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標題: 安森美半導體針對高能效開關式電源應用推出諧振模式控制器 [打印本頁]
作者: chip123    時間: 2007-5-23 08:28 AM
標題: 安森美半導體針對高能效開關式電源應用推出諧振模式控制器
內置高電壓端與低電壓端驅動電路，NCP1396為高能效顯示設備電源轉換器、高功率密度交直流電源適配器、遊戲機以及工業用電源帶來緊湊設計
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& F5 a# ]* v2 K2 A( \全球領先的高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）推出一款內置上橋臂與下橋臂閘極驅動信號的高性能諧振模式控制器NCP1396，這款元件為各種多樣化應用帶來高信賴度的高能效電源設計，包括平面顯示設備電源轉換、高功率密度交直流電源供應器、工業用電源以及遊戲機等。
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) s) m3 d9 ?1 W6 y9 i; eNCP1396的獨特架構包括一個500 kHz的壓控振盪器，由於在諧振電路結構中避開諧振尖峰相當重要，因此為了將轉換器安排在正確的工作區，NCP1396內置了可調整且精確的最低開關頻率，通過專有高電壓技術支持，這款控制器應用在能夠接受高達600 V本體電壓半橋式應用的自舉MOSFET驅動電路上。此外，可調整的無反應時間(dead time)可以幫助解決上方與下方晶體管相互傳導的問題，同時確保一次端開關在所有負載情況下的零電壓轉換(ZVS)，並輕鬆實現跳週期模式來改善待機能耗以及空載時的工作效率。   j6 v; a1 P' h: S0 y' f0 p) a

& b4 z4 J. J; Z$ c" QNCP1396具備多重保護功能，提供更好的電路保護，帶來更安全的轉換器設計而不增加電路的複雜度，NCP1396的各種強化保護功能包括有反饋環路失效偵測、快速與低速事件輸入，以及可以避免在低輸入電壓下工作的電源電壓過低偵測等。
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' e3 {6 a% L$ y& M8 E, U: P! W: g面向各種多樣化的電源應用設計，NCP1396提供有兩種版本選擇，NCP1396A主要面向大功率消費類應用設計，NCP1396B則適合工業用電源。 # O; ^" S1 ^3 M. A* Z

- n9 u* W1 J2 Y" ~) T9 }7 @% p# [GreenPoint™參考設計
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NCP1396取代NCP1395成為安森美半導體GreenPoint™ 220 W LCD-TV開放式電源參考設計的主要元件，參考設計提供完整文檔，包括說明書、電路圖、材料單、Gerber圖和評估指南，文檔包可以由www.onsemi.com下載(搜尋關鍵字: GreenPoint)，同時並提供相關業內信息和其他支持信息的鏈結。 * h; p6 h$ a) \
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封裝與售價* `1 [3 W9 A6 m0 m  \' y8 ?

/ F% }3 O, W9 h" C5 f! hNCP1396採SOIC-16封裝，每2,500片的批量單價為$1.60美元，此外也將在近期內推出PDIP-16封裝選擇。
作者: sjhor    時間: 2007-5-23 08:52 AM
上述的  datasheet (NCP1395 & NCP1396) 如 附件  (PDF file); v1 H2 X5 C7 x

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7 s+ F7 L: w# w4 N[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-5-23 08:55 AM 編輯 ]
作者: heavy91    時間: 2008-1-9 04:02 PM
安森美半導體新的大電流集成開關穩壓器提高電訊和數據通訊應用中嵌入式系統的功率密度
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NCP3101和NCP3102集成提供高效能和更高功率密度的6 A和10 A同步開關穩壓器，簡化嵌入式電源設計& ~4 e1 C( @; e3 q

% `+ ?3 y9 F! D) ^2008年1月9日 –全球領先的高效能電源半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出兩款新的開關穩壓器—NCP3101和NCP3102，簡化高密度應用中的嵌入式設計。這些器件提供新的集成度，使客戶能夠以嵌入式設計代替直流-直流(DC-DC)模組，降低系統成本，同時提升功率密度。8 g1 f4 f% V# @( S

& R3 \7 V* }; I/ h' U. N根據Darnell Group行業報告，電流在5到10安培(A)範圍的DC-DC模組正經歷着極大的變化和市場增長。雖然這個電流範圍的非隔離DC-DC轉換器模組市場不是在萎縮就是增速緩慢，但集成的轉換器/穩壓器IC市場在2006年到2011年間預計將增長16%。
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器件/ X6 K0 f$ }% B6 o* u& B

& J, ~" M) a' C- i* {2 q& cNCP3102和NCP3101都是集成型開關穩壓器，針對業界對高效能、高功率密度設計的需求。
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NCP3102這款10 A同步開關穩壓器，能夠為+5或+12伏(V)電源提供高效能的電源轉換。這器件內置的8毫歐(mW)高端場效應管(HS-FET)和8 mW低端FET (LS-FET)使典型的降壓轉換應用的效能超過92%。NCP3102還內置0.8 V電壓參考，用於如今所需要的低於1 V操作。/ R: m3 i" R, d' z4 {, E: q9 |5 x
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NCP3101這款與NCP3102針腳對針腳相容的6 A同步開關穩壓器，它的針腳相容能力使設計工程師調整他們的電源解決方案而無須重新設計其印制電路板(PCB)。舉例來說，在很多使用現場可編程門陣列(FPGA)的設計中，最終的功率需求直到設計週期的末期才能知曉。NCP3101提供真正的設計靈活性，令設計工程師可根據系統要求來向上或向下調整功率需求。2 E0 s: y9 R, ^) P% h3 L
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其他特性
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$ R5 `8 e5 v- d4 S: C．可編程軟啟動
  b* e4 p! u& A( g8 ?# C1 O+ O．逐週期電流限制8 ]+ K" Z" c: A' i) @0 O0 l3 f0 C  i
．可編程電流限制
1 v$ [+ l+ ~& H* p$ T# @7 h+ e2 d．6 mm × 6 mm QFN封裝" A% Q0 U/ G! [* c

( p; X3 `, w0 W& w7 T8 A0 c# F安森美半導體汽車及電源管理產品部全球銷售及市場總監鄭兆雄說：“NCP3101和NCP3102使客戶輕鬆地從現有的DC-DC模組轉到嵌入式設計，能夠快速輕易地降低系統成本。這對電流消耗通常較高的FPGA設計，或對我們當前使用DC-DC模組或其他昂貴集成解決方案的客戶來說，尤為真切。在某些案例中，我們新的解決方案幫助客戶降低系統成本多達50%。”
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9 }: k; d. g/ u2 X, A; c% g商業溫度等級的NCP3102和NCP3101，及工業溫度等級的NCP3102B和NCP3101B已供貨。NCP3102和NCP3101採用6 mm × 6 mm QFN封裝，每10,000片批量的單價分別為1.90和1.75美元。: _, L5 g  d- H/ a
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[attach]2509[/attach]
作者: heavy91    時間: 2009-6-15 04:30 PM
安森美半導體推出相容I2C及SPI的高精度數位電位計
256抽頭數位可編程電位計(DPP™) IC提供50 kΩ及100 kΩ電阻選擇，穩定度及可靠性更高
2009年6月15日 –
, v7 s  u+ }; I( H* E全球領先的高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充數位可編程電位計(DPP™) IC系列，推出整合了I2C及串列外設介面(SPI)匯流排連接的新的高精度元件。這些新的DPP為機械式電位計提供了低雜訊、可靠及節省空間的另一選擇，用於從儀器和工業自動化到電池供電的可攜式設備的廣泛應用。$ F. Z0 M) e% w
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安森美半導體的CAT5171和CAT5172是單通道、數位可編程線性電阻分佈特性(linear taper)電位計，提供256個抽頭(tap)位置的精度。這兩款元件分別藉I2C和SPI介面提供電阻觸點(wiper)設置的數位控制，且兩款元件都提供50千歐姆(kΩ)和100 kΩ的端到端電阻選擇。
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CAT5171和CAT5172對機械振動、撞擊、氧化、灰塵及污垢均不敏感，勝於機械式電位計。它們都有每攝氏度百萬分之一百(100 ppm/ºC)的低溫度係數，因此在更多不同的環境下比機械式電位計更穩定和更可靠。
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這些新的的DPP非常適合音量控制、照明控制、液晶顯示(LCD)螢幕調節及其它需要電子控制關鍵參數的電路。此外，這些元件也為射頻(RF)放大器偏置和增益控制提供靈活的解決方案。 , \0 S5 f3 u; E8 u, Z9 ]6 q# ?

" f2 W3 d2 [& j安森美半導體的CAT5171和CAT5172額定用於-40 ºC至85 ºC的完整工業溫度範圍，在2.7伏(V)至5.5 V範圍的單電源電壓工作。上電(power-up)時，電阻觸點預定處在中跨(mid-span)位置，電源穩定後的任何時候，都可以重新調整這電阻觸點的位置。兩款元件的工作電流僅為2微安(μA)。. S: J0 ]+ w# `

4 ~. _) o8 \9 Z$ A封裝及價格
+ t2 n3 U- F' Z5 h5 l* D. l* WCAT5171和CAT5172數位可編程電位計採用無鉛、符合RoHS指令的8引腳SOT-23封裝，尺寸僅為2.9 mm x 3.0 mm。每10,000顆批量的單價為0.60美元。現提供樣品。目前的預計量產交貨時間為收到訂單後的8至12周（自動循環購貨 ARO）。
作者: heavy91    時間: 2009-8-10 05:15 PM
安森美半導體精密類比創新水準，
推出超低耗電、高精度類比電壓參考IC
CAT8900元件提供高至0.02%的精度，電源電流低至800 nA，為測試設備及可攜式系統提供高精度性能

8 a, j9 s) k$ D& V0 {6 c2009年8月10日 - 全球領先的高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)的高成本效益精密類比創新水準，推出CAT8900高精度電壓參考積體電路(IC)系列。CAT8900系列結合極高的初始精度、低電源電流消耗及穩定的溫度係數，使測試設備及電池供電的可攜式數據採集系統提供高精度的性能。
1 |/ S1 o6 I3 d: Q5 O 3 A3 q$ Y' T( U0 ?' d3 p. Y) V
CAT8900 IC系列提供高精度電壓參考，初始精度高達0.02%[± 0.5毫伏(mV)]，穩定的溫度係數達每攝氏度百萬分之二十(20 ppm/ºC)，同時維持極低的電源電流消耗，最大值僅800毫微安(nA)。低電流消耗使CAT8900電壓參考IC持續保持供電，及最低的電池負載。這些元件的低耗電結合極高的初始精度和溫度穩定性非常適合替代廣泛可攜式應用中的高耗電、更高成本的帶差參考，包括手持醫療設備、高精度類比數位轉換器(ADC)和數位類比轉換器(DAC)，以及精密穩壓器系統。
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. c' T& D/ z- r8 ], rCAT8900系列備有9款電壓參考選擇：1.024伏(V)、1.200 V、1.250 V、1.800 V、2.048 V、2.500 V、2.600 V、3.000 V及3.300 V，安森美半導體還可根據客戶要求提供定制的電壓。每款電壓參考IC均有4種精度等級：±0.5 mV、±1.0 mV、±2.5 mV和±5.0 mV。這系列元件流出(source)或流入(sink)達10毫安培(mA)的負載電流，壓降低至50 mV。在大多數應用中，它們不需輸出旁路電容。  ) |  [3 H# c* N! W7 E% f! b! a

7 T# _9 o% s9 v% b4 F封裝和定價, Q2 l' H& i4 ?. o# a8 Y/ _  j& d0 j
CAT8900精密電壓參考採用無鉛、符合RoHS指令的3針腳SOT-23封裝。每10,000顆批量的單價：初始精度為±5.0 mV的版本為0.60美元；初始精度為±2.5 mV的版本為0.92美元；初始精度為±1.0 mV的版本為1.55美元；初始精度為±0.5 mV的版本為2.44美元。公司已提供樣品。目前的預計量產交貨時間為收到訂單後的8至12周(自動循環購貨)。
作者: chip123    時間: 2010-1-29 02:55 PM
標題: 安森美半導體時脈管理產品系列增加新的時脈和數據驅動IC
低壓驅動器為數據通訊和電信設備製造商提供更高的數據率和更高等級的訊號完整性  * r6 T/ z5 K9 X0 d/ \

/ ~* f2 \* _% E" V- l5 t9 Y) g) |! ~2010年1月29日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣佈擴充公司的時脈驅動器系列，推出NB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M差分2：1多工器輸入至1：6元件，以及帶均衡功能的NB6HQ14M和NB7HQ14M 1：4扇出時脈/數據驅動器。
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NB6HQ14M和NB7HQ14M高性能差分1：4電流模式邏輯(CML)時脈驅動器中整合了可選擇的等化器接收器。當與工作資料率高達6.5 Gbps或10 Gbps的數據通道串聯佈置時，輸入將補償退化的訊號，輸出4個相同的原始輸入訊號的CML副本。通過降低由銅互連或長線纜損耗導致的碼間干擾(ISI)，串列數據率因此得以增加。 : [' `* T! x+ t$ }3 l

* }, W5 {" r0 s5 l% _9 KNB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M是Gigacomm™系列的最新元件，提供整合了2：1多工器與1：6扇出緩衝器的新的2：1：6功能。NB7L585和NB7L585R是2.5 V/3.3 V元件，分別提供400毫伏(mV)峰-峰值低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)輸出或降低擺幅射極耦合邏輯(RSECL)輸出。NB7L585工作速率為5 GHz或8 Gbps，NB7L585R工作速率為7 GHz或10 Gbps。
作者: chip123    時間: 2010-1-29 02:55 PM
NB7V585M是一款超低電壓元件，採用1.8 V/2.5 V電源工作。NB7V586M採用超低的1.8 V電源工作，提供6路輸出，配置為3組(bank)，每組含2個差分對。每組輸出能夠靈活地採用任何1.8 V或1.2 V電源組合來供電。這兩款元件工作的時脈/數據率均達6 GHz/10 Gbps。 * `* b2 ~5 R2 f& `, U

7 t# u7 _' Z$ c, p+ ^這些時脈驅動器達到的規範使它們非常適合用於同步光網路(SONET)、千兆位以太網(GbE)、光纖信道(FC)、背板及其它時脈/數據分配應用。每款元件的環境工作溫度範圍為−40℃至+85℃。 , m6 w' b6 J# _  c! D! V5 E" a! j

) ?+ m4 f) @- }% n" q6 v安森美半導體時脈和數據管理業務部總監Prescott Sakai說：「電信交換機、伺服器和路由器的系統設計面臨著壓力，要支援不斷增多的時脈和數據介面及電壓電平，同時不犧牲訊號品質。我們公司的新時脈驅動器提供帶均衡特性的新的整合功能，支援不同的介面和低壓電平選擇。這些元件在競爭供應商完全不能匹敵的資料率維持更高的訊號完整性。」
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7 N) i) g  S1 f' [) ?封裝和價格2 d! p. S" ], {; C

5 l2 x2 I* H: l2 D$ N9 qNB7L585、NB7L585R、NB7V585M、NB7V586M、NB6HQ14M及NB7HQ14M每1,000顆批量的起價為5.25美元。這些元件採用低高度的3 mm x 3 mm 16引腳或5 mm x 5 mm 32引腳無鉛QFN封裝。現提供樣品。
作者: heavy91    時間: 2010-3-2 11:46 AM
安森美半導體推出用於高能效緊湊型適配器方案的固定頻率電流模式控制器 7 a; y$ W2 _$ |* _' l% ^* @
控制器為寬範圍AC-DC適配器應用提供高能效及低待機能耗
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2010年3月2日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出NCP1237、NCP1238及NCP1288固定頻率電流模式控制器積體電路(IC)。這些新控制器針對膝上型/筆記型電腦、液晶顯示器(LCD)、印表機及家用消費電子的交流-直流(AC-DC)適配器應用，提供不同頻率及單或雙過流閾值電平的選擇。標準元件內置65千赫茲(kHz)振盪器，並可根據要求提供100 kHz或133 kHz版本。' ^0 M" j8 b, X8 W( T7 |3 w; ?& a

! I8 Q4 T, G5 F- x4 Q& g這些IC採用了專有的軟跳週期(Soft−Skip™)模式，在跳週期模式期間漸進增加峰值電流 ，降低可聽噪音的風險，從而節省更多的元器件，並簡化變壓器的設計和製造。這些新控制器結合跳週期和頻率反走功能，在輕載條件下提供高能效等級，同時將空載條件下的輸入能耗降至最低。 : ]/ ~( _* q2 L0 M
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NCP1237和NCP1238的動態自供電(DSS)功能提供整合啟動電流源，靈巧地處理啟動及線路瞬態事件，簡化輔助電源設計，減小供電電壓(VCC)電容尺寸。為儘量減少外部元件數量，這些控制器整合了輸入欠壓、超載補償及斜坡補償功能，以便緊湊型方案的設計。
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這些新的固定頻率電流模式控制器IC工作溫度範圍為-40°C至+125°C，採用緊湊型SOIC-7封裝。
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% u$ R( s4 p8 j; o安森美半導體電源及可攜式產品全球銷售及營銷資深總監鄭兆雄說：「隨著電費不斷上升，以及人們持續關注環境，竭力以最高的能效比率使用電力至關重要。NCP1237、NCP1238及NCP1288是高整合度方案，使工程師可開發高可靠性的電源系統設計，且物料清單(BOM)成本低，以及在產品在待機模式時不浪費電能。」
作者: chip123    時間: 2010-4-9 12:14 PM
安森美半導體擴充高壓功率方案系列，推出帶整合蕭特基二極體的30 V N通道功率MOSFET $ w; z$ A' D* d, M1 ^( F
創新的單片設計提供更高的系統能效及更低的電磁干擾(EMI)噪聲
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2010年4月9日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充N通道功率MOSFET元件陣容，新推出帶整合蕭特基二極體的30 V產品。   z( D. n' R7 {4 h) }" ?
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NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及12.2 nC，確保開關損耗也保持最低。  ; a- ^2 g: t7 B, m  t

/ s+ R# S8 P* c# f, k) t0 F3 n安森美半導體這些新的功率MOSFET典型應用包括用於伺服器、電信網路設施、個人電腦(PC)、筆記型電腦及遊戲機的直流-直流(DC-DC)轉換、負載點(POL)轉換及低端開關操作。  
* n: L2 M- i3 Q, Q# Q# X0 W$ I/ I. N
& t- G, ~7 A" K9 q$ b4 ?. }安森美半導體功率MOSFET業務部副總裁兼總經理Paul Leonard說：「整合蕭特基二極管借助於整合在與初級FET結構相同的裸片中，減小死區時間導電損耗，因而提升能效及改善波形。這些新的元件為客戶提供更寬陣容的產品及方案，解決他們獨特的設計挑戰。」 * E+ N! H% G3 b: x  b0 K

7 T2 C" }4 t, ]1 i& s封裝及價格
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3 `! E3 a  G8 H  SNTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均採用符合RoHS指令、低熱阻抗的緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝。這些元件每10,000顆批量的價格為0.45美元至0.90美元。
作者: heavy91    時間: 2010-4-27 04:44 PM
安森美半導體推出新的時脈和數據多工器產品，優化實現高速、低功耗設計
  l. H$ }) K( `& [; l- ^; E6 S. d新元件滿足更快資料傳輸率、更高時脈頻率而無損訊號完整性的要求
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2010年4月27日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充多工器產品陣容，新推出NB6VQ572M、NB6LQ572、NB7L572、NB6L572M、NB7LQ572、NB6LQ572M、NB7VQ58M和NB7V58M 多工/扇出元件，可在高輸入速率/時脈頻率下工作。這些新元件均適用於SONET、千兆乙太網、光纖通道、背板及其他時脈/數據分配應用。
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) G  B8 E) h. s$ G: MNB6VQ572M和NB6LQ572M高性能差分4:1時脈/數據輸入多工器帶有1:2電流模式邏輯（CML）時鐘/數據扇出緩衝器，運行電源電壓為1.8 V、2.5 V或3.3 V，工作速率高達9 K/ [0 ^  E: W1 U' r) S5 n
6 GHz/8 Gbps。新元件具有小於10 ps的數據相關抖動，以及小於0.8 ps RMS的隨機時脈抖動。 / ~7 S2 m6 e# u$ q9 {
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NB7L572和NB6LQ572高性能差分4:1時脈/數據輸入多工器具有1:2的低壓正射極耦合邏輯（LVPECL）時脈/數據扇出緩衝器。該元件的差分INx/Inxb輸入包括內部50 Ω（歐姆）終端電阻，並可接受差分LVPECL、低壓差分訊號（LVDS）或CML邏輯電平。同時，這些元件還整合了一對可選引腳，可以從4個差分輸入中選擇其一，並為速率高達7 GHz/10 Gbps的時脈或數據產生兩個相同的LVPECL輸出備份。NB6L572M和NB6LQ572M補充了該產品陣容。前者擁有1:2的CML時脈/數據扇出緩衝器，運行速率高達6 GHz/8 Gbps；後者支持相同的速度，但每一個輸入對都整合了一個固定均衡器接收器，以提高通過FR4 PCB背板或電纜互連傳輸的降級訊號。
作者: heavy91    時間: 2010-4-27 04:44 PM
NB7VQ58M高性能差分2:1時脈/數據多工器也有一個可選的均衡器接收器。當與運行速率高達10.7 Gbps的數據路徑串聯時，它可以補償降級訊號，創造一個更加開放的眼圖，實現標準FR4以上的更高資料傳輸率。NB7V58M 2:1時脈/數據多工器的差分輸入整合了內部50 Ω終端電阻，通過VT引腳進入。這個特性讓元件可接受LVPECL、CML和LVDS邏輯電平標準。NB7V58M的時脈/數據抖動最小，並可在7 GHz/10.7 Gbps的速率下工作。每個元件的工作溫度範圍均為-40 ⁰C至 +85 ⁰C。
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安森美半導體時脈和數據管理產品總監Prescott Sakai 表示：「工程師期望實現更高的時脈速度和資料傳輸率，但又須確保無損訊號完整性。這些新的時序元件支援現代系統設計需要的高速資料傳輸率，同時保持低抖動，並補償訊號損失。」 ! g9 i! o; O8 g3 t  O
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封裝及價格
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NB6VQ572M、NB6LQ572、NB7L572、NB6L572M、NB7LQ572和NB6LQ572M均採用5 mm x 5 mm QFN-32封裝。NB7VQ58M和NB7V58M採用扁平3 mm x 3 mm QFN-16封裝。這些元件每1,000顆批量的價格為6.5美元。
作者: heavy91    時間: 2010-5-6 08:44 AM
安森美半導體推出用於運算及消費應用的高能效同步整流驅動器8 f, k: K& d5 O4 y
高整合度、豐富特性的元件提升開關電源設計的電源能效等級 # ]! U: w! Y5 }' T: N- x6 |/ v
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2010年5月5日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充產品系列，配合下一代電源系統設計。NCP4303A和NCP4303B是全功能同步整流控制器及驅動器積體電路(IC)，用於ATX電源、平板電視、大功率交流-直流(AC-DC)適配器和遊戲機等應用中的開關電源(SMPS)。它們的獨特特性為開關電源次級端整流提供高效及靈活的方案。 # }3 J/ b* y- L  a3 ?# h
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安森美半導體AC-DC電源轉換產品業務部經理Christophe Warin說：「在提升電源能效方面，工程師們面臨著比以前更大的壓力。NCP4303產品系列提供獨特的特性，如我們的專利MOSFET寄生電感補償技術。此特性為優化同步整流系統能效提供了一種新方法。」
作者: heavy91    時間: 2010-5-6 08:44 AM
這些新IC能支援500 kHz的最大工作頻率，提供大電流門驅動器及高速邏輯電路，用於為同步整流MOSFET提供時序恰當的驅動訊號。典型值40 ns的極短關閉延遲時間，結合驅動器大汲電流(sink current)能力和自動封裝寄生電感補償系統，使同步整流MOSFET導電時間延至最長，從而提升開關電源能效。 * t2 m5 m( z% G+ d7 R2 N
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外部可調節的最小導通和關閉時間(取決於Vcc電平)幫助解決由印刷電路板(PCB)佈線及其它寄生元件導致的振鈴問題，因而提供可靠及無噪聲的工作。NCP4303還具有觸發器輸入，可用作接口連接電源的初級端，能用於恆流應用。  
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! y! @, \9 h" w& G. \NCP4303提供兩種不同的門驅動鉗位電壓，配合市場上不同同步MOSFET的特性。NCP4303A門驅動鉗位元電壓為12 V，而NCP4303B的門驅動鉗位電壓為6 V。這些通用元件能用於不同電源拓撲結構，如反激、正激和半橋諧振雙電感加單電容(LLC)。
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封裝和價格
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NCP4303A和NCP4303B都採用無鉛8引腳SOIC封裝供貨，每10,000顆批量的單價均為0.43美元。
作者: heavy91    時間: 2010-5-28 03:06 PM
安森美半導體推出IPD2製程技術，結合HighQ™性能和小尺寸，用於可攜式電子應用( b4 _6 L; _6 I
輔以設計工具和快速原型製造的先進矽銅工藝，可快速開發高性價比的射頻前端產品
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2010年5月28日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的整合無源元件(IPD)製程技術——IPD2。這項新的製程是公司增強既有的HighQ™矽銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精度、高性價比的整合無源元件，用於可攜式電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。
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HighQ™ IPD2製程是安森美半導體訂製代工部眾多創新製造服務之一，採用先進的8吋晶圓技術，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用於最新可攜式和無線應用。以IPD2為根基的設計為電路設計人員提供重要優勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同於延長電池使用時間)。. h, Y. }- ~5 e1 y8 k

. y4 h- b( n6 i; V& A安森美半導體為其IPD2製程技術提供全功能設計工具和設計支援，以及快速的原型製造能力，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估，不管他們複雜度較低的分立或整合印刷電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，或是以更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)為基礎的IPD是否適合轉換至IPD2製程。 . w7 U; C/ W+ ^, ^

8 C( d4 t. I# L% v1 ]2 g安森美半導體訂製代工部資深總監Rick Whitcomb說：「在高性價比、小尺寸和低插入損耗的平臺上整合無源元件，能為電池供電可攜式電子產品設計人員提供極有用的方案。我們以全套設計工具和技術配合這項新製程，能夠幫助客戶以最短的時間和最大的信心，從效用相對較低的技術轉換至我們的IPD2製程。”
作者: atitizz    時間: 2010-6-14 03:36 PM
標題: 安森美半導體收購Sound Design Technologies, Ltd.
安森美半導體收購這間加拿大公司，鞏固其在助聽器及音頻處理應用的超低功耗DSP技術領先供應商的地位 : U' X9 i  m" w) z: i
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美國亞利桑那州費尼克斯 – 2010年6月14日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）宣佈，已自Global Equity Capital LLC的附屬公司收購其私人持有的Sound Design Technologies, Ltd.（SDT），初步對價2,200萬美元，全數以現金支付。$ m6 t' H8 f% `( y6 `
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根據收購條款，其中如SDT於2010年、2011年及2012年能達到特定收入額，賣方亦將可獲得最多1,000萬美元額外收購收益。初步對價約為SDT 2010年第一季度的年度化銷售額。SDT將被納入安森美半導體位於加拿大安大略省滑鐵盧的醫療部。 8 Q+ V8 {! h( W9 [. G4 C7 _9 N
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安森美半導體醫療部副總裁唐舜強（Robert Tong）說：「收購Sound Design Technologies有助鞏固我們在助聽器及音頻處理應用超低功耗數位訊號處理（DSP）技術的領先供應商地位。此外，收購也增強公司的人才，並為我們的聽力市場增添一支經驗豐富的設計及應用工程生力軍。SDT在晶片級電容及高密度封裝的先進製造技術亦將有助我們擴充提供先進高度微型化封裝技術的實力， 對助聽器及同樣講究產品尺寸與醫療級品質的應用極為關鍵。」
作者: atitizz    時間: 2010-6-14 03:36 PM
Global Equity Capital營運執行副總裁Michael Hirano說：「將SDT的尖端技術與安森美半導體遍及全球的營運規模及行業專長相結合是我們商業進程中的自然發展，也將為SDT的客戶帶來更先進的聽力產品。」 * J# I* W; R5 V# s1 u

: e/ X& e$ L$ d& f) LSDT是助聽器及可攜式電池驅動DSP設備超低功耗半導體方案的領先設計及製造商，也是用於訂製微型封裝的先進高密度互聯技術的領先供應商。SDT位於加拿大安大略省Burlington市，擁有37年發展創新微型聽力處理器的歷史。2007年，Gennum Corporation的聽力產品及製造被收購組成SDT。更多訊息請訪問www.sounddesigntechnologies.com。 0 E% I( ~, J) j7 T7 N* t4 j
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關於Global Equity Capital, LLC
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Global Equity Capital LLC （GEC）是一家私募股權公司， 主要在中小型市場交易以豐富的營運經驗去創造價值。GEC為公共及私人企業快速和靈活地出售非核心資產、改善企業的財務和營運狀況，以及協助成長中的企業物色業務及財政資源。GEC由經驗豐富的團隊領導，多年來在其投資的公司為股東及管理層創造重要價值的業績輝煌。GEC總部位於科羅拉多州 Boulder市。更多訊息請訪問www.globalequitycap.com。
作者: tk02376    時間: 2010-6-24 01:48 PM
安森美半導體推出採用緊湊SOIC-8封裝的高能效同步穩壓器( U2 _$ ?) h1 j" K" @) @, E
新穩壓器經過特別優化，滿足消費電子高能效電源系統設計的需求 ! W6 O" F+ C0 }
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2010年6月24日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高能效2安培(A)至4 A整合同步穩壓器新系列，應用於消費電子，如機上盒(STB)、數位影像光碟(DVD)/硬碟驅動器、液晶顯示器/液晶電視、免持聽筒電話、纜線數據機和電信/數據通信設備。
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NCP3125、NCP3126和NCP3127是同步脈衝寬調變(PWM)開關降壓穩壓器，整合了高端和低端MOSFET，分別能夠提供2 A、3 A和4 A的連續輸出電流。這些新元件為整合開關提供極低導通阻抗(RDS(on))，帶來高能效的系統方案。NCP3125整合了60毫歐(mΩ)的高端MOSFET和36 mΩ的低端MOSFET，提供高於90%的系統級能效。這三款新元件在+5伏(V)至+12 V的輸入電源下，全都能夠產生低至0.8 V的輸出電壓。所有三款元件都引腳對引腳相容，使設計人員能夠在產品開發過程中靈活地增大或減小輸出電流，或快速在新設計中重複採用， 以加快產品開發。這些元件支援−40 °C至+125 °C的工作接面溫度。
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安森美半導體電源開關產品總監John Blake說：「這些新元件與使用由一顆控制器整合電路(IC)及獨立MOSFET的分立元器件方案相比，使設計師能完成更高密度的電源設計。我們新系列提供的能效等級超越市場上的整合穩壓器競爭產品。因此，設計團隊將能夠以更小巧緊湊的整合方案，設計出更高性能基準的電源。這是我們的關鍵實力，令客戶可加強他們的設計，符合不同消費電子產品的新能效標準。」 & `4 }* I- C' ^0 R( o) I1 x. K0 f
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NCP3125、NCP3126和NCP3127元件採用SOIC-8封裝，每10,000顆批量的單價分別為0.40、0.35和0.30美元。
作者: heavy91    時間: 2010-7-14 02:00 PM
安森美半導體擴充PureEdge™時脈和時序產品陣容，推出低噪聲矽VCXO方案新系列
/ c' r% R' e; l8 dNBVSBAxxx新系列的性能和性價比均比表面聲波或石英壓控晶體振盪器有優勢  
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2010年7月14日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的PureEdgeTM系列矽壓控晶體振盪器(VCXO)。新的NBVSBAxxx系列提供比市面上其他方案更低的成本和超低的抖動和相位噪聲，非常適合應用於講究低抖動及穩定參考時脈的設計， 例如網路、同步光網路(SONET)、萬兆位以太網(10 GbE)、基地台和廣播設備等。
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8 o$ V  {, W0 ^0 r$ p9 CNBVSBAxxx元件的設計符合2.5 V和3.3 V低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)時脈產生應用的要求，提供0.5皮秒(ps)低抖動的參考時脈。它們由於能以2.5 V或3.3 V電源供電，所以提供了設計靈活性及簡化了產品物料清單(BOM)，進一步降低系統成本。此系列元件使用高Q基礎模式可拉(pullable)晶體和鎖相環(PLL)乘法器，提供60 MHz到700 MHz的寬範圍業界標準頻率，以及
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±100 ppm的確保可拉範圍和±50 ppm的頻率穩定性。NBVSBAxxx振盪器提供三態啟用/關閉特性，使用戶能夠在-40 °C到+85 °C的完整工業溫度範圍內導通或關閉輸出。
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安森美半導體時脈和數據產品總監Prescott Sakai說：「基於表面聲波(SAW)或石英的壓控時脈振盪器面市已久，性能和成本達到了極限。安森美半導體基於矽的PureEdge™元件應運而生，成為當前及未來設計的優異選擇。此新系列元件與現有方案相比，提供同等甚或更佳的總體性能，更靈活的設計，還降低成本，縮短交貨週期時間。」
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! D) T8 m' ]! y" ~! y# z* ]5 I6 fNBVSBAxxx元件採用密封式5.0 mm x 7.0 mm x 1.9 mm陶瓷CLCC-6表面貼裝元件(SMD)封裝，每1,000顆批量的預算單價為6.50美元。
作者: atitizz    時間: 2010-8-19 10:45 AM
安森美半導體推出緊湊型PLC方案降低元件數量及應用成本 符合包括CENELEC在內的全球規範標準
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2010年8月18日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出一款新的線路驅動器件NCS5650，用於智慧型電表、工業控制和街道照明等電力線載波(PLC)通訊應用。NCS5650是一款高能效、低失真的AB類驅動器，專門用於驅動電力線路主電源(mains)，能夠接受源自任何PLC調制解調器的訊號。3 d- \, @$ X# }

: P. L! W9 B) o5 G2 s3 wNCS5650包含一個運算放大器，能配置為均一增益(unity gain)跟隨緩衝器，或另行用作提供第一段的4點低通濾波器。輸出段能夠驅動高達2.0 A峰值電流，經隔離變壓器或簡單的線圈耦合至主電源。在輸出電流為1.5 A時，輸出電壓確保在任意輸入端以1.0 V或更低的擺幅擺動，確保在嚴格的環境中提供最優的訊噪比(SNR)。NCS5650在關閉模式僅消耗150 µA電流。可選用的電源包括單端6 V至12 V電源和雙平衡±3.0 V至±6.0 V電源。
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1 z2 t0 j. R8 h3 A. z$ TNCS5650提供獨特的全功率頻寬特性，可在世界任何地區的PLC網路中工作，同時符合歐洲電工標準化委員會(CENELEC)等區域性PLC頻率頻寬規範標準。
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+ [: x# q+ D4 ^6 F# R此元件支援−40 °C至+125 °C的擴展結溫度範圍，採用帶裸露熱焊盤的緊湊型QFN封裝，提供更高的熱耗散性能，以及更強的熱可靠性，幫助對成本敏感的設計人員進一步降低物料清單(BOM)成本。
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NCS5650採用緊湊型20引腳4 mm x 4 mm x 1 mm無鉛QFN封裝，每10,000顆批量的單價為3.73美元。( O7 ~  v& J" c2 h

( G1 B# k  I- D3 P0 i安森美半導體音頻、視頻和介面產品分部總經理Simon Keeton說：「電力線通訊的問世使公用事業公司能夠為他們的配電網路增加更高等級的功能，從而讓消費者更能掌握他
# E" }9 [7 [( Y5 K) h們的能耗。與諸如安森美半導體AMIS-49587這樣的領先擴頻型頻移鍵控(S-FSK) 調制解調器一起使用時，NCS5650用作自適應的PLC通訊方案，提供理想的性價比。利用這方案的設計能夠獲得整合度更高的優勢，使元器件數量更少，總體BOM成本更低。」
作者: atitizz    時間: 2010-11-10 07:46 AM
安森美半導體新元件配合開發高能效的下一代可攜式及消費電子產品
, A1 M7 F: f4 _! V7 K5 X公司推出用於寬廣範圍可攜式及消費應用的整合D類音訊放大器和限流開關產品/ K0 {5 G* \; N# [0 X& J, P

# y- W5 g4 b) `1 S# z0 E9 Z. @2010年11月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出設計用於配合可攜式及消費電子應用的4款新產品。
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( B5 [0 C! G0 W" c. e安森美半導體為可攜式及消費應用提供寬廣範圍的電源管理、保護、音訊及視訊方案。安森美半導體注重以低高度、小占位面積的封裝提供整合、低功耗和高能效，以配合智慧手機、個人媒體播放器(PMP)、數位相機、液晶電視、機上盒和DVD播放機等當前及未來可攜式及消費產品的需求。  
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安森美半導體在2010年慕尼黑電子展推出的可攜式及消費類產品8 k# r4 Q# J0 ^9 {
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NCP2704音訊子系統積體電路和NCP2824低噪聲D類放大器是安森美半導體推出的最新音訊產品。此兩款元件因應設計人員的可攜式功率放大器要求，提供高能效和節省空間的方案。 1 l/ z) W1 j. l( F
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NCP2824是低電磁干擾(EMI)的D類放大器，帶有自動增益控制(AGC)和功率限制器功能。NCP2704是一個子系統，整合了低噪聲D類放大器與極低功率耳機放大器，延長電池使用時間從而延長了音訊播放時間。兩款元件都提供近90%的總能效，其設計涵蓋手機、行動上網設備及車用免持聽筒套件等寬廣範圍的可攜式電子設備。
作者: atitizz    時間: 2010-11-10 07:47 AM
兩款元件都提供“不消波”(non-clipping)功能，在輸入端施加了過量訊號時，自動減小放大器的增益，從而限制訊號失真。這種調節通過晶片內置的自動增益控制(AGC)電路來實現。功率限制器功能限制放大器的輸出功率，保護揚聲器免受過高音量導致的損傷。兩款元件的自動增益控制功能均可調節。 5 g, S" L2 j3 Q2 c- e0 t$ F1 h
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NCP2824使用單線介面來簡化設計。NCP2704則藉I2C協定提供豐富的控制功能，用於調配自動增益控制、訊號多工及電磁干擾(EMI)降低等級，從而符合系統要求。& V; }9 C$ O1 X* }: b
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安森美半導體新的NCP380和NCP382分別是單輸入/單輸出和單輸入/雙輸出限流分配開關，其設計用於很可能出現大的電容性負載及短路的通用序列匯流排(USB)端口，典型終端應用包括筆記型電腦/桌上型電腦、集線器、機上盒(STB)、電視和遊戲機類產品。在輸出負載超過限流閾值或出現短路時，這兩款新元件切換至恆流模式，將輸出電流限制在理想的電平。這兩款功率開關的上升和下降時間受到控制，從而將切換期間的電流振鈴減至最小。更為重要的是，極短檢測時間使元件能夠限制極大的輸入電流。/ j% Y" J# N* S% i; J
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NCP382整合了2顆80毫歐(mΩ)的MOSFET，採用DFN8 3 mm x 3 mm或SOIC-8封裝，擁有內部固定為500毫安(mA)、1,000 mA或1,500 mA的限流閾值。NCP380則併入單顆
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70 mΩ MOSFET，提供UDFN6、TSOP-5或TSOP-6等不同封裝選擇。NCP380的限流閾值同樣固定為500 mA、1,000 mA或1,500 mA，或者也可由用戶通過外部電阻在100 mA至1.5 A範圍之間調節。
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NCP380和NCP382的工作電壓範圍為2.5 V至5.5 V，包含軟啟動、軟關閉、熱保護及反向電壓保護等特性。兩款元件都符合IEC61000-4-2(4級)標準，結工作溫度範圍為-40°C至+125 °C。
作者: heavy91    時間: 2010-11-17 06:14 PM
標題: 安森美半導體進一步擴充時序元件陣容，推出新的VCXO模組
新的NBVSPAXXX元件提供LVDS差分輸出、±50 ppm的頻率穩定性及僅0.5 ps的抖動，非常適合通訊基礎設施應用 7 T2 U+ q" J" Q
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2010年11月17日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充其PureEdge™矽壓控晶體振盪器(VCXO)系列，推出6款新元件。 : q! S/ {; s3 ?, H% f

- e4 e7 j6 K' s4 R) A* RNBVSPAXXX系列VCXO時鐘模組的設計用於滿足當今3.3 V低壓差分訊令(LVDS)時鐘產生應用的精確要求。這些高性能元件採用高Q基礎模式可拉(pull-able)晶體及鎖相環(PLL)乘法器，提供所有業界標準輸出時鐘頻率，旨在用於網路路由器、交換器、伺服器及基地台等通訊基礎設施。 " B$ G; L7 H  H2 }
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NBVSPA017元件支援156.25 MHz頻率，NBVSPA018支援155.52 MHz，NBVSPA019支援125.00 MHz，NBVSPA024支援160.00 MHz，NBVSPA027支援148.50 MHz，NBVSPA042支援74.25 MHz。安森美半導體還可根據客戶要求提供頻率範圍在60 MHz至700 MHz之間的訂製頻率版本。
作者: heavy91    時間: 2010-11-17 06:14 PM
這些新元件提供±100 ppm的可拉範圍、±50 ppm的可選訂頻率穩定性，以及在12 kHz至20 MHz頻率範圍內僅0.5皮秒(ps)的典型抖動，典型輸出上升時間(從20%到80%)為245 ps。0 P9 p3 a. s0 M" N! C' [
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NBVSXXXX系列中的VCXO在衝擊(shock)、振動(vibration)及熱強固性方面完全符合全球行業內公認嚴格的MIL-STD-833美國軍用標準。每款元件都支援−40 ⁰C到+85 ⁰C的工業工作溫度。這6款新元件是安森美半導體繼今年夏天推出NBVSBAxxx系列的低壓正射極耦合邏輯(LVPECL) VCXO之另一新猷。  
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安森美半導體時鐘及數據產品部總監Prescott Sakai說：「通訊系統設計不斷要求更加先進的時序方案。基於石英的傳統產品已使設計受到性能和成本的嚴重限制。安森美半導體完備的NBVSXXXX矽基VCXO元件提供與基於石英的常用產品同等的性能，但交貨週期更短，單位成本更低，使客戶能夠快速地將其方案面市，並縮減總體物料清單(BOM)。」
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NBVSPA017、NBVSPA018、NBVSPA019、NBVSPA027及NBVSPA042採用無鉛、密封封裝 5.0 mm x 7.0 mm x 1.8 mm CLCC-6封裝，每10,000片批量的單價為5.70美元。
作者: atitizz    時間: 2010-12-14 02:12 PM
安森美半導體推出BelaSigna R261高性能語音捕捉SoC 6 t* \+ s/ e+ h4 \" L' @
簡便的方案管理聲音環境，提升可攜式消費電子應用中的語音清晰度 4 |: _: P% A1 P+ k0 N; O* v

6 i9 G' w; m5 ~7 J/ S0 p2010年12月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出用於可攜式消費電子產品的完備系統級晶片(SoC)方案——BelaSigna R261。此方案整合了高度優化的數位訊號處理器(DSP)與先進的雙麥克風雜訊消減算法，提升嘈雜環境下的語音清晰度，同時保持語音自然逼真度。  ( G7 b# ?& }  T
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BelaSigna R261在智慧手機等應用中消除源自麥克風訊號的雜訊，同時提升語音品質，讓接收者能在正常手機通話中清晰聽到用戶的聲音。在運用可攜式裝置開會時，BelaSigna R261從四周雜訊的360度空間內識別及解析出多達6米範圍內的語音，顯著增強語音清晰度及加強使用者的自由，即使他們沒有對準麥克風，甚至是遠離麥克風。
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這SoC整合了DSP、穩壓器、鎖相迴路(PLL)、電平轉換器及記憶體，如此高的整合度與其他方案相比，降低物料清單(BOM)。整合的算法可以訂製，從而能夠針對每個特定應用取得消減雜訊與語音品質之間要求的平衡。此完備方案將設計入選(design-in)所需的時間和工程工作減至最少，因為設計團隊不須開發或獲取算法，也不須設計複雜的支援及介面電路。
作者: atitizz    時間: 2010-12-14 02:12 PM
BelaSigna R261 SoC簡單地直接插到數位麥克風介面(DMIC)或基頻晶片的麥克風輸入。此SoC可用在關注成本的原設備製造商(OEM)設計中的便宜全向麥克風，令麥克風的佈設更靈活。生產線上不須調試麥克風，進一步節省時間及成本。
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  @' o9 m! C- k5 U3 _這新SoC採用極緊湊的5.3 mm2 WLCSP封裝，佔用的電路板空間比其他可選方案小得多，即使空間最受限的可攜式消費電子產品外形因數也用得上。
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8 u$ L# P( B* ?4 JBelaSigna R261 SoC針對語音捕捉的應用，包括筆記型電腦、手機、網路攝影機及平板電腦。1.8 V電壓時的電流消耗小於16 mA，功耗僅為市場上眾多競爭產品的一半。  * p/ R# S: B) r) f; _, k4 A
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安森美半導體聽力及音訊方案資深總監Michel De Mey說：「音訊系統設計人員正在找易於整合到其系統中的噪音消除方案，從而加快產品上市。BelaSigna R261提供簡便的選擇，在任何地方都享有清晰舒適的語音通訊。這產品使用了先進的降噪技術，使各類可攜式消費電子產品製造商都能大幅提升語音品質及客戶滿意度。」
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BelaSigna R261採用無鉛符合RoHS指令的WLCSP-30及WLCSP-26封裝，每10,000顆批量的單價為2.00美元。
作者: atitizz    時間: 2011-3-2 01:40 PM
Atsushi Abe加入安森美半導體董事會 設立“整合督導”和“科學與技術”兩個新的委員會) H' n) H7 U" l) m
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2011年3月2日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣佈Atsushi Abe(阿部敦)已加入公司董事會。安森美半導體董事會推選Abe先生擔當此職，並任命他為公司新成立的整合督導委員會委員。+ l$ J  n, q/ Y7 O$ k" [, A! s

. ?7 S, J5 K5 E1 {2 [安森美半導體總裁兼執行長(CEO)傑克信(Keith Jackson)說：「Atsushi具備三十多年的金融專業經驗及出色的領導力，對全球及日本技術公司極為瞭解。在我們持續推進業務、整合近期完成收購的三洋半導體分部之際，他加入董事會將為安森美半導體帶來珍貴資源。我們歡迎Atsushi加入董事會，期望與他攜手工作。」
9 W/ E( H. F) Z  r$ u. ]& |* K1 @. \* x* O" d& p5 q, S
Abe先生是致力於技術、傳媒及電信(TMT)行業的合併及收購(M&A)顧問公司Sangyo Sosei Advisory Inc.的創始人兼主理合夥人。Abe先生在2009年參與創建Sangyo Sosei以前，是聯宇投資基金(Unitas Capital，前身為CCMP Capital Asia及JPMorgan Partners Asia)合夥人兼日本代表，負責在日本的投資及掌管大型交易；並曾任Japan Private Equity Association創始董事會成員。
作者: atitizz    時間: 2011-3-2 01:40 PM
在2001至2004年間，Abe先生擔任德意志證券(德意志銀行集團附屬公司)執行董事及全球企業金融主管，負責在日本的投資銀行事務。2001年以前，他擔任過不同領導職位，包括Deutsche Bank Alex Brown全球半導體投資銀行主管及TMT亞洲投資銀行主管，也曾在Bankers Trust、Alex, Brown & Sons及Mitsui & Co., Ltd等任要職。Abe先生持有美國斯坦福大學工商管理碩士(MBA)及日本早稻田大學理學士學位。/ ]& ^5 }7 L/ v* n" \8 T; L

1 f/ h1 W, K9 D- y董事會新設立的委員會9 w* {) Y% J) s$ e1 |
安森美半導體還宣佈公司董事會下成立兩個新的委員會，分別是整合督導委員會及科學與技術委員會。   
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整合督導委員會將督導整合三洋半導體的事宜及委員會決定的公司任何未來收購的合併整合事務。整合督導委員會的初始委員包括Atsushi Abe(主席)、Daryl Ostrander及Manny Hernandez。  
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科學與技術委員會將在範圍、方向、品質、投資水準及公司技術戰略的執行等方面為董事會提供建議。該委員會還將評估公司技術戰略狀況及公司智慧財產權(IP)範圍與品質。科學與技術委員會初始委員包括Phil Hester(主席)、Dan McCranie及Daryl Ostrander。
作者: heavy91    時間: 2011-5-4 06:32 PM
標題: 安森美半導體擴充PureEdge矽晶體振盪器時脈模組產品系列
NBX系列增加的新產品具有雙電壓能力，支援新頻率，總頻率穩定度低至±20 ppm，配合下一代系統要求的更高複雜度
. T/ r0 n' B! l3 _) a
6 C, n0 N$ M' u1 w, f, B# p2011年5月4日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充其矽晶體振盪器(XO)時脈模組產品陣容。NBX系列新增的6款元件具有雙電壓能力和領先同類的總頻率穩定度(低至±20 ppm)，提供高性價比、高精度的參考時脈方案。這些新元件符合路由器、交換器、伺服器及基地台等應用中最新2.5 V/3.3 V低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)設計的時脈產生要求。
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7 n2 M& e8 `; L5 b這些新元件支援同步光網路(SONET)、十億位元乙太網(GbE)及區域網(LAN)/無線區域網(WLAN)等應用的頻率。NBX系列提供與石英三次諧波晶體振盪器或表面聲波(SAW)產品相近或甚至更好的性能，-160 dBc/Hz的超低相位雜訊、典型值0.5皮秒(ps)的均方根(RMS)相位抖動及低誤碼率(BER)尤為突出之處。
6 E* A' U0 @. ~' s! F) @4 j. }; U- F+ V* r! o$ m
安森美半導體訂製工業及時序產品業務部總監Ryan Cameron說：「頻率及電壓範圍的擴展為從事LVPECL時脈樹設計的設計人員提供了更多更好的選擇。NBX系統提供更高的性能、雙電壓靈活性及比石英晶體振盪器更短的交貨週期，保持領先於此領域不斷成長的應用需求。」
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NBXMBB024和NBXSBB024支援的新頻率是622.08兆赫茲(MHz)，NBXHGA017是156.25 MHz，NBXHGA019是125.00 MHz，NBXSGA008是161.1328 MHz，NBXHGA053是50.00 MHz。3 q# u% F+ ~" @3 f5 |6 j

. f/ c* L& c2 Q  [: |4 X6 mNBX元件採用無鉛、符合RoHS指令的密封5.0 mm x 7.0 mm x 1.9 mm陶瓷CLCC-6表面貼裝元件(SMD)封裝。這些產品每1,000片批量的預算單價在3.00至5.50美元之間。
作者: globe0968    時間: 2011-10-17 11:17 AM
標題: 安森美半導體持續擴充下一代計算產品平台方案
產品系列涵蓋整個計算生態系統，應用於包括主機板、電源及外設，並同時解決功率密度及訊號完整性的挑戰
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& I) `/ ?, W, R) wSept. 21, 2011 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續為簡化及加快計算平台設計擴充其產品系列。 4 x" [, v3 I4 X' ~7 x
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安森美半導體計算及消費產品部高級副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：「我們的策略是繼續專注產品開發，幫助原始設備製造商(OEM)簡化設計、加速開發並降低總體能耗及節省電路板空間的產品。隨著傳統計算與移動設備(如平板電腦與智慧手機)之間的界線日趨模糊，我們更須計算注重提升能效、功率密度及訊號完整性。」 9 ^+ ^6 a- N2 h6 T; g8 W6 P
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安森美半導體的產品系列應用於桌上型電腦、伺服器、筆記型及平板電腦的主要子系統，包括中央處理器(CPU)供電、熱管理、傳統“銀盒型”(silver-box)桌上型電腦電源及適配器的電源轉換，以及高速介面開關和保護。針對業界越來越多地將計算技術轉移到智慧手機等移動平台，公司最近推出了擴充的產品系列，包括業界首款移動高清連接(MHL)開關，讓使用者能夠同時將高清(HD)視頻從智慧手機和平板電腦傳輸至高清電視及為電池充電。
作者: globe0968    時間: 2011-10-17 11:17 AM
公司寬廣的計算方案系列包括：核心電壓(Vcore)控制器；AC-DC及DC-DC控制器、轉換器及穩壓器；電壓及電流管理 ；MOSFET；放大器及比較器；EEPROM記憶體；以及應用於電腦及外設應用的電源開關、介面、保護和濾波等方案。  
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0 _) X  I4 t( a/ V' I  v- t! h安森美半導體提供的下一代計算平台應用的最新產品包括：9 f( D) Y; R! K/ B! O& }' R; K

' L$ a* ^" N4 ?" e% n-  ESD7008、MG2040及ESD7104：為USB 3.0、HDMI™、DisplayPort及Thunderbolt (Light Peak)等高速資料及高速視頻線路提供靜電放電(ESD)保護及業界最低電容、最高訊號完整性和最低鉗位元電壓。
& S) u# K& |. M8 Z6 R7 V-  NCN3411及NCN3612B：應用於PCI Express® 3.0的最新方案，提供配合PCI Express 3.0標準的業界首款1.8伏(V)開關，具有8 Gbps頻寬能力及業界最低靜態電流。: @4 f1 p* a8 T; H. E6 X* s  c1 u
-  節省空間及增強熱性能的雙MOSFET完整系列：應用於元件密度及熱效率要求高的網路、筆記型、伺服器及顯示卡應用。
作者: tk02561    時間: 2011-12-14 03:42 PM
安森美半導體溝槽型低正向壓降肖特基整流器新系列 提供更高的開關能效 ! p' A2 E% U( C
新器件提供極低導電損耗、極佳溫度穩定性及高浪湧電流處理能力，用於計算及消費應用
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' J7 L9 x1 F6 }4 l2011年12月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用於筆記型電腦適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。
作者: tk02561    時間: 2011-12-14 03:43 PM
新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件採用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，説明設計工程師符合高能效標準規範要求，不會增加複雜度，例如無須同步整流。
& t5 C, a5 |/ t  F/ K# ^0 l) g& `5 O
" W: y" [  j8 S: u3 d此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生「夾斷」(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度範圍內都很優異。5 {3 S, [9 ]( N" g
. s) w* h) ?) v2 ?
為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基於65 W電源適配器測試的資料顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規範要求，同時不增加方案的複雜度及成本，例如無須同步整流。
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安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：「我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度範圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。」
作者: globe0968    時間: 2012-2-9 01:42 PM
標題: 安森美半導體推出降低待機能耗的突破性電源產品
2012年2月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 持續開發創新技術及產品，使公司能夠為市場提供豐富的電源半導體方案。  & u! M) c& U9 @* D! Z, g, u% Z
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公司推出的下列新產品的提供業界領先的待機能耗，維持我們身為首要高能效方案供應商的地位： ' H3 E5 l5 \6 F  J
, _  q. A  U5 d& r
-  NCP1246固定頻率電流模式控制器在交流-直流(AC-DC)適配器應用中提供極低的空載輸入能耗。此元件包含整合的X2電容放電電路，省下了X2電容放電電阻。NCP1246與NCP4353或NCP4354結合使用時，且能夠進入低能耗休眠模式。這產品組合使65 W筆記型電腦適配器提供低於10毫瓦(mW) 領先市場的空載輸入能耗。 , p2 k0 q+ E2 C, h8 [

) f8 O# X0 q3 d1 R-  NCP4353和NCP4354次級端開關電源(SMPS)控制器針對要求空載條件下能耗極低的應用。這些器件檢測空載條件並通知電源進入低能耗關閉模式(初級端控制器停止工作，能量由輸出電容提供)。集成特性包括恒壓及恒流穩壓，以及用於適配器指示燈的可選內置LED驅動器。3 V, ^" @- I, W8 L7 o# k4 M8 E* u
, L( ~: w! T+ P2 k! n( u( [% i
-  NCP1611有源功率因數校正 (PFC)控制器 為AC-DC適配器、平板電視及照明鎮流器提供升壓預轉換器功能。這控制器採用創新的電流控制頻率反走(CCFF)架構，將額定負載及輕載時的電源能效提升至最高，拓展了傳統臨界導電模式(CrM) PFC控制器的優勢。 7 b1 W! n9 z% h( G1 `8 T

% `# W/ b3 S! M. k' v7 k! S-  NCP431三端分流穩壓器是與業界標準TL431引腳對引腳相容的升級產品。NCP431能夠採用業界領先的40微安(µA)偏置電流工作，顯著提升要求極低空載輸入能耗的開關電源之能效。
1 i) Y. W" ?! r
) N6 X4 R! p2 A+ Z9 D-  NTST30100SG肖特基整流器 – 30 A、100 V溝槽型器件，提供更低正向壓降和更低漏電流，帶來更高電路能效。NTST30100SG不同於平面型肖特基整流器，其開關性能在整個工作溫度範圍下都保持穩定。
作者: amatom    時間: 2012-9-13 02:20 PM
標題: 安森美半導體提升在高能效下一代計算平台的領先地位
先進的產品系列連通電腦系統從主機板到電源到週邊，並符合最新功率密度及信號完整性需要 ! X5 [9 @2 f: P

, ?; c4 {* ~0 ~! r2012年9月12日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充產品系列，簡化及加速電腦平台的設計。  3 n: P2 |# ^. R* G6 N
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安森美半導體計算及消費產品部資深副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：「隨著個人電腦體驗歷經進一步轉變，安森美半導體貫徹聚焦於以創新的元件推進高能效及功率密度，説明原設備製造商(OEM)簡化設計，加速開發過程。我們一貫地提供整合方案不單能以更高頻率工作，並具備更優良的電源管理及更高的信號完整性，同時將佔用的電路板空間減至最少。安森美半導體的方案使現代高性能電腦應用中能有高速連接。」 ; k& |& _4 w# b8 g2 B  A" _' E

$ [+ @. ?' _: D1 R' p安森美半導體設計的產品旨在用於桌上型電腦、伺服器、筆記型電腦及平板電腦中所有的主要子系統，包括中央處理器(CPU)供電、熱管理、傳統電源及適配器中的電源轉換、時鐘產生及分配，以及高速介面開關及保護。公司的電腦產品系列還因應業界從傳統計算技術邁向智慧手機及平板電腦等移動平台，提供方案以解決將新興串列通信整合到系統設計之挑戰。 8 c, l. x2 e7 k9 b/ W
3 e7 O- H& R# k& ~% e; [
公司寬廣陣容的電腦方案包括：多相內核電壓(Vcore)控制器；AC-DC及DC-DC控制器、轉換器及穩壓器；電壓及電流管理；MOSFET；放大器及比較器；EEPROM記憶體 ；以及用於電腦及週邊應用之電源開關、介面、保護、濾波等方案。
作者: amatom    時間: 2012-9-13 02:20 PM
安森美半導體應用於下一代電腦平台的產品包括：$ P$ v( |3 X  o9 Z1 S/ N: W; t

' |3 p: e, L/ P-        安森美半導體首個基於可控矽整流器(SCR)的靜電放電(ESD)保護產品，此產品提供急速反回(snap back)及業界最低ESD鉗位元電壓，能夠保護幾何尺寸低於22奈米(nm)的晶片組。此技術的最大電容僅為超低的0.25皮法(pF)，為USB 3.0及Thunderbold等高速介面提供了最佳方案。
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& ~" i) O/ `- C$ R! ~/ h-        NCP1851完全可程式設計鋰離子(Li-Ion)開關電池充電器，此元件大幅加速充電過程、改進啟動序列及最佳化電池總壽命，用於智慧手機、平板應用及其它手持可攜式裝置。8 W3 z; s0 |% A, N
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-        NCP6132A及NCP6153電源控制器結合真正的差分電感直流阻抗(DCR)電流感測、輸入電壓前饋及自我調整電壓定位功能，為桌上型電腦及筆記型電腦應用提供精確穩壓的電源。控制系統基於脈寬調製(PWM)，還結合了DCR電流感測，為動態負載事件提供最快的初始回應，並降低系統成本。
8 Q6 b% N1 |8 G% G$ D0 W' S2 |9 v3 r0 ~
-        全系列節省空間的雙增強熱性能分立MOSFET，用於元件密度及散熱效率要求高的網路、筆記型電腦、伺服器及圖形卡應用。
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" n5 C( X8 ?) G. H/ s1 j-        NB3N1XXK和NB4N1XXK系列差分時鐘及資料扇出緩存增強系統靈活性，使設計人員可以輕易地連接多路輸入信令方案，非常適合於要求多重備份符合PCI Express (PCIe)標準的高精度、低相位雜訊時鐘信號的系統。
9 `% P. D% e+ T7 }1 S5 \3 B% u5 x" Z& z
-        新的ecoSWITCH™先進負載管理系列元件，提供重要的成本及佔用面積節省，以及市場領先的性能，包括：超低導通阻抗(RON)、市場上最高的電池承載能力、故障保護、可配置浪湧電流控制及其它特性，且採用極小封裝。 ; t9 Y% q# R, R

  w1 X3 {: ~8 u9 n$ `% K6 N4 ?-        NIS5132和NIS5135單片積體電路，提供優異的保護性能，增強硬碟驅動器或其它電路的可靠性，保護它們免受災難性故障及關閉故障影響。
作者: sophiew    時間: 2012-10-9 03:47 PM
標題: 安森美半導體加入imec的矽基氮化鎵研究專案
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圖片：imec採用200 mm CMOS相容型矽基氮化鎵工藝的功率元件( Z8 ?' ]3 G+ v0 V: [
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2012年10月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)加入了領先奈米電子研究中心imec的多合作夥伴業界研究及開發項目，共同開發下一代矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率元件。
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. G2 U+ v4 S! G0 j$ |7 V! C7 i7 ]氮化鎵具有優異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非常適合於要求高開關能效的功率元件及射頻(RF)元件。如今，基於氮化鎵的功率元件成本過高，不適合大批量製造，因為它們使用非標準生產工藝在小半徑的晶圓上製造。
作者: sophiew    時間: 2012-10-9 03:51 PM
imec的廣泛規模研究專案著重於開發200 mm晶圓上的矽基氮化鎵技術，及降低氮化鎵元件成本和提升性能。imec匯聚領先整合元件製造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導體公司、設備供應商及襯底供應商，已經卓有成效地取得重大技術進步。
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0 x4 _$ w+ t2 ^! ]( e2011年，imec的研究項目成功地生產出200 mm矽基氮化鎵晶圓，使工藝讓標準高生產率200 mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開發了相容於標準CMOS工藝及工具的製造工藝，這是高性價比工藝的第二個先決條件。 1 w# V: e* q$ J5 ^. I) _
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安森美半導體資深副總裁兼技術長(CTO) Hans Stork說： 「身為提供寬廣陣容高能效元件的全球20大半導體供應商之一，安森美半導體氮化鎵技術研究已持之多年，如今正在公司的比利時Oudenaarde生產廠建設氮化鎵工藝線。與imec合作，將鞏固我們現有的市場地位，並將可説明我們為客戶增加有競爭力的前沿技術。我們期待與想法相近的公司聯盟協作，在此領域進行前瞻性研究。」
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imec智慧系統及能源技術副總裁Rudi Cartuyvels說：「我們的矽基氮化鎵聯合項目持續出現非凡進展，不斷推動降低生產成本。安森美半導體最新加盟成為策略專案合作夥伴，進一步推進我們的集體專業知識。充分利用聯合研究將幫助我們克服邁向經濟的大批量製造的下一個關卡，最終將氮化鎵功率元件上市。」
作者: globe0968    時間: 2012-10-11 06:21 PM
安森美半導體提供更先進的ASIC及ASSP產品 與領先晶圓代工廠商的合作使公司能將65 nm和40 nm工藝技術用於工業及軍事電子應用
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) D6 Z- m- `9 X( S! R2012年10月11日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)與關鍵晶圓代工廠合作夥伴協作，現提供採用65奈米(nm)及40 nm工藝技術的寬廣陣容數位產品。安森美半導體與晶圓代工廠加深合作，將使公司能夠繼續為軍事、航空及工業客戶提供業界領先的特殊應用積體電路(ASIC)和特定應用標準產品(ASSP)，包括安全加密晶片及商用軍事航空元件，以及多種工業應用如GPS系統、儀器設備和工業自動化設備等。
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5 L: _0 i8 v- H這些協作令安森美半導體能夠提供高性價比方案，同時為客戶提供完全遵從嚴格的國際武器貿易規章(ITAR)的晶片。客戶如今將獲得更廣陣容的授權智慧財產權(IP)，包括最新ARM處理器內核、高速串列解串器(如PCI Express、光纖通道及10 Gbit乙太網)、DDR3 RAM記憶體、USB 3.0互連等。此外，公司的產品還遵從Do254及AES9100等軍事/航空標準。
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安森美半導體數位、軍事/航空及圖像感測器產品分部副總裁Vince Hopkin說：「安森美半導體通過與一些世界領先晶圓代工服務公司的技術合作，在市場上持續據極有利地位，如今又增添了滿足高端及成本敏感型設計要求的能力。利用從我們晶圓代工合作夥伴獲得的IP授權來與ARM和Synopsys等技術合作夥伴的IP及我們自己專有IP相輔相成，我們能夠在產品中嵌入特性豐富、高整合度的功能，符合即便是最嚴格應用的性能要求。」
作者: tk02561    時間: 2012-10-24 01:34 PM
安森美半導體擴充用於馬達控制、太陽能及不間斷電源應用的 高性能溝槽型場截止IGBT陣容3 `( E9 n2 ^$ |1 ^
新的場截止溝槽型技術元件擴大額定電流，提供高速開關能力，用於嚴格的電源應用" j3 D3 ]' [$ B& n% |
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& X  M6 D; W% O/ QOct. 24, 2012 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件，推出9款新的高能效方案。  
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6 }9 [% H% g* @* \" w; K+ y; X2 G( F這些新元件提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性。這些最新IGBT元件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品系列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不斷電供應系統(UPS)應用高性能電源轉換的元件。
作者: tk02561    時間: 2012-10-24 01:36 PM
安森美半導體功率分立產品資深總監兼總經理John Trice說：「全球能耗的大幅增加及預計對經濟及環境的不利影響，持續推動針對更高性能功率分立元件的需求。這些新一代元件在提供高性價比及業界領先能效的同時無損其強固性。安森美半導體專有的溝槽型場截止技術能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇。」   D. v! W$ U" m6 f7 I  A

4 ~& h/ q1 g; \4 y. k$ Y第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產品採用強固及高性價比的溝槽型技術結構，為高頻開關應用提供優異的性能。低開關損耗及超快恢復二極體使它們非常適合於高頻太陽能、UPS及逆變焊機應用。這些元件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款元件均經過高度最佳化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢復能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT元件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。
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第二組新元件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT元件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢復二極體，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如馬達控制變頻應用。與這兩款元件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些元件具有均衡的開關及導電損耗，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電鍋、電飯煲及微波爐等電器。  
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封裝及價格1 }7 s7 g8 P% `0 e# y) h/ `% P! ]9 ]

# |  J6 e( n: S" }. c5 T9 dNGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均採用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。
作者: tk02561    時間: 2012-12-20 10:56 AM
安森美半導體推出高能效馬達驅動器IC，用於辦公自動化設備   V0 f3 S1 d  [* F5 K6 k1 f* Z
LV8702V經過了最佳化，以降低馬達雜訊、減少振動及發熱量，並節省高達80%*1的空載能耗
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& \1 |4 t) B6 x( w6 r! i' B* ?* y/ A2012年12月20日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的步進馬達驅動器IC——LV8702V，提供比市場上現有產品顯著更高的能效。此元件針對影印機、掃描器及多功能印表機等辦公自動化設備應用而專門設計。  
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安森美半導體三洋分部電源產品總經理Tsutomu Shimazaki說：「 近年來，多種電子產品應用中使用的步進馬達的能效很低，已經成為全球業界關注的問題，也是電源系統設計工程師須面對的挑戰。LV8702V克服此挑戰，提供獨特的驅動系統，使其能夠節省空載能耗達80%*1，並降低馬達峰值電流近77%*1。這方案大力幫助我們客戶開發辦公自動化電子產品，符合提升能效的全球需求。」 0 d& h7 B7 ~3 C- e

# m7 }4 i* R) U$ V, J7 F0 j特性及優勢+ c' T- s  L0 F. I7 a( J0 f

, e5 J3 }/ D% I( CLV8702V除了降低總能耗，還幫助減少或降低印表機位置控制等應用中的馬達的發熱、振動及雜訊。由於能效提升，此驅動器IC和馬達的表面溫度分別下降達46ºC和28ºC*2，可以幫助省去冷卻風扇，節省相應的空間及成本，並提升系統可靠性。LV8702V步進馬達驅動器IC通過監控驅動器波形來檢測馬達狀況；此元件根據馬達轉速或負載來自動減小電流值，因而降低能耗。此新元件的工作電壓範圍為9伏(V)至32 V。保護特性包括輸出短路保護、過熱關閉功能及失步(step-out)檢測功能。
作者: tk02561    時間: 2012-12-20 10:56 AM
LV8702V是安森美半導體AMIS30542/43/22/12系列帶無感測器馬達回饋的高度智慧型步進馬達控制方案的另一成員。這系列產品為設計人員提供適合寬廣應用範圍和驅動電流的高性價比及領先的性能。如今，停轉檢測、步損及電流驅動最佳化等先進功能易於整合到此前或因成本而不用“高階”馬達控制功能的應用中。
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5 U2 ?! o/ v" L! q3 t/ z: ]: S- P- {價格及供貨. I  M; ~- _# b
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LV8702V採用尺寸為5.6 mm x 15.0 mm的SSOP44J封裝。此元件每批量2,000片的預算單價為6.00美元。
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*1 <測試條件>    驅動電壓：24 V；電流設定值：Iout=1 A' C$ o8 G% B, L  O' b. P0 g. [
                        勵磁模式：半步；速度：1,500 pps 5 Y; s/ o- S) z0 G
                        馬達：半橋(HB)馬達雙極型；負載：空載- q8 d& J* e0 w$ ]  p

3 p2 y: v; ?. Z! `: r" @*2 <測試條件>    驅動電壓：24 V；電流設定值：Iout=1 A ' t" ^1 \6 i" d8 J+ T1 h
                        勵磁模式：半步；速度：2,000 pps ) T& D7 ]" b- B. P* g, h
                        馬達：半橋(HB)馬達雙極型；負載：空載；上電時間：20分鐘
作者: mister_liu    時間: 2013-1-10 02:20 PM
安森美半導體新視訊訊號處理器IC 降低小LCD面板的能耗並提升圖像品質 3 G6 M6 Z* [' ?8 w5 g4 ]
高能效元件適用於汽車倒車影像及家庭保全監視器等小LCD螢幕應用
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2 ]' H% {% b5 G7 V6 l1 B0 K* n2013年1月10日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的高整合度圖像信號處理器積體電路(IC)，適用於小液晶顯示LCD螢幕，如汽車倒車影像、車載導航系統及各種消費類視頻監控保全系統。針對汽車應用的LC749000PT和針對消費產品的LC749000AT為終端應用節能，並採用先進的信號技術以提升數位壓縮圖像的品質。
作者: mister_liu    時間: 2013-1-10 02:20 PM
LC749000PT和LC749000AT能夠配合頻率解析度達寬視頻圖形陣列(WVGA)的裝置，並整合了類比數位轉換器(ADC)，能直接接收照相機的類比圖像信號輸入。內置圖像解碼電路能解碼NTSC及PAL制式的類比圖像信號，再根據已連接的LCD螢幕的解析度，採用去隔行/縮放方法調節解碼圖像的信號的大小，以提升圖像品質。帶抖色處理功能的24位元或18位元RGB輸出再由內建可編程時序控制器傳輸至應用的LCD面板。
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: s0 D1 c& ]! s安森美半導體新的圖像信號處理器IC集結了專為最佳化顯示圖像的特性，包括能自動將視頻輸出調節至適當顯示幕解析度的縮放器功能，及能將粗糙漸變至平滑的校準功能。同時，內置動態伽瑪矯正功能幫助提升低光照中的明視度，及光照變化環境中使用的視頻與相機之顯示幕對比度。可編程伽瑪矯正功能能快捷、簡單及方便地調校LCD面板。 9 j+ R! s( {0 ?" ~- w/ O

  L. N/ W. r+ `2 v) l% p) M6 f兩款新元件都內置螢幕顯示(OSD)功能，使文本字符能夠附加在圖像數據上。這些元件還內置OSD開關，採用額外圖形IC來提供更先進的圖形覆蓋。同時，脈寬調製(PWM)支援自適應LED背光控制功能，省電約35%，提供更佳效益。LC749000PT和LC749000AT採用外部微控制器(MCU)通過I2C或序列週邊介面(SPI)控制。硬體驅動的圖像處理將微控制器及車載攝像應用的軟體負荷減至最低。外置快速EEPROM啟動功能確保LCD面板在汽車引擎啟動後立即工作，這功能對倒車影像及其它眾多非汽車應用而言極為重要。 4 {0 Z/ k6 M9 w  q* O( W: @# y
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安森美半導體三洋產品部總經理Hideya Ohashi說：「汽車倒車影像及其他小LCD螢幕應用日漸普及於汽車或非汽車電子應用。在此需求背景下，市場對圖像清晰度的要求更加嚴格，務求將應用的好處，包括安全度提升至最高。此外，降低能耗也是一項挑戰，特別是要降低汽車系統的能耗，以將電池的負荷減至最低。安森美半導體新的影像處理器IC能滿足這些要求，配合此重要技術領域更快地採用。」
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封裝及價格2 o. j. n* w+ A( c0 x) Y( }
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LC749000PT和LC749000AT採用無鉛及無鹵素的TQFP 120接腳封裝，每批量1,000片的預算單價為8.00美元。
作者: innoing123    時間: 2013-3-4 02:42 PM
安森美半導體推出用於網路及通訊應用的高性能時脈分配方案
8 U, d' v1 B* K5 I  X, ?" f0 S( q超低抖動、雙差動2:1時脈/數據多工器及3:1:10扇出緩衝器用於新一代系統設計
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# U  e* R; N* M2013年2月27日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的時脈分配積體電路(IC)。" \) I, S. F# O' x& Z/ p
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安森美半導體工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說：「 NB6L56為業界提供了更先進的2：1信號管理方案。這元件與市場上現有產品的接腳對接腳兼容，但提供大幅增強的抖動性能，使眼開放(eye opening)更寬，因而提升系統可靠性。它能處理達2.5 GHz的時脈速度及達2.5 Gbps的數據流，而能耗極低。這元件與NB3F8L3010C相輔相成，後者在性價比、靈活性及性能方面更引人入勝，使其非常適合於通訊基礎設施應用。」* T* R8 D- i* g& u6 g9 w

# e  A/ c" w4 `' ?0 |, NNB6L56 2:1時脈/數據多工器性能極佳，它採用2.5伏(V)及3.3 V供電電壓工作，其差動輸入整合了通過VT接腳連接的內部50 Ω端接電阻。此功能使這元件能夠接受多種邏輯電平標準，包括低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)、電流模式邏輯(CML)及低壓差動信號(LVDS)。輸出為800毫伏(mV)射極耦合邏輯(ECL)信號。即便分別以2.5 GHz頻率和2.5 Gbps數據率工作，這元件產生的附加時脈及數據抖動也極小。所以NB6L56非常適用於同步光纖網路(SONET)、千兆位乙太網(GbE)及光纖通道(FC)網路基礎設施，以及其它電信和數據通訊應用。4 \' Q- o& X3 n8 F: p* }

9 q1 ]1 ?* ^1 X4 s) SNB3F8L3010C 是一款3:1多工器及1:10時脈/數據扇出緩衝器，針對網路及通訊應用。這元件採用3.3 V或2.5 V內核供電電壓工作，差動輸入接受LVPECL、LVDS、主時脈信號等級(HCSL)及短截線串聯端接邏輯(SSTL)信號。它提供共10路單端LVCMOS輸出，每路均能以200 MHz工作。輸出歪斜率(skew)典型值保持在僅10皮秒(ps)。NB3F8L3010C和NB6L56元件都支持-40 °C至85 °C的工業溫度範圍。$ E+ V# B& w3 L
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封裝及價格
, W( ?. `4 n7 [  d. P+ }; yNB6L56和NB3F8L3010C都採用低高度的5 mm x 5 mm 32接腳QFN封裝供貨。它們每批量1,000片的單價分別為4.92美元和4.41美元。



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