美光科技的高性能DDR2記憶體可配合AMD Phenom四核處理器使用

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美光科技的1Gb DDR2-1066 DRAM記憶體顆粒擁有業內最快的DDR2速度級；Crucial.com 網站已開始出售採用美光科技DDR2-1066記憶體顆粒的1GB和2GB記憶體條。

$ R' [8 z% P4 `% x3 m0 i1 [+ H美國商業資訊2007年11月16日愛達荷州博伊西消息——美光科技公司（Micron Technology, Inc.）（紐約證券交易所股票代碼：MU）今天宣佈，其1Gb DDR2（double data rate）記憶體顆粒可配合AMD公司（AMD）新發佈的面向資料密集型高端計算應用的AMD Phenom(TM)四核處理器使用。美光科技的新型DDR2-1066記憶體技術擁有更高的速度，它與新型AMD Phenom處理器的多核性能組合在一起，可為目前大多數需要高性能的應用提高運行效率。
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美光科技公司記憶體事業部副總裁Brian Shirley說：“AMD Phenom處理器和美光科技DDR2-1066兩者組合起來，可以讓用戶體驗到計算性能的顯著提升。美光科技的DDR2-1066記憶體顆粒已經投產幾個月，我們對這個產品能配合AMD Phenom處理器使用感到高興。”

; j- d8 E+ w2 x4 s, `9 \* I  x美光科技DDR2-1066記憶體顆粒的時鐘速度比DDR2-800顆粒的時鐘速度提高了33%，是目前業內最快的非超頻DDR2速度。DDR2-1066記憶體顆粒採用美光科技在業內領先的78納米6F(2)工藝製造，記憶體顆粒的工作電壓為JEDEC標準1.8伏。容量1Gb的記憶體顆粒可以製造512MB到2GB的記憶體條。消費者可以到 www.Crucial.com 網站購買採用美光科技領先的DDR2-1066記憶體顆粒製造的Crucial牌記憶體條，有1GB和2GB兩種容量規格。

) F+ o& ^3 E& y2 mAMD公司負責市場行銷與戰略的全球副總裁Bob Brewer說：“美光科技領先的記憶體技術，加上我們的AMD Phenom(TM)四核處理器，使系統性能達到空前的高水準，可為用戶提供更強的互動體驗。用戶需要的圖形密集型特性和多工功能需要越來越多的記憶體才能流暢運行，因此AMD和美光科技結成持續的技術合作夥伴關係是讓共同客戶獲得突破性計算體驗的關鍵。”
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4 B2 c3 {1 H7 D2 H. s% I; \8 ^關於美光科技公司
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) d6 q) ]* j% L& o' ]& w5 r美光科技公司是全球領先的先進半導體解決方案供應商之一。通過全球範圍的經營活動，美光科技公司製造並銷售用在先進的計算、消費、網路和移動產品�的DRAM、NAND快閃記憶體、CMOS圖像感測器及其他半導體元件和記憶體模組。美光科技公司的普通股在紐約證券交易所（NYSE）上市交易，股票代碼MU。欲瞭解有關美光科技公司的更多資訊，請訪問： www.micron.com 。

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美光標準型 ClearNAND 產品提供從 8 到 32 GB 等封裝，相較於 NAND 晶粒，其特色在於可透過最少程度的協議調整 (protocol changes) 來解決主處理器上錯誤修正碼 (ECC) 產生的負擔。標準型 ClearNAND 產品組合是專門為可攜式媒體播放器等消費性電子裝置所設計。

9 S; F$ V3 g4 l美光加強型 ClearNAND 產品除了前述從主處理器上移除錯誤修正碼負擔的功能外，更提供專為企業設計的新型功能，以利大容量的設計，使產品效能和可靠性都更上一層樓。該產品提供 16 到 64 GB 容量的封裝。加強型 ClearNAND 產品專為企業和運算等應用設計，也是業界首次將領先的 25 nm MLC NAND 技術應用在這些領域。美光標準型和加強型 ClearNAND 產品現已上市。

. Z9 x" r1 l! B# v市場研究機構 Forward Insights 的創辦人及首席分析師 Greg Wong 指出，產業不斷透過縮小產品尺寸來降低成本，如何能夠維持系統的效能和耐受度是個考驗。ClearNAND 系列產品的推出，顯示美光已開發了能夠突破傳統障礙的解決方案，協助客戶將最先進的 NAND 技術應用於要求極嚴苛的裝置中。
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. X, q$ ]: `: J% |* _涵蓋快閃記憶體晶粒至全面管理解決方案的廣泛NAND 產品組合
1 [2 V! G. _  y; c9 X. p隨著無線、消費性、運算和企業應用製造商開始使用 NAND 快閃記憶體作為其主要儲存方案，多數設計人員都需要廣泛完整的技術解決方案以滿足其終端產品設計的龐大需求。從平板電腦到應用快閃記憶體的筆記型電腦，高階智慧型手機，資料中心伺服器等，各種應用模式都大異其趣，也需要不同類型的 NAND 快閃記憶體。ClearNAND 系列產品強化了 NAND 快閃記憶體的產品組合，讓美光進一步提供廣泛的的固態儲存解決方案。

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美光推出創新快閃記憶體裝置 延長 NAND 快閃記憶體壽命
新型 ClearNANDTM 產品內建 NAND 錯誤修正能力 讓NAND 製程微縮技術邁向擴充之路

- @( e1 l/ i  S0 Y8 \  H2 Z% l- n(臺北訊，2010 年 12 月 16 日)   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣佈推出新型高容量快閃記憶體產品組合，將可延長未來 NAND 記憶體的產品壽命。美光新款 ClearNAND 裝置將錯誤管理技術整合在同一個 NAND 封裝內，解決了 NAND 傳統上面臨製程微縮的問題。美光的 ClearNAND 產品組合使得先進的 NAND 技術得以有效應用於企業伺服器、平板電腦、可攜式媒體播放器等多種電子消費品中。
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8 m$ S. V, E+ X, T) o美光 NAND 解決方案事業群副總裁 Glen Hawk 表示，NAND 製程微縮的速度促成產業前所未見的大幅成長與成功，有助於發展新的快閃記憶體解決方案。雖然 NAND 製程微縮的優勢顯而可見，但該技術管理難度的提高也帶來了挑戰。美光的 ClearNAND 產品為客戶解決了管理上的障礙，並延長了此項關鍵技術的壽命。
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美光 ClearNAND 產品採用傳統的 NAND 晶粒介面，另外專為高容量和高效能的應用新增功能。隨著產業逐漸超越了 20nm 的規格，快閃記憶體管理也日趨困難，由於位元錯誤 (bit error) 情況大幅增加，影響 NAND 快閃記憶體的運作效能和可靠性。美光將錯誤管理技術與 NAND 裝置緊密結合於同一封裝中，持續提供客戶最大容量和最低單位位元成本 (cost-per-bit) 的快閃記憶體解決方案。美光提供標準型 (Standard) 和加強型 (Enhanced) 兩種版本的 ClearNAND 產品，均率先採用 25nm MLC 製程。

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(台北訊，2010年10 月5日)   美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣佈，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數據儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 採用作為其新型混合光碟機 (ODD) 的快閃記憶體解決方案。此款採美光 25nm NAND 技術的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能，為針對個人電腦、DVD 播放機和藍光產品的綜合解決方案。

美光的 25nm NAND 處理技術提供單一設備中8GB 儲存容量，滿足新應用在有限空間設計中的高容量儲存需求。首批 HLDS Hybrid Drive 組合將支援一系列嵌入式快閃記憶體容量規格，包括 16GB、32GB 和 64GB。Hybrid Drive 未來版本將提供更高的 NAND 容量。
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美光 NAND 解決方案事業群行銷總監 Kevin Kilbuck 表示，美光的 25nm NAND 快閃記憶體的成功再度推動了另一個創新應用。HLDS Hybrid Drive 這項突破是美光 NAND 快閃記憶體技術強化數位相機、MP3 播放機、智慧手機、平板電腦與今日的混合光碟機等產品效能的又一最佳範例。

HLDS Hybrid Drive 除了適合僅具備單一驅動空間的輕薄筆記型電腦外，更是使用硬碟或固態硬碟作為長期儲存應用的理想選擇。Hybrid Drive可作為緩存和啟動應用，從而改善以上應用的系統效能，包括加快啟動時間等等。
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HLDS 行銷長 YK Park 表示，身為光碟儲存領域的全球領先商和技術創新者，HLDS 展示了其第二代 Hybrid Drive——全球第一款具備嵌入式 NAND 快閃記憶體的光碟機。這款內建美光領先業界 25nm NAND 的第二代 Hybrid Drive，設計符合傳統光碟機尺寸，不僅可以輕鬆替換傳統光碟機，而且在板載儲存方面更勝一籌。此款 Hybrid Drive 是一款真正的混合儲存和光碟機解決方案，與獨立硬碟驅動器相比其效能提升了約50%-70%。*
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HLDS 將於10月5-9日在日本舉辦的電子高新技術博覽會 (CEATEC) 上展示這款採用 美光 25nm NAND 的 Hybrid Drive。展臺位於1號展廳家用和個人產品區 (Home & Personal Zone)，展臺號為#1A01。

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該裝置較相同容量的美光和英特爾 25 nm MLC (多層式儲存) 尺寸節省至少 20%，是目前市面尺寸最小的單一 8Gb 裝置。從現今電子產品有限的設計空間來看，小尺寸快閃記憶體對消費性終端產品快閃記憶體卡顯得尤其重要。此款產品晶片面積為131 mm²，符合業界標準的 TSOP 封裝。
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美光 NAND 解決方案事業部副總裁 Brian Shirley 指出，NAND 快閃記憶體對消費性電子產品的重要性日益提高，提早轉入 25 nm TLC 對於 NAND儲存產品組合的持續擴張實為一大競爭優勢。美光正積極根據包括 Lexar Media 和美光較大容量終端產品等的設計，打造符合需求的 8Gb TLC NAND 快閃記憶體產品。
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英特爾副總裁兼英特爾 NAND 解決方案事業部總經理 Tom Rampone 表示，隨著業界尺寸最小的 25 nm 晶片在1月問世後，25 nm 3bpc 產品的進度也緊隨其後，英特爾將繼續加速研發工作，為客戶提供一系列卓越領先的產品。英特爾 計畫在新推出的 8Gb TLC 25 nm NAND 裝置的基礎上，利用 IMFT 在設計和製造上的優勢，為客戶提供更高容量、更具成本競爭力的產品。

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美光與英特爾率先推出25 nm 3-bit-per-cell NAND 快閃記憶體
% I, F5 h- h+ z; i3 g6 _# g( l業界容量最大、尺寸最小的 NAND 裝置 為眾多消費性儲存應用提供成本優勢

; V# k9 q' W" H  y(台北訊，2010年8月19日)   美光科技 (Micron Technology Inc.) 與英特爾 (Intel Corporation) 宣佈推出採用 25 nm 製程技術3-bit-per-cell (3bpc) NAND 快閃記憶體，該 NAND 裝置擁有業界最大容量與最小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶，該產品預計在今年年底量產。
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9 C* ^+ v/ @% A+ S: F, D與 USB、SD (Secure Digital) 快閃記憶體卡和消費性電子產品相比，新推出的 25 nm 64Gb 3bpc 記憶裝置的成本更低且容量更大。快閃記憶體主要用於儲存資料、照片或其它多媒體，以供電腦和數位裝置  (數位相機、可攜式媒體播放器、數位攝影機和各類型個人電腦) 之間的資料擷取和傳輸，而以上這些市場一直承受來自低價與高容量的壓力。

由美光與英特爾雙方合資籌組建的 NAND 快閃記憶體公司 IM Flash Technologies (簡稱 IMFT)  所開發的這項 64Gb / 8Gb 25 nm 微影技術，可提供每單位 3 位元的資料容量，而傳統技術只能提供 1 位元 (單層式儲存) 或 2 位元 (多層式儲存) 。3bpc 在業界也被稱為三層式儲存 (triple-level cell, 簡稱 TLC)  。

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Klein 強調，除了原始效能之外，RealSSD P300 產品旨在達到領先業界的穩定效能，即使是在寫入快取被禁用的情況下，也能提供最佳的效能。P300 能協助用戶不必在 IOPs 或輸送量和最大的資料彈性之間做抉擇，反之這兩項需求在同一個 P300 硬碟中就能實現。
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美光與業界領先的量測公司 Calypso Systems, Inc. 合作，對 P300 SSD 固態硬碟進行了測試。Calypso Systems 執行長 Eden Kim 表示，RealSSD P300 SSD 固態硬碟再次證明了美光在業界的領先地位，P300 SSD 固態硬碟所提供的效能遠高於同類競爭對手。透過 SATA 6Gb/s，P300 展現出驚人的small block 4K 隨機寫入 IOPs，速度較其它一同參與測試的硬碟高出2.5到16倍。
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) g7 `5 B; {! ARealSSD P300 硬碟擁有 50GB、100GB 和 200GB 三種容量，主要針對刀鋒伺服器 (blade) 與傳統伺服器、儲存陣列 (storage arrays) 和高階工作站等企業級應用。P300 SSD 固態硬碟的規格為標準的 2.5 吋，其讀寫速度分別高達 360MB/s 和 275MB/s。

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美光推出新款企業級固態硬碟 RealSSDTM P300 固態硬碟可提高整體系統效能和資料可靠度
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/ O: e) E9 M8 K/ H(台北訊，2010年8月17日)   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 推出 RealSSD P300 固態硬碟 (SSD)，為企業環境提供更快的系統效能和更佳的資料完整性。RealSSD P300 硬碟為首款採用 SATA 6 Gb 介面的企業級固態硬碟。新款 P300 SSD 固態硬碟在穩定狀態下每秒的輸入/輸出運作 (IOPS) 速度極快，讀寫次數分別高達 44,000 和 16,000 次，與同類競爭的 SATA 固態硬碟產品相比，RealSSD P300 寫入效能高達15倍之多。

4 m3 t2 z) p  `& F$ R美光記憶體系統開發副總裁 Dean Klein 表示，RealSSD P300 SSD 固態硬碟是市面上速度最快的 SATA 硬碟1。RealSSD P300 能夠完成多個硬碟的工作，在某些情況下，甚至比由12個硬碟組成的 RAID 系統效能更好2。

  K; p- D6 c, k$ _如今企業環境的工作量不斷增加，因此企業所採用的科技技術能夠承受資料不斷被讀取、傳輸和儲存所帶來的嚴峻考驗。RealSSD P300 硬碟專為滿足企業的需求而設計，採用了美光的高效能、高耐用 ONFI 2.1 34 nm 單層儲存單元 (SLC) NAND 技術，確保在苛刻的企業作業環境中能有較長的產品使用壽命和更高的可靠度。美光的高品質 NAND 技術與獨有韌體設計的結合，使 P300 SSD 固態硬碟能夠實現業界最大的 SATA 硬碟容量——200 GB 硬碟共計可寫入3.5 位元，相當於連續五年每天寫入約1.9兆位元3。

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英特爾行動產品事業群 (Mobile Product Group) 總監Erik Reid 表示，即將推出的Intel® Atom™ 處理器Oak Trail平台，是特別為平板電腦和小筆電的輕巧設計量身打造。Oak Trail 低耗電且適合多工、豐富多媒體 (rich media) 及上網環境的特色和優勢，結合美光 2GB 50奈米DDR2記憶體，可滿足雙方客戶的設計需求。

! u, h/ C' e" v7 q- e% N美光為客戶開發DDR2記憶體，秉持一貫對品質的嚴苛要求，提供優異的效能和多種配置、容量和封裝選擇。最新50nm DDR2系列產品包括：
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& Y% h' c# A% I        從512MB到2GB的多種容量選擇，並提供X4/X8/X16封裝規格
* g5 {& T. k; V  j        從1GB 至4GB 的UDIMM 及 SODIMM高容量模組配置
        傳輸速率高達800 MT/s，為更高的匯流排速度 (Bus Speed) 提供移動路徑
" v, \9 F/ n7 o        支援1.55V電壓，可減低記憶體系統耗電
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' D5 H. Z6 X+ x5 }供貨
) {5 Z! G/ s8 k, K5 z美光預計將於2010年9月開始提供2GB 50nm DDR2樣本，並計畫於2010年第4季開始量產。

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美光推出新型記憶體 支援搭載英特爾處理器的平板電腦和小筆電
新型2GB 50nm DDR2記憶體 為即將上市的Intel® Atom™ 平台提供關鍵優勢

(台北訊，2010年7月29日)   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布推出新型 2GB 50nm DDR2記憶體，支援英特爾即將針對平板電腦和小筆電所推出名為Oak Trail的Intel® Atom™ 處理器平台。該2GB 50nm DDR2記憶體具備小尺寸、高容量和低功耗等特性，在尺寸與電池壽命上可充分滿足平板電腦的需求，是平板電腦市場理想的解決方案。
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美光的2GB DDR2產品已發展到50nm製程，顯示美光對於市場所需科技的持續承諾與投入。從1GB 升級到2GB的元件除了容量提高，50nm製程更有 助於節省內部功耗，並減少記憶體使用量 (memory footprint) 。

, o6 a) d3 r& }: q! U美光DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示，美光的2GB 50nm DDR2裝置 是英特爾即將推出的採用Intel® Atom™ 處理器的Oak Trail平台最佳搭檔。由於它耗能低、 記憶容量高，最適合正蓬勃發展的平板電腦市場。此外，美光也正不遺餘力地開發50nm系列產品，以期持續支援客戶進行創新。

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構建RLDRAM 合作夥伴網絡
美光持續與龐大的合作夥伴網路維持緊密聯繫，使其RLDRAM儲存解決方案能更易於與網路設備整合。美光廣泛地與其合作夥伴合作，為客戶提供量身定做的解決方案，優化網路系統效能。作為這個珍貴產業系統的一分子，美光目前合作的領先FPGA公司有Altera 和Xilinx，RLDRAM 3記憶體可整合到其產品系列中。
Altera元件產品行銷資深總監Luanne Schirrmeister表示，Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的定型資料路徑 (hardened datapaths)，針對美光記憶體設有高效能、低延遲介面。RLDRAM 3記憶體的發表可讓Altera 的記憶體頻寬高達1600 Mbps，速度為業界最高，大幅降低了延時。美光新的儲存產品搭配Altera新的記憶體介面架構是一項重要技術成果，也是 Altera 與美光多年技術合作的一項巔峰之作。
, N& Q6 E& K% A$ S$ kXilinx應用和技術行銷資深總監Rina Raman表示，Xilinx 7系列FPGA應用於最高級的網路設備，用於滿足全世界對頻寬無止盡的需求。Xilinx與美光合作，支援其新的RLDRAM 3技術，使Xilinx的客戶能夠開發網路平臺，以滿足最嚴格的基礎設施需求。
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產品可用性
0 R! H4 V7 w2 V4 ^美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣，目前正與客戶合作，徵求其對RLDRAM 3記憶體設計的意見。此外，美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產品進行抽樣。

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美光與領先晶片組和客製 ASIC 設計公司合作開發高頻寬、低延遲網路解決方案

(台北訊，2010年7月14日)   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延遲DRAM (RLDRAM○R 3記憶體)，一種高頻寬記憶體技術，能更有效的傳輸網路資訊。影像內容、行動應用和雲端計算的蓬勃發展，產生了對更高效網路基礎設施的需求，以能線上傳輸大量資料。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3記憶體進一步提高了儲存容量和速度，同時將延遲減至最低，降低了功耗，在網路應用中效能更好。
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% ]7 }- b" p  _* c4 W2 T美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示，隨著網路內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支援網路流量增長的技術，美光的RLDRAM 3記憶體滿足了這種需求。
* r# N) x2 m6 q6 R8 U1 l對於現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水準的技術支援，並計畫長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm製程，提高系統效能，降低功耗。

RLDRAM 3記憶體產品特點
美光新的RLDRAM 3記憶體的主要特點及優點包含：
        低延遲：tRC不足10奈秒，隨機存取延時為業界最低
        高容量：576Mb-1Gb，靈活性高，可用於多種設計
* {% K/ B! n3 h: p& @        高速率：達2133Mb/s，資料存取速度更快
/ ^" A# V9 X+ I* s* {7 r0 s        高能效：1.2V IO和1.35V內核電壓，更省電

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美光公司記憶體事業部副總裁Brian Shirley表示：「美光充分利用其成熟的34奈米NAND製程，開發了使用壽命更長的企業級NAND產品，以滿足客戶的要求。這些產品讓企業有了極爲可靠的多層單元或單層單元結構的NAND快閃記憶體解決方案，用於更廣泛的企業儲存平台。」
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; s- V- `8 x- q  aSandForce公司業務開發副總裁Steffen Hellmold表示：「使用先進NAND快閃記憶體是在企業應用中廣泛推廣固態硬碟（SSD）的要求。能與美光公司合作，共同推出性價比高、可靠性佳、性能優異的固態硬碟解決方案，以滿足企業嚴格的使用壽命要求，我們感到十分振奮。」

. O' k, o2 [' H0 f3 V) H• 美光專門針對企業應用推出業界使用壽命最長、容量最大的多層單元（MLC）和單層單元（SLC）NAND快閃記憶體
  c" q8 [$ Y1 G+ s/ {• 美光充分利用其成熟的34奈米製程爲客戶服務，使多層單元NAND壽命延長6倍，單層單元NAND壽命延長3倍
" z  w! }& e3 T! H• 美光的32Gb多層單元和16Gb單層單元企業級NAND技術可配置成多晶片單封裝形式，最高可支援32GB的多層單元儲存密度和16GB的單層單元儲存密度

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美光公司針對企業儲存系統推出34奈米多層單元NAND系列新產品，壽命延長6倍
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  F8 s4 k' k3 R5 S  H0 ^$ S愛荷華州博伊西--(美國商業資訊)--爲企業應用設計固態儲存系統時，標準單層單元NAND技術因其可靠性和使用壽命而一直備受青睞。不過客戶卻常常要面對一個難題，那就是如何以高成本效益達到其儲存容量要求。美光科技公司（Micron Technology, Inc.，紐約證券交易所：MU）今天宣佈，美光利用獲獎的34奈米NAND製程生產出了多層單元企業級NAND設備，透過這種設備，企業能夠可靠地以高成本效益使其企業級快閃記憶體儲存容量擴大一倍（因爲在相同的晶片尺寸上，多層單元的容量是單層單元的兩倍）。客戶的需求由此得以滿足。美光的新款多層單元企業級NAND設備的寫入次數可達30,000次，其使用壽命比標準多層單元NAND延長了6倍。對於更依賴儲存性能的企業級應用，美光公司今天還推出了34奈米製程的單層單元企業級NAND設備，寫入次數可達300,000次，其使用壽命相比標準單層單元NAND延長了3倍。

此外，美光最新款企業級NAND產品充分發揮NAND的性能潛力，支援ONFI 2.1同步介面；與傳統的NAND介面相比，其資料傳輸速率提高了4到5倍。美光的34奈米企業級NAND產品組合包括：32Gb多層單元NAND晶片和16Gb單層單元NAND晶片，它們可配置爲多晶片單封裝形式，儲存密度最高可分別達到32GB（多層單元）和16GB（單層單元）。美光目前向客戶及控制器生產商提供企業級NAND試用產品，預計於2010年初開始量產。如需進一步瞭解美光企業級NAND產品，請觀看美光創新部落格上的影片，瞭解美光如何利用其成熟的34奈米NAND製程達到這些不同等級的可靠性。

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目前使用RDIMM的典型伺服器系統每個處理器最多可以容納3個四排16GB RDIMM模組。不過，同樣的系統每處理器最多可以支援9個四排16GB LRDIMM，使記憶體容量從48GB增加到144GB。與RDIMM的性能水準相比較，美光的16GB LRDIMM增加系統記憶體頻寬57%。由於伺服器功耗仍是客戶的首要考慮，美光的LRDIMM也將以業界最低的1.35伏電壓運作。
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+ e5 m* ^& _+ N8 r) C美光DRAM市場行銷副總裁Robert Feurle表示：「隨著虛擬化的興起，我們新的16GB模組使客戶能夠方便地擴大他們的記憶體容量。傳統的RDIMM由於其負載情況限制了可以容納的記憶體數量，而LRDIMM透過減少模組負載消除了該問題。由於我們的LRDIMM設計採用美光新的低功耗2Gb 50nm DDR3晶片，這減少了模組晶片數量，因此我們能夠為客戶提供更加具有成本效益和有效率的方法來提高伺服器記憶體容量和性能，同時還降低功耗水準。」

4 g3 h" x9 C3 E- WInphi市場行銷副總裁Paul Washkewicz表示：「採用此記憶體技術方式將進一步實現伺服器虛擬化和雲端運算。此技術為資料中心伺服器提供迫切需要的更大頻寬和記憶體容量。」

IDT企業運算部副總裁兼總經理Mario Montana表示：「作為AMB+ 和 DDR3 暫存器/PLL這樣低功耗記憶體周邊設備的領導廠商，IDT很高興再次將我們經過產業證明的技術和專長應用到這個針對DDR3 LRDIMM的新類別的記憶體緩衝區。我們很高興與美光以及生態系統夥伴合作，為高性能運算市場實現創新的解決方案。」

" N7 N( n/ s* m: A4 ]3 s+ ~- j產品供貨
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目前美光已經將8GB LRDIMM的樣品提供部分選定公司。16GB LRDIMM的量產預計將於2010年開始。

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(20090802 10:44:07)美國商業資訊愛達荷州BOISE消息——美光科技股份有限公司（紐約證券交易所：MU）今日宣佈生產出業界首款DDR3低負載雙列直插記憶體模組 (LRDIMM)，並將於今年秋季開始推出16GB版本的樣品。透過減少伺服器記憶體匯流排上的負載，美光的LRDIMM可用以支援更高的資料頻率並顯著增加記憶體容量。
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新的LRDIMM將採用美光先進的1.35v 2Gb 50nmDDR3記憶體晶片製造。由於晶片的高密度和業界領先的小尺寸，使美光能夠輕鬆並具成本效益地增加伺服器模組的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產品目前正在進行客戶認證，將很快進行量產。
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4 D' G1 v* d0 g: O6 l" F! Z  e, G如今多數中階企業伺服器每系統使用大約32GB的DRAM記憶體，但根據Gartner公司近期的一份報告（2009年5月），此數字預計在2012年將增至三倍以上。隨著伺服器製造商繼續利用多核心處理器和資料中心選擇有效率的虛擬化技術，記憶體要求達到前所未有的高度。透過增加伺服器系統具備的可用記憶體，系統能夠同時執行更多的程式、更有效地處理更大的資料檔案，通常呈現出更好的整體系統性能。

美光的LRDIMM目前使用Inphi近期推出的隔離記憶體緩衝 (iMB) 晶片而非暫存器，以在記憶體和處理器之間傳輸資料時減少匯流排負載。相較於目前標準的DDR3伺服器模組 -暫存式DIMM (RDIMM)，美光新的雙排LRDIMM模組可減少此負載50%，四排LRDIMM模組則可減少75%。透過減少匯流排負載，美光的LRDIMM使伺服器能夠處理更高的資料頻率，從而提高整體系統性能和支援更多的模組數量以獲得更大的系統記憶體容量。

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(20090621 11:45:27)美國商業資訊愛達荷州博伊西消息——美光科技股份有限公司（紐約證券交易所：MU）今日推出一系列新的低電壓、高頻寬DDR3記憶體模組，使筆記型電腦現在能夠充分利用最佳化的電池壽命和可攜性。美光公司新的記憶體模組現在提供的記憶體容量最高為2GB，今年秋季將提供4GB的樣品。新產品為筆記型電腦提供無與倫比的性能和效率組合。
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在設計筆記型電腦時，維持電池壽命和提供與桌上型電腦相當的性能是兩個關鍵標準。美光公司新的模組提供性能和功效的理想組合。模組的設計採用業界電壓最低的1.35伏1Gb DDR3元件，能夠實現比標準1.5伏DDR3更多的功耗節省。更重要的是，實現此低功耗並不影響記憶體性能；新模組提供每秒1333 Mb的最佳頻寬。

- O- }# Y  w# t. i  {6 |2 X2 h5 O7 X美光公司DRAM市場行銷副總裁Robert Feurle表示：「不僅在功耗上，而且在性能上，我們全面地使DRAM更有效率，最終讓使用者獲得更高的生產力。與標準的1.5伏筆記型電腦記憶體模組相比，我們新的DDR3記憶體模組減少大約20%的功耗，同時又保留了DDR3的高性能優勢，使可攜式電腦能夠提供桌上型電腦等級的運算體驗。」

NVIDIA技術市場行銷總監Barry Wagner表示：「我們的筆記型電腦圖形處理器提供業界領先的性能和視覺逼真度。在為可攜式運算應用程式定義性能和功率參數方面，美光已經成為我們寶貴的合作夥伴。我們期待與美光合作，檢驗他們新的記憶體模組與我們筆記型電腦處理解決方案的適配性。」

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(20090405 14:49:45)美國商業資訊愛達荷州BOISE消息——美光科技股份有限公司（紐約證券交易所：MU）今天宣佈，Semiconductor Insights評選出美光公司兩項業界領先的DRAM和NAND創新作為其第八屆Insight年度大獎的得獎者。美光公司的32Gb、34奈米NAND快閃記憶體獲得「最具創新性製程技術」獎，其1Gb、50奈米DDR2獲得「最具創新性DRAM技術」獎。

美光公司記憶體事業部副總裁Brian Shirley表示：「從Semiconductor Insights這樣一家知名的分析公司獲得這些大獎，美光公司感到很榮幸。這些大獎證實了美光公司在DRAM和NAND快閃記憶體方面持續的技術設計和製程創新領導力。與我們的合作夥伴一道，美光公司繼續推動著記憶體技術的進步。」

Semiconductor Insights副總裁兼總經理Emil Alexov表示：「美光公司在DRAM和NAND領域獲得了巨大的進步，兩種技術的製程水準能製造出迄今尺寸最小的產品，同時還提供首款次40奈米的快閃記憶體裝置。他們被選為兩項而非一項Insight大獎的得獎者，清楚證明了他們的創新承諾。」
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% q' o: _& _7 R3 Z  N% z7 m& w據SI表示，32Gb、34奈米晶片是業界首款密度最高的單片多層單元 (MLC) NAND快閃記憶體晶片。由於密度高、尺寸小，此晶片使客戶能夠輕鬆地增加許多消費和運算產品（例如數位相機、個人音樂播放器和固態硬碟）的NAND儲存容量。32Gb、34奈米NAND晶片由英特爾和美光公司共同開發，由雙方合資成立的NAND快閃記憶體公司IM Flash Technologies製造。
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1Gb、50奈米的DDR2晶片尺寸僅為41平方毫米，為客戶提供目前市面上最小的DRAM核心尺寸。在分析產品之後，SI注意到本產品具有他們迄今分析過最先進的DRAM製程技術。50奈米、1Gb的DDR2由DRAM與南亞科技股份有限公司透過DRAM聯合開發專案共同開發。
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2 Z; i, S$ C+ e6 X' s+ WInsight大獎表彰那些透過在半導體產業設計創新和技術進步實現巨大技術進步並改變我們生活世界的公司。2009年3月31日，作為TechInsight在聖荷西舉行的嵌入式系統大會（Embedded Systems Conference）的活動之一，在EE Times ACE獎和Insight獎的頒獎典禮上頒發了這些獎項。

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Insight大獎表彰依靠技術成就和創新在上年度對半導體產業發展產生影響的公司。Insight大獎包含四個不同類別的獎項，由業界一流專家組成小組負責評選，成員包括：TechInsights Services公司技術長Edward Keyes、Portelligent公司總裁David Carey、TechOnline編輯主任Patrick Mannion，以及Semiconductor Insights公司的資深分析師。評審專家將從每一類獎項的獲提名候選者中評選出獲勝者。

Semiconductor Insights公司副總裁兼總經理Emil Alexov表示：「今年Insight大獎的最後一輪候選產品達到了產業關鍵的創新里程碑，這顯示了對技術突破不斷施以壓力的重要性，這樣做可以加強產業的發展，同時為他人定下新的努力方向和標準。」
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Insight大獎表彰企業透過創新設計和技術發展在半導體產業取得的巨大技術進步，他們改變了我們生活的世界。2009年3月31日，在EE Times ACE獎和Insight獎頒獎禮上將向這些企業和他們的創新技術頒獎。此次頒獎典禮是TechInsight在矽谷舉行的嵌入式系統大會（Embedded Systems Conference）的活動之一，大會堪稱北美最大規模的電子系統設計盛事。

jiming

(20090320 14:13:28)美國商業資訊愛達荷州BOISE消息——美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.，紐約證券交易所：MU）今天宣佈，美光的32Gb、34奈米NAND快閃記憶體和1Gb、50奈米DRAM創新技術獲得Semiconductor Insights公司（簡稱SI公司）認可，進入SI第八屆Insight年度大獎的最終評選。
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美光的32Gb、34奈米NAND晶片是由英特爾和美光合作開發，並由雙方共同設立的NAND快閃記憶體合資企業IM Flash Technologies公司製造，這款晶片進入「最具創新性製程技術」和「最具創新性非揮發性記憶體」兩類獎項的最終評選。SI公司表示，這款32Gb、34奈米晶片是業界迄今為止密度最高的單片多層單元（MLC）NAND快閃記憶體晶片。有了這塊高密度的小巧晶片，客戶能夠輕易地擴大一系列消費和計算產品的NAND儲存容量。
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/ K: |! O9 ~. t" x, c美光的1Gb、50奈米DDR2晶片是由美光公司與南亞科技股份有限公司透過DRAM聯合開發專案共同開發，這款晶片進入「最具創新性DRAM」獎項的最終評選。這款1Gb、50奈米DDR2晶片面積僅有41mm²，可為客戶提供目前市場上最小的DRAM晶片尺寸。分析了這款產品之後，SI公司表示，該產品所採用的DRAM製程技術是他們迄今分析過的同類最先進技術。
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美光公司記憶體事業部副總裁Brian Shirley表示：「能獲得Semiconductor Insights公司的認可，進入Insight大獎的最終評選，我們感到很榮幸。美光公司用頂尖的NAND和DRAM設計不斷突破技術的極限，我們將與研發合作夥伴共同努力，不斷創新，為客戶提供市場上最先進的記憶體解決方案。」