關於HSpice模擬問題

syot

請問一下:
目前我使用TSMC 0.35mm MIXED MODE (2P4M,3.3V/5V) POLYCIDE 製程
9 F  s  b8 }, z. z0 c$ G我做了一個雙電源的OP
/ n& @6 e# c) B% m$ H1 r原本電源是給予+ - 1.5 V的電壓
9 l, W5 U! V# D) Q% ]5 ]不過我在輸出級加了一個push-pull source follower的output buffer來降低輸出阻抗
3 K7 r( k' f* u6 Z但這樣使得輸出擺幅降低了不少!!
因此,我打算把電源增加到+ - 2.5 V來使輸出擺幅加大
, i& B2 P% z* m) i9 r不過在模擬的時候是要模擬.lib 'xxx.l' TT
/ Z$ v$ c$ E/ U/ j' U0 J還是TT_5V這個!!
兩種模擬出來的結果差滿多的@@
這邊我不是很清楚

% |+ c4 o7 y3 f感謝!!

Malong

3.3V和5V MOS在佈局上一定有不同
6 w* g! T5 e- r" Q8 n: h但小弟許久沒接觸TSMC 0.35um的製程了
我也不知道他二者的差異在哪。

' \6 B  I  S4 r5 u7 R9 l$ e  d關於你說用3.3V的device來做power 為+- 2.5V的OP
. v3 B- i- d) n這方面我覺得有所不妥，但要看你電路的架構為何，output Swing的需求
因為用電路的方式偷耐壓也是有的，而且3.3V的元件加5V也不見得會損壞。

小美

TT_5V 的話 你所使用的MODEL也會不一樣喔

例如原本使用3.3V會是PCH 改成5V的話會變成PCH5等等
' E& ~8 J+ n$ j9 `; z2 X1 O+ w" M4 {1 z
另外你電壓加高 原本的VOV也都會變動了 不一樣的結果是很正常的
& ^' f8 ]) H3 y( A
你要增加輸出擺幅的話應該考慮輸出級的VOV值是否太大
  t$ I  I5 m5 }
3 Q* ]4 F- s: c0 C2 s) t; _或是採用rail to rail的形式去設計你的OP
7 D8 T$ k5 i) U9 k! Q0 y0 t5 k
不然你增加最高電壓造成功率消耗增加是很不划算的
$ G& J' w& q$ w! F7 }0 l; Z
以上是小弟的一些潛見  有誤的話煩請高少指教解說囉

syot

TT和TT_5V是二個不同的Device
1 W2 `5 Q6 P1 f0 [, L, y$ w
" x# ~  f, q4 D9 O6 ]" u$ v" I再請問一下:
2 C, O+ V% T% Q0 Z# [2 e& C7 U/ C5 A我知道TT跟TT_5V是不同的device model
  D* g3 f8 M$ L3 \5 {那它們在佈局上的結構有不同嗎??
我想問的是如果我power用+ - 2.5V
" e. G" [& `3 ^2 _( m0 @0 s但model用TT(3.3V)來模擬
" @+ F' R+ ]" q$ k' G那結果是正確的嗎??
換句話說
$ m' p! q$ z  q8 }) B我device用TT(3.3V)
4 W% b4 {: C# U' ?; F5 G而OP的power用+ - 2.5V
2 ^$ r; i  V. u6 W' U這樣電路運作上會有問題嗎??
: y! ^, V) e+ W+ E9 R2 C
感謝回答!!

Malong

你敘述的TT和TT_5V是二個不同的Device，
一個是3.3V的元件，另一個是5V的
請考量你的所需，選擇適合你要的Device
另外，也請參考技術手冊的資料，相信對你會有幫助的。