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[問題求助] 请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?

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1#
發表於 2010-5-21 15:14:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
我准备用smic.18 1p6m rf工艺,需要在mim电容下面放器件来节省面积,有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢?谢谢0 P% e* i/ K$ _1 Y0 g% r
比如电容匹配性影响,寄生电容影响等,如何精确计算评估这些寄生影响,及后仿如何提取出这些参数影响呢。
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4#
發表於 2010-7-10 14:02:30 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。
# M2 ]& k, H% `9 y; u! u1 Qscy8080 發表於 2010-6-11 10:46 AM

9 a6 _5 g* ]. c8 B) x8 J7 S( P, u* I. g  f  ?" b1 F2 w8 }
Foundry的rule是为了保证MIM电容的可靠性和精度,实际上,我们在下面做过期间,不过我们的MIM电容和下面的MOS电容都是加在电源和地之间,起decoupling作用,是在HHNEC 0.13um工艺上实现的。
3#
 樓主| 發表於 2010-6-11 10:46:50 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。
2#
發表於 2010-6-2 11:39:19 | 只看該作者
MIM底下最常放的東西是邏輯
6 q8 U5 X# R7 F0 t7 `但是也要RD同意
/ h' Y! K" Z5 I" E! {. ^至於寄生電容收抽POSTSIM就知道啦. x- ?8 `3 z/ `7 m6 x: E. u
如果是很重要的電容要做match
0 e8 L  r* d5 K3 E4 h6 @那當然不能放啦
' v. V0 y3 r8 \' }* y- c! g要放也要RD同意
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