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標題: layout 的 metal 耐電流? [打印本頁]
作者: sjhor    時間: 2007-8-1 09:40 AM
標題: layout 的 metal 耐電流?
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!
# \" G/ B1 w6 Y) L1 H3 v: [$ j  s這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!
5 y! ]3 G0 O* b- D3 T要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!
$ g. z* J5 c+ H$ j# R% X不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!
' u+ X$ d/ T" M# n6 ]) G假如以下的狀況:
) W3 d$ t3 m0 b! c1. Peak current is 2A?" B! X$ @" J/ q& m6 B
2. Constant current current is 500mA?
作者: m851055    時間: 2007-8-1 09:06 PM
一般power mos之chip都很大，所以空間不足的情形，可以加大IC dim，缺點是cost up。
作者: jauylmz    時間: 2007-8-3 04:21 PM
如以 1um /1mA  來看，用4層metal 同時拉，應該用500um就行了吧
作者: finster    時間: 2007-8-7 10:19 PM
為了因應Power MOS的巿場8 P; w7 K+ l' b- y) t
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule- d* M! p  i* k; \8 y; E, T5 c1 q/ k
thick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多* T" x+ N4 h) M+ p! V, F/ `
thick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)



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