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[問題求助] 关于design rule中max current density

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1#
發表於 2009-12-15 10:56:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
通常design rule中都会提供一个metal跟via的最大电流密度,这个rule是在什么条件下得到的?7 b, v  n" M' R( N  r' ]+ c
在设计power mos的时候一定要按照这个rule来计算metal的宽度吗?如果电流密度超过1-2倍会怎么样?芯片会失效吗?
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4#
發表於 2010-5-5 17:37:08 | 只看該作者
一般来说,设计都应该留有裕度的.但是在比较关心面积的时候,可能不希望牺牲太多面积去走线.但还是不希望超出金属所能承受的范围.尤其是超出太多,而且是持续大电流的话,估计就比较危险了吧...% L4 g: i. I+ _  S4 t/ {* M
另外一个受影响的就是使用寿命啦!比如按照要求设计可以使用十年,超出范围了,可能只能用上两三年了.
# H) w1 X' g+ m4 N- m个人看法而已.
3#
發表於 2010-5-5 11:14:17 | 只看該作者
如果电流密度超过1-2倍会怎么样?% K9 n# P) M( e" k' k5 b$ ?
这个很难说,TSMC 可能没事,其他的难说!8 b1 K6 V' r* ~7 S$ }
再说这个和使用环境有很大关系!
2#
 樓主| 發表於 2010-5-5 10:15:37 | 只看該作者
在很多已经量产的power ic中,电流密度都超过了design rule上的最大值,那比较稳妥的经验值是多少呢?有人说是3倍?毕竟在metal layer比较少的情况下,完全按照design rule的值来计算,要流过几A的电流是需要很宽的metal的。
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