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標題: 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？ [打印本頁]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-24 03:16 PM
標題: 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
) y" s9 u. {  ?$ Z2 e4 l& m0 [  H0 y1 Q就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
. t1 k5 P4 Q8 F8 v! @6 T有純MOS的ESD嗎？？
, }% @  u) `# ]8 d& i- N設計上有何重要的技巧？？
/ {# |  n8 Q: p* v! w9 z請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？0 f- {0 `$ I6 ~$ \
請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-24 10:48 PM
很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-24 11:14 PM
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"2 i1 ^# u  n" N  n, v* `, \. d
好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！
7 E( c8 p# }' NESD设计时要考虑 contect to gate space！！！
作者: hyseresis    時間: 2008-11-25 09:19 AM
標題: 回復 3# 的帖子
感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?5 v# L& Y& m$ ^; \% Y$ \- m; W
感謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-25 01:58 PM
標題: 回復 4# 的帖子
一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！
作者: andyjackcao    時間: 2008-12-2 09:41 PM
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
, X8 p4 W6 z" p8 }3 ?& o請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？! h0 E# p  L. L& s2 t
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？5 m' C( D( Q: X

. |( M3 M  R9 s9 v4 c請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？( z/ r  j6 c; ~
請高手幫 ...
) v' C. R  o  g) t2 E5 N
4 [0 W" J. i# O' v- {
我是这样理解的& ~6 i8 }" `* F* z, ^
contact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；% z% s  W: i! }2 C1 `
会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果& m; N. c6 A+ p; z( K( J! o
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠
作者: jian1712    時間: 2008-12-11 12:01 PM
contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um
作者: wph123    時間: 2009-3-24 01:50 AM
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
作者: ritafung    時間: 2009-3-25 10:41 AM
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule9 {7 X$ {& G9 k2 i' O
但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
作者: werx    時間: 2009-7-26 09:54 PM
標題: 小弟才淺
通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題8 f6 v7 W* z2 m  M. h& o% Q8 ]
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗+ X" W0 Q+ A4 i$ r9 M; o
至於con to con的意義呢？$ B0 u* S# e$ E# Q6 p1 m1 S
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個2 M7 ~1 j$ Z0 g1 D8 H% Y) L: K
因為ESD電流來時又大又快
- c2 H/ g1 |9 Z( dCON越多路徑阻值越小一點
! F: r& g, g/ v  Q2 O7 v; N所以CON TO CON通常取MIN.
$ N4 V! u7 |4 A9 s
, B; S6 J2 Q$ u& L8 ^6 g小弟才淺
作者: semico_ljj    時間: 2009-7-27 08:46 AM
“所以CON TO CON通常取MIN”，right！
作者: averyer    時間: 2010-5-27 10:58 AM
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
作者: finster    時間: 2010-5-29 08:24 PM
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看( h- u0 Z: V0 L
而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 01:18 PM
说的好) @! Z' o9 a2 ?$ `+ }1 A
, f: Q7 M, d3 G' h7 P7 }/ K
; t* ^& e) a) k3 c' O. h; q; Y
！！！！！！！
作者: wangdali163    時間: 2013-8-16 03:53 PM
poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。



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