请教大家一个问题，关于High speed ESD

semico_ljj

请教大家一个问题，关于High speed ESD！
5 u. r& P) n9 B1 m8 L' e0 R2 l- G常见的是用Diode设计的嘛？
; {  k6 c& k! S( J  d有用CMOS实现的嘛？
4 d& U( N4 g; h& ?谢谢！

cthsu1

要看你的 High-Speed 頻率有多快？
可以容忍的寄生電容值是多少？
這樣才能決定 MOS 的大小。

semico_ljj

速度要求1~5G，不知道相应的寄生Cap一般需要在多少范围以内？也就是寄生Cap一般是多大！

semico_ljj

寄生Cap 20fF以内，这个是不是有点困难！？

cooper1234

一般 USB2.0 大約選擇 3pF 以下即可
! ^1 G! O% @1 z$ a7 z6 b+ q
HDMI / USB 3.0 / Display port  這種 3G以上等級 一定要使用 0.55pF以下容值.

semico_ljj

谢谢！现在就是在做USB30的IO口设计，比较困难！

allenapi

回復 6# semico_ljj
  I+ [7 C0 L6 \+ m! H3 V- Q
' A7 Q$ h) v1 F+ o要這麼低容值的 TVS Diode, 大概要找 美國 Protek Devices 這家公司的...

deltachen

謝謝大大的分享~知識因分享而壯大！

deltachen

謝謝大大的分享~知識因分享而壯大！

semico_ljj

回復 5# cooper1234

这个推荐值怎么来的？

glacialwang

HDMI / USB 3.0 / Display port  這種 3G以上等級 一定要使用 0.55pF以下容值.

這問這是包含PAD的情況嗎？ 還是單純ESD diode 可接受的範圍？
9 k6 q6 g- d) h  k$ H! W若是只有ESD diode含metal的情況下 條件感覺起來好像沒有那麼嚴苛

semico_ljj

感觉0.55pf应该是整个的，包含pad在内的所有寄生电容值吧？

kiseijulin

用VARISTOR或是TVS DIODE，容值當然是越小越好

linger809

用VARISTOR或是TVS DIODE，容值當然是越小越好
. C0 E7 n+ `6 j5 O8 k/ m5 Dkiseijulin 發表於 2009-12-23 02:16 PM

9 b. l" ~5 e+ Z0 r( z
) v) u+ r9 b7 }; ~: K不清楚怎么使用VARISTOR來設計，能否詳細解釋一下，謝謝！

semico_ljj

回復 13# kiseijulin
0 P) Q# D: ^  P+ k4 N% P, C) N) @
请问他们都是怎么实现的？

alienwarejian

请问他们都是怎么实现的？

liaohero

請diode 來保護好~還是用cmos來保護好

smile2441

謝謝分享資訊 , 充實自己的資料庫

馬君宏@FB

VARISTOR多是用在surge吧...
  u' Z6 i' X( K+ T7 h" T, L5 k

xuguishuang

謝謝大大分享~~; 謝謝大大分享~~;