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[問題求助] power mos layout的sub接触?

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1#
發表於 2009-6-18 15:57:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
power mos layout通常面积很大,如果功率管中间不加sub接触孔,sub接触全部放在周围,那么中心的管子衬偏势必狠严重,从而RDSON势必很大。种情况怎么处理?请教各位达人。
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7#
發表於 2009-7-27 22:49:40 | 只看該作者
mos可以画成环状啊,中间放个sub。正方型,  6边行。。。
6#
發表於 2009-7-27 14:37:27 | 只看該作者

至少确保一定距离内加上subcont。

至少确保一定距离内加上subcont。为节省面积,一般作成buttign cont
5#
發表於 2009-7-13 11:42:25 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2009-6-19 01:12 PM 發表 , A4 J! c- K, o1 f  k- r6 ?
每隔一段插入sub,比如50um!

- n/ O) I* x8 Y( K要看具体的运用场合,如果power Mos驱动的是感性负载,在断电的一瞬间有大电流回冲。会引起latch up的问题。
% u& M( [; _6 K6 u这种情况下。大家插入sub的距离,在允许的情况下,还是越小约好。50um可能是不够的。像DC-DC,每个MOS 的
/ H5 s; K+ V8 Qsource都做butting 。) G- Z0 k: H) c5 m

/ i4 \3 J/ N) ~大家互相学习,分享经验很快乐。
4#
發表於 2009-6-23 09:28:31 | 只看該作者
你必須要做butting contact,如果你沒有做butting contact,則Vsb太大,body effect嚴重就可能使中央的mos燒毀.
3#
發表於 2009-6-22 09:51:06 | 只看該作者
可做成特殊power mos 使用! j8 c* d) F8 F
普通mos 也可以變化型的
2#
發表於 2009-6-19 13:12:41 | 只看該作者
每隔一段插入sub,比如50um!
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