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[問題求助] 想請問seal-ring的一些疑問~

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1#
發表於 2009-7-18 21:51:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位前輩~
& V7 x3 s& Z, v9 @3 x8 R, [  Z% i- }
我想請問一下,seal-ring為什要接到vss呢?有人說是防止latch-up,有的是說防止靜電破壞內部電路,3 @4 U7 O% A8 `- |# T  i# R

* |8 ~: [+ d4 T4 Q1 f$ {% B' s% l但真正的功能是如何呢?請前輩能解答一下嗎?謝謝~
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12#
發表於 2009-7-31 21:25:57 | 只看該作者
原帖由 lethalkiss1 於 2009-7-27 10:52 PM 發表   G6 l4 y/ i' O3 c/ u& W
7 m- u/ R3 x2 e* o* y8 k- s

3 ]  _) s; p- h3 I/ a
7 w& }) ^; E3 |  e: y0 \请问下如果sealring 没有接到vss, 比如说 浮接, 会有什么问题呢?

, p  b6 S# p$ _2 ]
" d! S  R# Q$ v0 h3 Z浮接亦沒有問題,sealring主要作用在於其特殊的氧化/鈍化層結構,可以有效保護die免受應力破壞及可動離子污染。
' T+ ~& l% y  g1 {9 S# f/ _在多電源情況下出於特殊考慮,可以floating,
4 ]+ O" t# ~* J9 f" K4 l& I# `& v當然樓上解釋亦非常正確,PSUB情況下floating可行,但是接power就要完蛋了。* \4 u$ r8 T% |. U& b$ m  T
有些設計�sealring 兼做ground 的gardring,是否會在切割,或高濕等環境下產生不良影響,取決於Layout的細節設計,SMT后焊接溫度,應用環境,封裝結構有關,個人認爲,批量生産時,仔細設計應當是比較明智的做法。
11#
發表於 2009-7-30 11:08:09 | 只看該作者
其實 rule 上並沒有說需要接電位 而且接了好像意義不大(主要是防止崩裂)
9 O8 S+ U+ ]) b* h% `$ f/ }1 U. ~0 y$ U+ L8 l  M
倒是可以分享一下 以前會當ESD Ring 來用 這麼多層METAL 又不需多佔空間
10#
發表於 2009-7-30 10:28:23 | 只看該作者
回答 lethalkiss:( b: {3 c0 N! J1 C9 ?+ J
sealring 與die 本體是有一段距離(可參閱各家Fab'design rule),中間有連接的只有psub(電阻值趨近於無限大),因切割所產生的靜電當然會跑最短/阻抗最小的路徑接地,再由切割時鄰近的sealring共同分攤所產生的電流.這樣對die本體的衝擊會降到最小.這應該也就是要有sealring存在的目的吧!
9#
發表於 2009-7-29 19:54:14 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-29 09:57 AM 發表 8 P# a% G1 d# B4 o
一般來說所有的物體都會帶有靜電(只是多少而已),seal-ring除了要保護die在切割時的完整外,也是將切割時所帶入的靜電就近接地,避免衝擊die本體.這只是我自己的看法,有錯歡迎指教.謝謝!!

1 w! ^6 p1 v/ l5 Z
6 H6 e4 Z; }0 D; N如果sealring 接到了vss, 肯定会通过metal和chip内的vss 连接吧,  这样切割时产生的静电不是就带到chip内部了吗? 切割的时候chip内所有的signal 应该都是浮接状态吧, 是不是会影响到chip啊?
8#
發表於 2009-7-29 09:57:55 | 只看該作者
一般來說所有的物體都會帶有靜電(只是多少而已),seal-ring除了要保護die在切割時的完整外,也是將切割時所帶入的靜電就近接地,避免衝擊die本體.這只是我自己的看法,有錯歡迎指教.謝謝!!
7#
發表於 2009-7-27 22:52:26 | 只看該作者
原帖由 kazamigai 於 2009-7-24 09:13 AM 發表
' F  c+ _0 s- U一般來講,最常使用得是P-SUB製程,seal-ring的底來說視為 P+ DIFFUSION ,而P+ DIFFUSION與P-SUB都同為P型,P-SUB一般來說都是接到地(vss),所以seal-ring也是需接到vss,不然會有問題,小弟淺見,有錯歡迎指教。

/ L8 F, ~+ D5 r7 D, h4 B/ G; c
7 h( \& j) f& \# x& \5 i& R
+ M1 P/ F' i' y请问下如果sealring 没有接到vss, 比如说 浮接, 会有什么问题呢?
6#
發表於 2009-7-24 09:42:07 | 只看該作者
原則上是接到real power- u( L; i# B. ^8 h5 E3 V6 a' |
其他的就跟樓上說的差不多了!!
5#
發表於 2009-7-24 09:13:39 | 只看該作者
一般來講,最常使用得是P-SUB製程,seal-ring的底來說視為 P+ DIFFUSION ,而P+ DIFFUSION與P-SUB都同為P型,P-SUB一般來說都是接到地(vss),所以seal-ring也是需接到vss,不然會有問題,小弟淺見,有錯歡迎指教。
4#
發表於 2009-7-23 16:55:40 | 只看該作者

seal ring的本质作用在切割的时候,保护芯片。

seal ring的本质作用在切割的时候,保护芯片。你说的其他作用,是附带产生的。
3#
發表於 2009-7-20 23:10:00 | 只看該作者
你應該先想想seal-ring的功能是什麼,它是防止切割道(Scribe line)切割時,晶圓裂開裂進你的Core裡面.5 B  u4 J) S) y( ?0 O. z
因此,若假設seal-ring失效了,擋不住了,真的從切割道裂開,一直裂到Core裡面,且碰到你的元件(Device),你會希望Short碰到你元件的是VDD或VSS,一般,如果短路到VSS危險性會小一點,除錯也較容易.
, {4 }; n, c3 K( o) j這是我的淺見,請指教~~~
2#
發表於 2009-7-20 11:35:20 | 只看該作者
我也有興趣知道
( O7 J. f0 ^+ e: J8 }" }( W9 j+ O, J- `+ \& b  Z7 j! T8 W5 a4 \7 _
~每一步都有存在的意義~
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