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標題: Sansen讀書會... [打印本頁]

作者: 賴永諭    時間: 2008-11-10 03:11 PM
標題: Sansen讀書會...
剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...
9 F! d& ^3 b' B7 x  B" NSlide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S)
/ V) ]/ I" a) [+ K! [5 r% H# |' @Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
' K. j% |0 ], ~. _' H4 p) a4 x' ?- A& L 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀
作者: lynker    時間: 2008-11-11 01:37 PM
我看的是中文版的,摟主看的是英文的還是中文的?* J: z% r+ G! |2 E1 w( f
�面是有些錯誤,我也剛看完第一章,還好基本上都是字母的錯誤還是可以容忍的。
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-11 04:41 PM
我是看英文的...
% E. Q( G8 p7 p! k4 _  o7 p因為有些式子或許字母打錯..4 t! h% e( t. ^+ f
所以讀起來就卡卡的哩....
+ p3 c( Z6 `/ D2 t- ]. n4 [Slide 0148: 我覺得transition voltage式子好像應該是# |! v# T" @5 N4 S8 {
(VGS-VT)vs=1/2theta
2 v' ~  E' q* J% e# _不知道你的看法是???
$ [/ y8 ^; _2 ~* PThanks!!
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 10:28 AM
標題: Sansen讀書會
Sansen這一本新書有中文的嗎????(藍皮封面)
: ~( r5 t; G% ]' x4 W! p6 xSlide 0129->我覺得是沒錯
& Q( e, G; l0 D, pBluck 接地時應該是D->S
8 k" R# J+ \! X# w! q4 ^如果Vbs>0, 電流應該是由S->D6 A, N% [4 ~! z" C) q# e
Slide 0134&0136->我要在看一下
作者: lynker    時間: 2008-11-12 11:57 AM
標題: 回復 3# 的帖子
確實是1/2theta,估計是計算VGS-VT的時候少算了一個1/2,你看書好認真啊。: u( ]3 h9 x+ K  Z: V* H: q
# J: [* h  ~7 {$ W
[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-12 12:01 PM 編輯 ]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 12:44 PM
標題: 回復 5# 的帖子
>_<...沒想到真的有中文版,我真是孤陋寡聞啦...1 i" c% [" s0 v) M9 Q
sorry阿...大大...
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-12 01:56 PM
標題: 回復 4# 的帖子
Dear ~~$ p2 Y& w& L+ ]( {* T/ T+ F& i
我的看法是:7 F5 h" R5 n- b, J- E
Vbs增加=>Vth減少=>Id增加...所以gmb=Ids對Vbs偏微分...所以方向應該D->S(Vbs>0), \. W9 \+ y0 U7 i
根據Razavi看法...p350 b" @% T6 i1 r# r& N9 C1 A" s
Note the gmVgs and gmVbs have the same polarity.i.e., raising the gate voltage has the effect as raising the bulk potential.) r9 B; I6 M1 H4 G% s5 P3 [3 F$ X
你的想法是??  }9 u+ u& }% G( I8 m! `
歡迎一起討論>>
+ R- A4 R; g( a' H) |- GThanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-19 02:14 PM
Charp22章
. v- t6 j4 x) G% b  T9 K2219
3 t) |/ \" h: d# @( n有錯誤的地方...
. I1 w4 A2 v% l) f2 V0 {2 F看投影片的地方.... 圖裡面...
1 b* e3 d4 j9 O1 R/ f; cZs應該成為Zc....../ ]) _4 k( w$ d) w# v
大家注意一下...4 }9 ^5 P, |8 m# c
歡迎大家一起討論哩......
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-23 04:38 PM
Dear~~# j, \" `7 ?, E7 M# t% g. X
Slide 2219: Start-up time 應該是2*Ls/Re(Zc)+Rs.....
+ H! a' `) j* W2 g5 q" V; n$ T應該要2倍哩..
! \$ C- G) e4 q& e2 a- rSlide 2222: gma=4RsCLCLWsWs...少*4哩....
; y: C$ W& R( u! P+ V+ L還有Rb>>1/(RsC1*C1*Ws*Ws)吧..... . ]7 E7 h+ r2 \# e+ U# p+ A  N8 s
歡迎討論!!!!
0 L" h: s9 {0 {* ^+ j4 I' I  @3 A* K6 }# d* M
Thanks!!!
/ I' J# W3 j: c+ Z! b: p8 V. b4 U
0 U4 B+ |& m" w[ 本帖最後由 賴永諭 於 2009-3-23 04:41 PM 編輯 ]
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-7 03:07 PM
Dear~~
$ G7 S% H& N/ a4 `5 [Slide 1915: It should be double the value of all ground and series capacitors.4 s$ b- E5 z4 L6 N0 r
Thanks!!!!
作者: fcchang    時間: 2009-4-20 01:28 PM
有誰知道這本書中文版哪裡買啊% v" K/ x* P5 G* A/ [
看他的講義就覺得很棒了,現在又看到有書可以買
1 z1 a; _1 k% Z% n. o, s有誰可以告知?
作者: chungming    時間: 2009-4-22 12:19 AM
slide0129  的確是有錯, 如大大所說的才是對的8 {# o3 t+ q9 E) r# Y/ u& D
slide0134 我不太懂大大的意思?您指的是解說的部分嗎?那邊我也覺得是作者寫錯( p, x9 F; l2 a. ~7 @8 a
                   slide內容也有錯,Idst是for pMOS才對,作者寫 for nMOS那Idst應該是5uA左右
. e- a% h; {; dSlide0148 我倒是覺得沒錯
3 W( L/ ~1 P- ^3 L( z4 P                    我是用  Ids,sat = KP/2n*(W/L)*(Vgs-VT)^2  和Ids,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)
$ v6 ?) X; u: l! e1 \' d: n                     Let 這兩式相等 , (Vgs-VT)vs就可寫出=1/theta
# |0 U5 R/ _4 P2 b6 N& R其他19,22章我沒看不知道. I$ p; K: K+ r

! e7 o  _! J  {' S感覺這本書錯誤不算少,第一章其實還有一各怪怪的地方 ,像是slide0117,0119算出的電壓都不對...
7 n1 @5 u& z  s! \5 }書中很多都是跳耀式的思考和解說,剛開始我是滿喜歡這書的內容,但讀了一陣子之後總覺得有一種不連貫的感覺.+ t2 o$ w  V4 ]3 j! D
他的小信號真的滿不錯的,很直覺
- H8 W8 O' ?9 p- d/ F  ~- X' R& q不過後來倒是找到這個作者有出過另外一本不錯書9 h: W  w  ?' k3 g6 H9 `% L1 c# e
Design of analog integrated circuits and systems - Laker, Sansen; v* I5 G' i, I5 \) E
裡面公式推倒的滿詳細的,對回受和頻率響應部分部分"好像"有詳加解說(說好像是因為我還沒看到那邊,只是先翻一翻)
1 X" Z7 l* o/ q. a3 l& ^大大們也可以去看看囉
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-22 10:43 AM
Dear~~
0 a5 f" T% s6 w& H  p4 kIds,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)~2 `0 R1 u$ N) j0 c6 j
see Slide 0146
# t6 Q7 V! _! M/ z* ?Ids,vs = (Kn'/theta)*(W/L)(Vgs-VT)" g- D$ F% O) z/ d9 H: E; C3 k
so ....check it again....
, b1 w8 J: [9 Z9 j% K9 jthanks!!!
作者: chungming    時間: 2009-4-22 08:14 PM
kgbriver 大大你好
' @, j* w4 _& c- N- ]我在另一本書上的推導的確如大大所說.........., K$ {8 _" l6 W% F# a) ]
是1/2theta' l" w7 Z/ b: v" ?3 M, D2 \
要找一下為什麼這邊哪裡錯了@@
. k/ d/ J# d6 `! [感謝指正 ^^
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-23 01:48 PM
我個人覺得他的書要配合他上的課會有比較大的效果,
; o. z0 K" J) }6 V" s8 j. n+ C! @! y像自己看的話,我會發比較多時間想一下他說的東西與概念...5 B: K2 G* |+ |0 c
所以事實上他的書並不好自己看哩...我覺的有老師帶著敎會比較好哩
1 D4 B/ W6 n4 I: s% ~5 i台灣好像還沒老師是敎這一本哩....
作者: donothing    時間: 2009-5-15 09:54 AM
想請問一下' K6 G- N2 p  @, b2 L( n6 F. t
在bandgap那章 1611
& ~7 O; r2 e" W( I0 m有提到 Ic2=A/R2  A=KT/q * ln nr =0.12V
1 r; z* F+ a* {& t7 d1 }% |1 u  M% o. d4 L$ b- o# _3 Q$ N
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V gm2R2 =2.3+ ]: v& [' I0 X8 p, Z
3 b5 P8 |1 A* f+ H
這是誤植呢 還是有特別的涵意 8 U3 `' B% P5 C2 h) T7 i
另請教各位大大  gm2R2 應該 4.6 吧/ m  x  q+ C9 \2 _: b8 v8 q
但是我只能推出是 跟 gm1R1 =20 比較得知
1 Z5 y  [: @' B; i0 ^但不曉得gm1R1 為何是 20 有請各位告知
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 10:03 AM
最近比較忙哩,今天會研究一下,再上來跟大家分享一下...4 S+ e4 k- B: o  T
thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 11:46 PM
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V..... 我想應該是寫錯了吧(0.12V)
' @, k3 k# @" ]+ \1 {..gm1R1=Ice/(KT/q)*R1=0.5V/26mV=200 o2 \- X7 [; ^/ O. h0 k' A
了解嗎!!!
; i5 G# [. r- P5 W' BThanks!!
' N" C) R! W# B; P% x6 t: ]5 WKgbriver
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-16 01:11 PM
slide 18131 S2 M1 R# Y) e5 g! ~
由圖可知 baseband應該是3MHz,
  x7 |, P" L, b; FHD2 6MHz
3 T9 @' u8 L/ Z+ D8 |HD3 9MHz; q7 F3 J" |' X- @
thanks!!
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~
& Y8 T$ z1 t! e) W已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:12 AM
是简体中文版!
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:13 AM
可以在、网上直接下载扫描版的1
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-20 10:06 AM
建議還是看原版的書會比較有感覺哩
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:28 PM
推薦slide 1979...+ O3 z/ @4 o) g$ Q( Y" e
Filter的比較圖喔....
) r" z( c/ f4 N' d3 U最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...$ }5 l8 i- G) k0 J
看有沒有新發現哩.......
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:29 PM
推薦slide 1979...
! u' M* Z1 S  g+ NFilter的比較圖喔....
. P4 U1 F3 v/ Z" {. \最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下.... I* |. r" p* E( k, c
看有沒有新發現哩.......
作者: china.linrong    時間: 2010-3-21 11:09 AM
有中文的,我们学校图书馆刚买我就借到了。感觉是有些小错误,但是还是很有用啊,对设计有很大的帮助
作者: tuza2000    時間: 2010-7-7 09:40 AM
slide:0732 M1 see 1/gm but M2 see 1/gm divided by the gain of M3 gm3ro3, why?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-9 06:42 PM
從M3 drain 看進去的電阻是  1/gm3 ,then 考慮這各電阻值之common gate input resistor 及可估出來(可參考Gray的書3.3節)
9 x5 t  k) u0 {! U0 ?5 @' }7 N' pthanks!!9 N0 z2 H- L, N6 a

+ j% C3 _# W7 t; x補充內容 (2015-4-21 12:41 AM):1 }+ x, G/ Z& ?! a  G* M' S: I
修正說法~~' Z! T: `/ o, f2 c+ d
1/gm3/loop gain and loop gain approximation gm3ro3- [9 J# e9 d! A+ O( V3 F; r
Thanks,
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:02 AM
thanks for your help,but for common gate mos,it works as res scalar,the ri equal 1/gm + rout/gmro,not (1/gm)/gmro,is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:43 AM
you means that M3 act as diode,so drain res is1/gm,to the source the res equal (1/gm/gm*ro),is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 02:02 PM
0837:the left pmos diode‘s gate should connect to m6 gate?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:37 PM
回復 31# tuza2000 . J  U1 F2 z  L; h* s. V  z% H

2 E, ^* |6 v8 y, H1 l7 B
" ]' g2 y8 V" Y- n    Yes~~~~
8 m5 B( N& }. N! k6 o    You got it~~~
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000
, Q2 Y5 ?  }" ?" C1 R; t3 V4 Z4 y4 B3 O8 V' j- p) }/ j0 {& [7 q

. l/ B4 v* z. E    書上有提到M5~M6 and M9 gate 電位相同,  bias電位數量少一各...2 x. k; l$ U0 Z1 z, o8 H
Please see the sansen's book.
4 b& k3 a, F- p- G4 \9 g8 Fthanks!!!) B! N# T. }- D9 G

0 d1 f6 r- ?3 a$ l補充內容 (2021-9-1 12:37 AM):  y# G% k- o2 L" |: O0 k& v
是的
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-26 01:39 PM
slide 0118! Y2 U! A2 L0 T) c
圖上VBS應改為VSB比較合適..
作者: 賴永諭    時間: 2010-8-23 02:17 PM
Slide 0262
1 E! M0 @! B( w$ i& T+ g+ y 個人覺得應該是series-series feedback.(current sampling and voltage mixing )
3 j/ |6 E9 T! n5 M) O. |. Pthanks!!
' \/ [- a; S8 y( o' m' u% c/ [+ Z
* P, A) Y' g! i$ o補充內容 (2021-9-1 01:26 AM):+ V0 z. J4 i4 w9 G
更正說明~應該沒錯是shunt-series feedback, current sampling and current mixing;可參考1410
作者: bigben    時間: 2010-9-2 01:50 PM
是有中文的, M# g. C$ B: X7 N1 k( ~0 K
有些翻译不太准确 还是要看原版的啊
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:28 AM
Slide 0148: 2nLVsat/u should be changed to nLVsat/u
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:46 AM
Slide 0128: Symbol 似乎有劃錯 且PMOS 小訊號source to drain current should be changed to ' b6 N/ j8 E  I+ L
gmVsg ,不過Fellow Sansen 可能有自己的一套解釋方法~~
作者: flywb    時間: 2012-10-24 08:40 PM
这本书很不错啊,刚看了一部分,内容主要都是JSSC上的~
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-11 03:01 PM
slide 154
" K7 G6 F" h- p0 o! N* L/ h, F) wA gain of 1000 is expected.
6 K. |" ]/ z4 c5 d) G) z=>應該是 A gain of 100 is expected.
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-31 05:24 PM
Slide1524: ! a4 w, D) n6 d/ t* r5 p% D4 E
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
3 r! `4 t) k, ?+ w0 f1 u
2 a, c: S7 U8 c& A" h補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
* x( w2 h" M6 J* \8 G! \/ c8 j, }* m, GSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro15 h: M9 [+ Q) K

8 d$ ~( d+ y1 ?! K: w& ^6 k補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):6 n: q3 ]5 V/ w9 K$ I% O/ X/ C
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-8 08:10 PM
Slide 1312:
# e5 H! \4 X2 h# V! O5 l2 rInput shunt: Current mixing輸入電阻變小+ |9 }, X- i9 b7 h& s
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
+ `6 R; @  E5 Y( z4 S; A6 m: |Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
% c( U( f2 n% r5 ?7 l1 aOutput series: Current sampling輸出電阻變大7 z3 i0 o! `% k/ ?' v

作者: 賴永諭    時間: 2019-1-30 11:14 AM
slide 0731
  i2 ~8 V; d# s1 Y5 `3 b需要4各bias 點~
# J0 T, o4 ^! W. \4 S# {$ Z. v6 r0 [# n2 Y& b
side 0732' {, k( [3 Z, w
只需要3各bias 點~. f% Y' }& p/ f
M2 D 端的極點比slide更遠
作者: 賴永諭    時間: 2019-2-12 04:46 PM
slide 0973 Z( o9 T9 n! e
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
2 O" h, x! i% B+ B* u7 J6 \+ rdepending on the phase margin required.4 Z' s$ ]9 Y  p* E
=> 更正; k% J8 o/ W4 q7 r& k' \4 I
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW' V  ~7 r* F$ B* z- X  k& v
depending on the phase margin required.
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-1 12:36 AM
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
0 i. v9 I; \( T0 W4 n+ }回復 32# tuza2000
# u) x4 u( l" A+ @
上面說明有誤~
. V' f: \4 I5 k: K5 \# D實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接* F/ ?- R2 `# p$ ]4 f

作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 05:27 PM
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
1 F* }2 K4 N! J; F. D5 Q' uCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
5 z. z2 S& @# Y2 i; M" R) g1 G" `所以Rm增加beta
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 07:45 PM
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
' v; s+ {2 M5 Y+ R, v2 w$ A9 d6 ERef: silde2219
! n' e5 Y3 S9 |  z$ TStart-up of oscillation 可知
作者: 賴永諭    時間: 2022-3-30 12:22 PM
Slide 025
; W2 h& o0 g  @% i. M* ~) O+ BNoise will be explain in detail in Chapter 4.
作者: 賴永諭    時間: 2022-8-5 12:03 PM
slide 04446 t0 v% A1 k7 a. v0 t. u
Noise of a current mirror with series R:
$ m7 a  V$ w7 v前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!% S' `: k( h. ?# O; c$ O. ?8 G( A
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~. o( C% \) [$ s  q+ y3 T
謝謝~~幫忙回附一下
" E1 h! ^4 N1 T% ~& W0 @- }
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:05 PM
slide 0513
6 J$ r/ m# u  V6 V分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下$ `/ ]7 s3 S( k! H/ h. g( g
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2 I9 n0 {4 @; D& L9 ~2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
; a& i. V  m8 x4 ^  k4 G2 h3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:07 PM
slide 0513
. s( V2 D. s+ B& F* `% x3 l分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1 @  _- F' Y" ^3 K- _1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
& ]# q6 N4 K$ n2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。; @/ Y, u) P) p% T' K
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 03:59 PM
slide 2222
  q* I" C9 \" F3 ^1 {Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
& K; m. v, j" h" E# U, n% R: Q9 j/ A5 `2 n- i0 w' e
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C20 k: _6 M) N' K3 u
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻! P$ V  ]* j# G0 q, K+ X% s; O/ t
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)0 H4 D( W/ s% L1 e

作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222( x& w+ R; u# c3 V& e! ~- U- i5 r: b, S9 C
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)( V3 x/ N( h, X4 h- p7 j
1 A4 a5 B& n4 g- I/ a8 U
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
0 U# A6 p& d: G0 ^$ t: c9 S用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻% y+ R( }" j7 p
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)5 y0 y- H9 M5 _" l) C6 _, ~" V

作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222
: [5 d( ?3 X1 R* k# XVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)/ B$ E* I- t/ p) L% n9 [

" o8 F& F! M" F. C# V- W=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
; u8 ]8 g" |* a/ \. z用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻6 Q3 M0 l+ u+ H$ E; Z
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
3 a' h1 O+ ?: o
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
! y9 g0 N. G3 B/ m# G: p' M) G# RVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)( N0 t; w  n; L5 Y
: V/ t+ q4 H; f5 b4 \  D6 k' Y
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
+ E& W0 x) I; ^" ]- Q# K用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻% e8 f  G' n$ P" f
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)2 c  \. u0 ~0 Y% `7 f; k+ Y

作者: 賴永諭    時間: 2024-3-6 11:07 AM
slide 2264 Calculation of gmA5 K! w7 g( Z  t9 U8 ^& ]4 M

3 `9 Z( Q. J  E2 Hgmmax 應該是C1WC1/2C3
6 x9 Z: w$ f# y; [" V0 O6 h( \/ F
% @$ x# Q, ?  \& E( g=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-7 05:51 PM
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM4 f, A% Y' y6 j
slide 2222. `! f- ~& D( }% F
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

! b) o" X* Z/ p, a  B* ^gmA~ 4RsCL^2Ws^2: V: C4 [; x! R
and 4WsCL^2/QCS
  l+ ~4 s; H" b! d  x- n: Y) r- U8 @
- d- }0 H1 P5 J: m! Q; w2 z
! c, l6 p1 b0 [; k0 S1 K. [& c
作者: 賴永諭    時間: 3 天前
RIP
" n5 t4 i' A: F1 R/ }# |( m9 `
, }  R; f7 m* ]5 H7 ~! pIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
3 W% X$ S9 n: P, M  b( v2 s% o2 i2 }* g$ T6 r
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html




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