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樓主 |
發表於 2009-5-25 06:14:29
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根據市場研究機構的預測,Unity Semiconductor相信,到2010年,公司的儲存級非揮發性記憶體的市場容量將達到150億美元左右,到2013年將超過250億美元。& K: e$ P3 |/ k8 o+ z0 a$ u/ J* \
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這家新興公司對於目標市場份額的預測,是基於它獨有的新一代NVM技術CMOxTM。採用CMOxTM技術的儲存級記憶體產品的高性價比將使Unity Semiconductor有能力直指高性能NAND快閃記憶體的替代市場。但是,CMOxTM主要針對新興市場,如筆記型電腦和小筆電的固態硬碟(SSDs)、行動上網裝置(MIDs)和智慧手機等,根據市場預測,到2012年,這些市場將有90%以上使用嵌入式快閃記憶體。, ~3 v N6 a E) b# s! t" j
* [% v: e* U2 W5 SCMOxTM是一種新一代NVM技術,它採用Unity Semiconductor的專利技術,能在特定的金屬氧化物組合中發生轉換效應。Unity Semiconductor在CMOxTM中使用的轉換概念不同於當前的快閃記憶體技術。CMOxTM技術的儲存效應來自於離子載流子的運動。由於不需要儲存單元電晶體,CMOxTM可用於產生被動式交叉點多層儲存陣列。其他的儲存技術,如相變記憶體(PCM)和磁性隨機存取記憶體(MRAM),每個儲存單元都需要一個電晶體,因此不符合交叉點多層晶片結構的要求。
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Unity Semiconductor的多層交叉點陣列使用了一個阻抗性元件,但不是像其他幾家公司那樣,使用電阻式隨機存取記憶體(RRAM)儲存單元,相反,在CMOxTM技術中,導體不是線性分佈的,而是平均分佈於各處。同時,交叉點儲存陣列結構能夠容納高度密集採用新一代NVM技術的記憶體裝置,此外,它還允許多層記憶體的疊加。Unity Semiconductor的CMOxTM技術使用了4層多層式晶片(MLC)記憶體,這對於增加儲存級記憶體產品的儲存密度十分重要。作為一項新一代非揮發性記憶體技術,CMOxTM將生產出具備當前NAND快閃記憶體的4x儲存密度和5-10x寫入速度。Rinerson表示:「我們相信只有小儲存單元的CMOxTM有能力在費用和儲存密度方面勝過NAND快閃記憶體。」1 w z6 ~5 \' M, Q
% F, |. k0 Z6 {, \# j7 x1 w除了技術創新,Unity Semiconductor還有一些其他業務,其中包括將前段(FEOL)的CMOS晶片製程與後段(BEOL)的記憶體層製程分離。CMOS晶片不需要新的製程技術,可在CMOS邏輯工廠進行生產,以現有的產能,只需擁有90奈米的CMOS後段製程即可。 |
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