' X0 R5 u, o0 P. ?! e+ \盧志遠博士表示:「能獲獎感到非常光榮,這是一項極大的榮譽,是旺宏團隊共同努力的成果,很高興浸淫半導體產業三十餘年來,能幸運地將興趣與工作結合,持續發揮所長,也非常感謝在每一段過程中曾經合作的伙伴,未來將繼續秉持對創新科技的研究熱忱,提昇旺宏在非揮發性記憶體的研發技術與製造能力,以對高科技產業持續作出貢獻。」作者: mister_liu 時間: 2011-7-27 08:00 AM
IEEE Frederik Philips Award為國際知名獎項,由荷蘭飛利浦公司於1971年創立,主要是表彰在電機電子領域之研發管理及創新研究作出傑出貢獻者。自成立以來已頒予42位得主或機構,歷年獲獎人包括曾擔任五任美國總統科技顧問的Bell Labs總裁WILLIAM O. BAKER(1972)及ARUN N. NETRAVALI (2001)、摩爾定律發明人、Intel公司創始人Gordon Moore(1979)、比利時微電子研究中心IMEC創辦人ROGER J. VAN OVERSTRAETEN(1999)、IBM全球研發總負責人John Kelly(2010)等。5 n" t4 y, M% E. E( Y
8 I/ j9 h+ C9 G6 V盧志遠博士在提昇尖端研發的卓越表現一直受到國內外肯定。他早於1980年代中期於美國Bell Labs領導研究計畫時,即曾研發高達600V之BCDMOS IC技術,為當時業界最高伏技術,1987年,他也是全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文─Variable Hold (Retention) Time phenomenon in DRAM,促使業者大幅提升DRAM可靠度,之後領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術,部份技術理論迄今仍被廣泛引用,讓今日的半導體產業得以蓬勃發展。 # {2 ~! O( m' c! h0 j# _, j. P8 o1 i1 t9 E2 z- I# |5 Y& f4 c R
盧博士於1989年獲李國鼎資政及當時工研院董事長張忠謀之邀回台出任工研院電子所副所長,之後主持「經濟部次微米計畫」,完成台灣DRAM技術的獨立研發及量產,不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力,更進而奠定了在全球半導體產業鏈的重要地位,其卓越貢獻因此獲頒「行政院傑出科技人才獎」。次微米計畫於1994年衍生成立世界先進公司,盧博士當時為世界先進共同創辦人,成為催化台灣DRAM產業的重要推手。作者: mister_liu 時間: 2011-7-27 08:00 AM
1999年,盧志遠博士加入旺宏電子,帶領旺宏進行前瞻記憶體技術研發,並與世界級高科技大廠如IBM及英飛凌建立長期而互惠的策略伙伴關係。近年來旺宏所擁有的高品質國際專利超過4200項,發表的先驅技術論文持續入選IEDM、ISSCC、VLSI、SSDM等多項國際知名學術會議,篇數在全世界之業界、學界中皆屬名列前茅。以2010年為例,旺宏的3D NAND Flash創新研究,即獲得全球IC整合技術界最重要國際會議VLSI評選為2010年重要焦點論文,為台灣唯一論文獲評為焦點論文的公司。7 ^8 H6 M" a! n: Y3 M, p+ {
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發明浮閘非揮發性記憶體(Floating-gate Nonvolatile Memory)的半導體巨擘、中央研究院院士施敏博士表示:「盧博士早期發表之CMOS先進技術,其後帶領工研院團隊研發次微米技術並使之量產,以及近年來在非揮發性記憶體先進技術的研發,皆顯示他在世界學術界尖端研究建立了崇高之地位,以及在應用科學方面之優越成就。他對深耕本土高科技技術及提昇尖端研發能量貢獻良多,堪稱台灣應用科學領域之翹首。」2 I8 _" [/ K- b
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清華大學前校長、中研院院士劉炯朗先生在得知這項消息後也指出,「盧總經理是一位志向宏遠、鬥志旺盛,具有遠見願景又能積極實現的領導者及實踐家,獲此殊榮乃實至名歸。」 G1 S4 z2 N# l0 l* e
$ M' S( Z( x) T! N5 L盧志遠博士個人擁有超過360篇論文及140餘項國際專利。他獲任美國電機電子學會 (IEEE) 院士、美國物理學會 (APS) 院士及中華民國科技管理學會院士。2000年IEEE頒發「千禧傑出獎章」(Millennium Medal),即是高度肯定他對於經濟及社會的重要貢獻。同時,盧博士也榮獲經濟部專利發明獎及最佳專案獎、潘文淵文教基金會研究傑出獎以及獲選為交大及台大傑出校友等多項榮耀。此外,他曾擔任 IEEE Transactions on Electron Devices編輯長達15年及「科學月刊」社長,熱心支持科普教育推廣及各項技術與學術研討活動,更促進了國際產業的交流發展。作者: sophiew 時間: 2014-11-6 02:18 PM 標題: 逢甲大學盧志遠董事榮獲TWAS工程獎 揚名國際 [attach]20577[/attach] # J3 I4 D f8 _; C+ q/ z圖說:逢甲大學盧志遠董事榮獲TWAS工程獎。 3 F: Q, a+ z$ c" i5 r+ I) c, k, T! Y# e
(20141106 09:10:04)世界科學院(The World Academy of Sciences,TWAS)第25屆年會10月25日至29日在阿曼王國首都馬斯開特(Muscat)舉行,逢甲大學董事會盧志遠董事(現任旺宏電子總經理,欣銓科技董事長)榮獲本屆年會工程獎。這不僅是個人成就之肯定,同時也是國家的榮耀,盧董事揚名國際,逢甲師生與有榮焉。 v x: b, ^' K8 }
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盧董事在學術研究與產業發展的卓越表現,一直深受國內外肯定,除了是奠定台灣在全球半導體產業鏈地位的重要推手外,在國際學術方面,更有亮眼的成績,擁有超過360篇論文及140餘項國際專利。他所獲得的肯定獎項,不僅得來不易,還締造許多首例紀錄,除了曾獲任美國電機電子學會 (IEEE) 院士、美國物理學會 (APS) 院士及中華民國科技管理學會院士、2000年IEEE頒發「千禧傑出獎章」(Millennium Medal)外,2012年成為兩岸三地首位獲頒被喻為科技研發工程師界奧斯卡獎的「Frederik Philips Award」;2013年榮獲總統科學獎,也是打破歷年慣例,為首位非中研院院士得主的產業界翹楚。) k4 U7 B/ x4 u6 q
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盧董事1999年擔任逢甲大學董事至今,且獲聘為特約講座,關心逢甲大學辦學及校務發展,給予建言指引,其產業經營與學術研究的精神與態度,更是學習的標竿和典範。 6 I7 t3 l8 f5 N+ I1 L* X' k5 s( T) b ! P" s% ^- t7 X& i9 E( J6 L+ n1 b! j訊息來源:逢甲大學