A
( y" f( R  k$ m. f& O: _2 {問題四:如果OWER PMOS的W/L的大小估算出來,那想請問其閘極電容如何估算出??因為OP所要推動的負載電容應該就是此POWER PMOS的閘極電容。

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5#
發表於 2013-4-21 23:01:43 | 只看該作者
学习一下学习一下学习一下学习一下
4#
發表於 2013-3-2 12:46:33 | 只看該作者
very nice disguss!!!!!!,,,,,,,,
3#
發表於 2012-9-24 12:55:47 | 只看該作者
perfect!!!perfect!!!perfect!!!% a4 U7 h. a- |; w
study2 N" N# }! V% @' Z( x& Y( ]* z
study
/ }4 d* o0 D! x7 ?" Hstudy
2#
發表於 2010-6-8 19:37:03 | 只看該作者
说说我的理解,不同意见或者有补充的非常欢迎!
7 T$ G0 v  f% w7 C问题一:VREF的取值与实际有关,比如power mosfet之路的静态偏置电流,采样网络电阻阻值的考虑ea的输入对管类型,特殊补偿的应用(如phase lead compensation)等等。。。选取其实很灵活。。。
! x& L6 @; r1 }5 W$ r% v% q2 T问题二:op的指标选取取决与你设计的ldo的性能,如line/load regulations,ripple voltage,transient response.......
; Y% e$ f" l6 i' F3 o# W' o问题三:power mosfetd的w/l的选取,是由dropout voltage ,最小vdd,ea的输出摆幅决定的,我设计是最小vdd,ea的最低摆幅,稳定输出并提供最大电流的时候的w/L,这可以仿下单管就可知道w/l的选择~5 _9 L5 {0 T, q0 e7 f. R
问题四:可以根据选择的W/L,cox在选定工艺的情况下也可以知道,加上弥勒项就是最后的Cpar,当然不同负载情况下有些不同,但是可以这样估算。最简单的方法是跑op的时候直接看power mosfet的Cgtot的值!
2 k0 @  |( }; j
7 T1 ]& r6 y7 M3 k7 f9 b强烈欢迎大大指正!!

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