MOS的寄生電容

YuanII · 發表於 2010-5-29 21:08:18

想請問一下，如果要拿MOS當一顆電容，N或P哪種的容質較大? 為什麼呢?
那如果對PMOS與NMOS來說，PMOS的Cgs大還是NMOS的Cgs大? 為什麼呢?
那PMOS的Cgd大還是NMOS的Cgd大? 為什麼呢?
請大大幫忙解惑........感恩!!

billionwong · 發表於 2011-2-6 13:20:39

both are same, but with different threshold voltage. using P or N depends on the application.

renzhq · 發表於 2011-1-19 12:21:46

一般的话会用n注入沉底的nmos，这样的话，电容比较稳定

shangyi · 發表於 2010-10-29 17:05:09

是阿...厚度都一樣... 應該是一樣大
可能只有閘極電壓不同...會有些微不同

niko0417 · 發表於 2010-10-28 18:10:21

(神經大條中)
不考慮操作電壓因素的話
不都是gate oxide電容?

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[問題求助] MOS的寄生電容