億而得微電子開發完成可取代熔絲燒斷應用之嵌入式IP

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專注於嵌入式邏輯製程可程式非揮發性記憶體(NVM)的IC設計公司億而得微電子(YMC)，日前宣布於3.3V及5V元件邏輯平台上開發完成可取代熔絲燒斷應用之嵌入式IP。

- X( B' e) V, l  v9 A9 I該產品容量由４位元到256位元，具有小面積、低讀取電壓、小讀取電流，可多次抹除寫入等優點，並且為滿足客戶應用之需求，開發出含與不含升壓電路兩種嵌入式IP，不但簡易後段生產測試流程，亦可及時於系統更新此一設定，提高客戶生產效率及彈性。

; ?+ K) \1 U7 l& j  O' G  f該公司業務經理楊明蒼(右圖，業者提供)表示，傳統以大電流燒斷之金屬熔絲(Metal Fuse)及複晶矽熔絲(Poly Fuse)需以較大的電流進行，燒錄接腳的設計、後段測試探針的維護、燒錄良率及不可回覆性等因素，都會造成生產不便及成本提高；若以雷射燒斷之金屬熔絲(Laser Fuse)，則須繁複的測試流程及較高燒錄成本，也面臨不能多次更改及生產不方便的問題。

億而得微電子研發出可取代熔絲燒斷應用之嵌入式IP，在不改變客戶現有的製程條件下，解決傳統熔絲面的所有問題，並可於晶片封裝後，進行此一參數設定，增加客戶生產及產品管理的彈性。
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億而得微電子將持續開發多元的嵌入式邏輯製程可程式非揮發性記憶體如Flash、EEPROM等，以滿足各產業及客戶的需求。
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; c- z  {1 V+ L- c; M8 h. G網址：www.ymc.com.tw。

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【新竹訊】非揮發性記憶體（NVM）的製程及IP將有一個重大的轉變！由於消費性電子產品包含數位相機、智慧型手機所搭載的多媒體功能越來越複雜，傳統特殊OTP因價格昂貴，且結構設計複雜不易與SOC整合將漸漸被淘汰，取而代之的是價格便宜、製程較簡單的MTP。
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( o" i' [- h7 c  ?( |$ o　　據了解，目前國內外擁有MTP IP專利技術，除了力旺科技、Synop sys之外，後起新秀億而得微電子挾著高表現性及低成本來勢洶洶，未來可望形成三強鼎立的態勢。
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6 T: [: V0 Z: B　　億而得微電子成立於2001年，主要以CMOS邏輯製程製造EEPROM/Fl ash產品與IP，該技術與現行晶圓代工廠製程完全相容，且製造上不需增加光罩，不變動現有元件模型，除降低成本，也提高產品的生產效率，同時有較小的IP面積、超低寫入及抹除電壓，及快速抹除時間，製程技術從0.5um到0.13um，已在多家晶圓代工廠驗證及量產。
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2 M3 O' I1 B2 y% a; @) \9 H- a0 D, y3 N　　該公司產品協理楊明蒼表示，MTP NVM在市場上需求漸漸放大，預估明年會爆出龐大的市場需求量。公司目前已將MTP應用於MCU，Display驅動IC及網通等各項領域，並取得國內前幾大IC設計公司驗證及訂單，營收已在下半年陸續發酵，明年亦將會有不錯的表現。

　　億而得也表示，未來會陸續開發更多元化的嵌入式邏輯製程可程式非揮發性記憶體IP，如Flash、EEPROM、EPROM等產品供客戶選擇，並提供客製化IP設計服務，提供客戶更多樣化選擇，有效降低成本、提高效能及增加彈性，提升客戶產品競爭優勢。

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【新竹訊】億而得微電子公司是一家擁有多項記憶元件專利的專業IC設計公司，技術實力已達到國際水準。

; [6 {' q7 g' }% U2 I9 u* w　　億而得利用標準CMOS邏輯製程製造EEPROM/Flash產品與IP，與現行晶圓代工廠製程完全相容。製造上不需增加光罩，不變動現有元件模型，除降低成本也提高產品的生產效率，同時有較小的IP面積，超低寫入及抹除電壓，及快速抹除時間，製程技術從0.5um到0.13um，已在多家晶圓代工廠驗證及量產。

5 e+ m6 D& _- [4 D8 q/ c( d　　目前區分為兩大類，包括Standalone IC產品及嵌入式非揮發性記憶體IP。其中Standalone IC產品包含EEPROM及SPI Flash相關產品，該產品線可應用於通訊、電腦、電腦週邊，光儲存和消費性商品等領域。

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億而得微電子推出高壓製程嵌入式可程式非揮發性記憶體 面積小 讀取電壓低 可以1萬次電性抹除寫入

/ d, e5 c' X0 l* D億而得微電子公司(YMC)日前宣佈於5V元件高壓製程平台上，開發完成可取代熔絲燒斷應用之電性抹除寫入、高壓製程嵌入式EEPROM IP，其容量由8位元到1,024位元，具有小面積、低讀取電壓、可達萬次電性抹除寫入等優點。

為了滿足各應用領域客戶的需求，YMC開發出有含升壓電路及不含升壓電路兩系列之嵌入式EEPROM IP，不含升壓電路之嵌入式EEPROM IP可減少面積，含升壓電路之嵌入式EEPROM IP，可提高客戶使用效率及彈性。

億而得表示，相對於傳統以大電流燒斷之金屬熔絲(Metal Fuse)及複晶矽熔絲(Poly Fuse)，或是以雷射燒斷之金屬熔絲(Laser Fuse)，使用嵌入式可程式非揮發性記憶體，可以在封裝完畢之後，仍可進行此一參數設定修改，更可於客戶使用時進行此一參數設定修改，大幅提升客戶使用的方便性及產品的價值。
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! [/ ~; r4 x- G1 h5 n1 C* e目前許多國外廠商已陸續推出具有此一參數設定修改的產品，預計未來此一參數設定修改功能，將成為必要的功能，億而得微電子於高壓製程平台開發可取代熔絲燒斷應用之嵌入式EEPROM IP，在不改變客戶現有的製程條件下，推出最方便開發也是最有競爭力的方案。

億而得指出，預估高壓平台嵌入式可程式非揮發性記憶體，將可應用於電源及電源管理IC、LCD驅動IC、LED驅動IC。於電源及電源管理IC上，藉由寫入嵌入式元件微調控制電壓電流的準確度、記錄系統狀態及儲存系統錯誤訊息，以提升系統電源效率；在LCD驅動IC應用上，為調整LCD色彩對比度及掃瞄頻率，以有效提升彩色LCD畫面品質；在LED驅動IC方面，利用此元件調整電流精準度，提高LED光的品質。

億而得微電子提供一個低成本、高效率、具彈性的高壓製程平台嵌入式非揮發性記憶體解決方案，以提升客戶產品的競爭優勢，並將持續開發各種不同製程的嵌入式可程式非揮發性記憶體，並可提供客製化IP設計服務，以滿足各產業及客戶的需求。

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不需增加光罩修改製程 並擁有超低讀取電壓優勢
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+ h$ p: k1 v4 o) p$ a' b, y9 i專注於邏輯製程嵌入式可程式非揮發性記憶體(NVM)的IC設計公司億而得微電子(YMC)，日前宣佈於3.3V元件邏輯平台上，邏輯製程嵌入式可程式非揮發性記憶體IP完成0.35um製程技術之開發，產品的特色具有小面積、低讀取電壓、位元組(Byte)抹除與寫入的能力，以及可多次電性抹除與寫入等優點。目前可提供的容量由1Kx8位元到8Kx8位元，並且為滿足各應用領域客戶的需求。YMC於0.25um及0.18um製程上同步開發此一技術，記憶體容量亦擴展至64Kx8/32Kx16位元，提供客戶更多樣化選擇，有效降低成本、提高效能及增加彈性，提升客戶產品競爭優勢。
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億而得嵌入式邏輯製程可程式快閃記憶體IP，主要應用於MCU市場；MCU為電子系統產品中之關鍵零組件，可應用於消費性電子、醫療電子、工業控制、汽車電子、電腦週邊及通訊等領域。就MCU內建記憶體種類，可分為2種，一種是快閃記憶體MCU，另一種則是非快閃記憶體MCU(ROM/OTP)；其中快閃記憶體MCU，為滿足市場對研發週期、存貨問題及生產彈性等之強烈需求，會是各家MCU廠商積極開發的產品線，與傳統快閃記憶的差異，在於傳統快閃記憶需要成本較高的特殊製程來支援，億而得微電子開發出低成本且可取代ROM/OTP之邏輯製程嵌入式快閃記憶體IP，在不改變客戶現有的製程條件下，解決傳統ROM/OTP所面對的問題，並且，客戶可於系統上重複修改設計程式，提升客戶產品功能及增加生產管理彈性。

& z! u: f* }! B# p; Z/ p億而得微電子表示，MCU的應用十分廣泛，MCU業者為了塑造市場區隔，無不致力發展高效能、低成本、完整且彈性化的產品線，YMC嵌入式邏輯製程可程式快閃記憶體IP會是MCU業者最佳的選擇。
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億而得微電子指出，該公司未來會陸續開發更多元化的嵌入式邏輯製程可程式非揮發性記憶體IP，如Flash、EEPROM、EPROM等產品供客戶選擇，並提供客製化IP設計服務，為了滿足客戶的需求，億而得微電子目前已與國內多家晶圓代工廠進行合作中。