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樓主 |
發表於 2007-10-27 03:19:11
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只看該作者
其實以新人來說, ~4 z1 i, Y( o6 [9 K. p7 n9 N% k
回答這類問題並不用太傷腦筋8 a* V; t9 Y7 |
主管是要看你了解這東西的程度# H2 \- |2 S7 H
提供個答案供大家參考
4 j" E! ?9 @% w2 cESD 是靜電放電沒錯4 b2 W6 g: u/ w C; E+ t' P
不過可以提一下它有哪幾種發生的機制
/ T4 e! N. I# k* k, z1 r4 LESD 共有三種機制需要測試! {* y9 h) a9 k: Y0 F, S
分別為HBM(Human Body Mode)..MM(Machine Mode)...CDM(Charged Device Mode)
& J$ q, X1 H1 ]6 X7 _1 Z9 }- v5 ]: |預防對策則為...* d; Y4 c% u1 {! S; m, G* ]) |' g
power & ground pin 使用 power clamping
; j4 b# L! z4 R+ [+ gI/O pin 做 ESD protect device
( A* y0 ]6 P L& W; Pinternorl circuit 有接到pad path 的mos....drain端做ESD rule放大
# \6 X9 p% Q+ q0 Y9 k4 e% R8 [" \# V5 K3 U9 ]
Latch-up 可以用簡單的話來解釋
6 {9 ?0 _+ m x% v; b1 [2 Q/ {& U- gpower & ground path 寄生BJT形成SCR電路( n6 w, ?! a/ `6 |
經由電源擾動....產生大電流的拴鎖現象
9 T8 l6 Q5 W5 x( h- T# n0 M, M1 y q. \造成pwer與ground的虛短路(可以畫一下寄生BJTs形成SCR的電路模型)( s' A& p( W: K, Y0 h1 x9 F. P
ESD討論版有篇關於latch-up的文章
1 `% l/ D* ~! I1 Q可以view一下剖面圖跟等效電路圖5 P: y1 T0 }2 M
由剖面圖跟等效電路圖就能推敲出3 r) {% K' b# M* l! H
latch-up該怎預防8 r. J& O% r1 }6 ?2 m$ O2 h
1.盡可能補上well-contact以及subtract-contact8 a' D7 h4 H S* K7 s
其用意是為了降低Rw跟Rs的阻抗.
2 g! b* R4 B0 r# {2.靠近PAD區域的circuit,pmos與nmos之間的距離拉開
; w, O0 n% M: J& y5 m" T% P2 ` 並且保持gurdring的完整.
4 `# t+ }' a$ ~ h (p,nmos拉開由剖面圖可看出Q1base跟Q2 collector之間的阻抗會增加 )
8 P }4 s) W+ a ^$ a q6 ?. D- w. }5 T& _ ?- J
若有解釋錯誤或是哪不夠詳細的, Q, x7 N0 J, T+ u# O; o) s+ o
歡迎大家一起討論 ^^
, q% F- }* ] j4 A6 n2 f& i" B
$ K3 }( n% Y0 O mPS: latch-up比較常發生在pad週遭....內部電路比較少發生' Y8 v* u, L! w& I' h
個人是認為...ESD發生時也有可能引起latch-up% c. J6 S( r4 P2 }1 B3 e: W
不知大夥的見解為何?! |
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