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標題: 工艺角仿真的问题 [打印本頁]

作者: caikunming 時間: 2008-11-25 08:57 PM
標題: 工艺角仿真的问题
正做一个运放，在tt下已经调出性能了，不过做工艺角仿真的时候发现性能相差挺大的，不满足要求。请问大家都是怎么来解决工艺角带来的漂移这些问题的呢？谢谢哦！

作者: asdfasf 時間: 2008-11-25 10:18 PM

作者: lynker 時間: 2008-11-26 08:49 AM
增大tt下的设计余量。余量尽量留的大，这样其他工艺角的情况会好些。

作者: semico_ljj 時間: 2008-11-26 10:28 AM
余量怎么设计的大一些呢？这方面没有经验，听听大家的！

作者: caikunming 時間: 2008-11-29 07:48 PM
就是在tt下，设计电路时让管子饱和的好一点，vds-(vgs-vth)>150mv，这样当工艺偏的时候就能保证性能较好的统一。

作者: yalon 時間: 2008-11-29 09:32 PM
還有 !! 記得要留意 Vgs-Vt (Vdsat) 的 margin 要夠ㄛ.
Device 如操作在 Vgs = Vt 的附近. 很容易在 "工藝角" 導致 Vgs < Vt ; 而影響電路
穩定度ㄛ.

共勉

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