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標題: 我想請問高壓Cell的一些問題 [打印本頁]
作者: a223152209    時間: 2007-6-4 05:03 PM
標題: 我想請問高壓Cell的一些問題
我最近在看我們公司的Techology File 時(因為我沒畫過高壓元件) 發覺高壓的rule和正常的元件有所差別  高壓的比正常的還大  我的問題是& |( j+ Z* H: d6 v6 \( ~3 j# Y
請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
8 G3 G" Z! z: Y% p* [/ b9 X6 F另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道這表示{  左  上  右  下  }  我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢
, C- M, D. i# C) r7 V. s7 o請各位前輩或者知道的人幫我解答  非常感激
作者: jianping    時間: 2007-6-4 05:20 PM
THE  LAYOUT DEVICE OF HV , 有Asymmetric及symmetric兩種,如果symmetric的DEVICE就沒有 S及D端差別.
作者: wiwi111    時間: 2007-7-5 01:56 PM
在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢??
. z% @+ U1 L$ R, N2 d& _3 m
) w$ O  S0 Z$ P差別是如果你是off 狀態,則你要用到這pattern時會無法顯示,當然你要tape out 的gds file1 O: P2 f! g9 i6 o6 _0 H$ D
便不會正確,到時designer debug後是layout 的錯,那你可能就得準備換公司了,這是layout# [, x( m! p+ J' l
人員最不可犯的錯誤...................
作者: skeepy    時間: 2007-7-10 05:05 PM
補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
7 T. o8 v2 n1 p要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.
作者: skyboy    時間: 2007-7-12 12:07 PM
原帖由 skeepy 於 2007-7-10 05:05 PM 發表
. J  m2 E% }, s& K6 Z4 [8 v" b補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION8 }' c& C+ Y2 y8 Q) }$ i
要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

5 G6 G3 Z) I, q% U# J* w! Z5 _
% G( ?: D: U. u5 r" w/ m小弟也補充一點慘痛經驗...
, n4 O& d5 ?" Q( r* r* ?! L如果公司是第一次做, 有任何不確定的地方一定要問 designer, 如果 designer 也不很確定,
8 e$ \# B" k. H: L# a: g那一定要問 foundry....甚至是 layout 好了請 foundry 的人看一下....2 e* |; Z# p# @+ P7 ?4 D( x

; V7 b0 O; L& R: z( l1 [等到 T/O 了才要東補西補都是很痛苦的事情....
作者: spyang1119    時間: 2007-7-13 10:47 AM
標題: 回復 #4 skeepy 的帖子
同意~design rule K熟,就算tf & command file & foundry device有誤,layout都絕對不會錯
作者: jauylmz    時間: 2007-7-17 09:16 AM
>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  & ^: y; v) B+ f5 H* @  C
Ans : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧2 j# F4 W: n$ D1 z

: e3 P. N; j& t  `9 t>>另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道  I8 V& u, Y6 F# s
    這表示{  左  上  右  下  } ' T- \' @6 e  ^! t: }
Ans: 看你這樣寫很像是Laker TF 的 Format ,如果是，那它並不是你所說的 {左上右下} 的關係喔。, U: \- b, Y- r
        這點要注意。Laker Manual 上寫到那是 Repeat Pattern !!  請看附圖
4 ^- o2 k# j* ~. U! ?        { on  off   on  off  } 是對應到下面的 區域  後面就重複了，所以叫做 Repeat Pattern ( J! `2 J7 J- X/ x4 _  T7 F
        { OD Poly OD Poly }   
( e" L' s3 i) m" c& b0 {3 [6 n        {  1    2     3    4   }       在有 on 的 區域就會產生出你的 LB =>  Npuls layer 7 R7 ?) b4 F; I" V5 {, K

2 k/ g  l  G$ t4 R7 S4 z5 x! |' z>>我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再% G( ?6 v  e5 V, f; E, N
    畫layout十有什麼差別呢
. `. f- Q& e  R( BAns: 你如果選擇 off 的話，那在Create 這個Device時，他就不會產生Layer 在相對應的區域了。
作者: m851055    時間: 2007-7-21 08:24 AM
原帖由 jauylmz 於 2007-7-17 09:16 AM 發表 8 M0 @9 e* L5 C
>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢    m( G8 X- R2 c
Ans : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧
0 L& p) U( O5 ?' Y( ^; V9 H
% G0 `' v# D( U: A>>另一個問題是  為什麼Techol ...
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! A! _/ U4 z% p' @5 C4 R4 T0 G1 Z3 ~) Y4 c* g6 J

, @5 B7 @. m, ]8 j5 t6 O' m) h) s$ a1 R9 @9 R+ j$ _; I# k3 L
此圖設計是耐壓到16左右的設計，一般都用symmetric設計，很少使用asymmetric設計，除非空間不足。
1 C$ q; ~. {( r2 \. t) A& G在25V左右之耐壓一般又是另一種設計方法，有deep Nwell layer，相關layer約為16-18層。



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