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標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？ [打印本頁]
作者: lynker    時間: 2008-11-3 04:08 PM
標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？
小弟想在0.35um_BCD制程下，設計一個bandgap，電源電壓為4V到9V，輸出1.25或者2.5V皆可。為了節省面積不想設計為純bipolar結構。如果是使用MOS管的話，我該如何下手啊？MOS管的耐壓大概在5V左右，而電源電壓卻是4V到9V。是否需要一個簡單的降壓電路為bangap供電呢？望高手們指教啊。
作者: shaq    時間: 2008-11-3 11:15 PM
因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。
' e* E. h9 a0 t& `4 C7 ]) a" ?  R# Y
[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 09:02 AM
標題: 回復 2# 的帖子
多謝指教！0 b- J( k- a& n1 r  B, i) o
查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什麽？
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  f1 S! W8 w! i% Q# ?: M6 m8 \9 N& M[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-4 09:04 AM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 11:01 AM
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:32 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表
8 E6 [. T2 E& c. i+ G$ c: K6 A剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

' s1 ^0 |$ @, S: b- V  z) `, z& @- U1 ?$ c3 c+ y' y0 g* V+ T

1 k8 u! r2 p* j; nDMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率7 ^, V/ Z" _* \
HVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端$ W& f- W( ?- i/ q

) s; H( h) c  S1 N2 q若有缺漏，麻煩其他高手補足。
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:33 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表 4 p4 a& I0 M3 T& l7 y& i0 g( B6 J
多謝指教！
0 s2 a& M7 T# m查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？
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, z& r- {0 Z0 y. W: D2 z
有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。
作者: lynker    時間: 2008-11-4 03:30 PM
標題: 回復 6# 的帖子
不知道我這樣做Pre-regulator，是否正確。5 S7 t5 h" l* b, _- I; i# ^: ^# Q" h
我是將幾個接為diode形式的bipolar串起來產生一個4V左右的電壓然後經過source follower， buffer出一個3V的電壓。用這個電壓為MOS結構的bandgap供電。$ n! Z% L, w6 x9 k$ C; N
大家都是用什麼方法實現的Pre-regulator呢？請指教。
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-4 03:58 PM
不建议bandgap直接用HV MOS做，因为HV Vth不是很准！还是把电压降下来，再设计bandgap
作者: zorro    時間: 2008-11-4 05:22 PM
可否直接用Bipolar來做，因爲B的耐壓一向比較高，到9V應該沒什麽問題。
作者: yutian    時間: 2008-11-6 09:04 AM
請問一樓的樓主，你采用的制程是VGS=5V、VDS=4V至9V的呢？
! G9 `0 I% n0 e  U我用VGS=5V、VDS=18V做過bandgap和regulator，design時要特別注意制程對NMOS和PMOS的VGS的要求，因為不允許其VGS超過5V，tape out出來測試還可以。
$ ?9 B$ K" J( E4 G1 Q* t直接用Bipolar的做bandgap我還沒做過，有機會交流一下。
作者: lynker    時間: 2008-11-6 03:27 PM
回復 10# 的帖子
4 b3 {  {/ `4 u0 y6 b$ n我使用的是BCD制程，bipolar，HVMOS，DMOS耐壓較高，LVMOS則都是3.3V的。現在把電壓降下來了，用LVMOS做的bandgap。
7 ^# ~) S+ C+ H0 J4 Z以前做過一個LDO，是bipolar的，其中bandgap結構如下：( F0 @3 L: C) P5 r: q7 L
因為LDO要求不高，所以bandgap未做trimming，4V的LDO tape回來，輸出偏低，分佈在3.92到3.96之間。
作者: enjoymartin    時間: 2008-11-14 11:35 PM
最好还是先做pre-regulator,then design a bandgap circuits.这样你选择的余地比较多了，其实纯bipolar的bandgap主要是功耗和layout面积比较大，但精度还是不错的。建议还是在电路中使用一些lvmos来设计bandgap,结构还是比较多的，看点paper就明白了



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