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標題:
SCR of ESD Protection in Submicron CMOS Technology
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作者:
semico_ljj
時間:
2008-10-31 01:12 PM
標題:
SCR of ESD Protection in Submicron CMOS Technology
Lateral SCR Devices with Low-Voltage
) K" D0 u |* G9 c
High-Current Triggering Characteristics for Output
/ [: }# E7 v1 M8 P
ESD Protection in Submicron CMOS Technology
6 L0 M6 ^$ S. |# M- R
, j' }+ v/ H: _! q: z3 A% v' _
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 45, NO. 4, APRIL 1998
4 h3 W* @' n0 s
, X) T! e* p3 `" ?+ k" O F
作者:
semico_ljj
時間:
2008-10-31 01:14 PM
有实际的流片过且测试过SCR 的ESD效果的吗？据说（非本人经历）0。35一下工艺可以达到6KV（HBM）！
作者:
semico_ljj
時間:
2008-10-31 01:19 PM
SCR确实很省面积，但是由于出发机理类似Latch－Up，所以实际应用时要注意防止触发"Latch-Up",这是一大难点！
作者:
semico_ljj
時間:
2008-10-31 01:29 PM
我不是很了解，好像大型的Foundry厂（TSMC、UMC、SMIC、UMIC等），都没提供采用SCR保护的I/O！可能SCR技术不成熟，或者有风险！大家的意见如何呢？盼望一起讨论一下
作者:
andyjackcao
時間:
2008-12-4 09:24 PM
看看
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多谢
作者:
semiartist
時間:
2009-1-21 05:14 PM
我的片子剛剛回來，測試了好多次，有一次芯片坏了，不只是ESD還是LATCH-UP，很是鬱悶啊！
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+ E4 x' ]8 P7 P+ G& m
多謝您分享這篇文章！
作者:
jstsai
時間:
2009-8-28 08:21 PM
thanks for your data ..............
作者:
kosa1234
時間:
2009-9-18 02:35 PM
不錯的參考資料, 謝謝分享!
6 V# A7 A) L. S9 t
剛好需要, 謝謝分享!
作者:
Chandler_Tseng
時間:
2009-10-16 10:19 AM
This is what I need document....
2 B. C9 w5 j& ~/ o; j" Y6 x
) d+ W$ D6 f& I
& m% \! C( E0 A9 m2 f! S
Thanks.
作者:
rainning
時間:
2010-2-26 02:42 PM
不錯的參考資料, 謝謝分享!
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3 I" |6 A" q2 O$ ~# }- A
謝謝
作者:
kie01tw
時間:
2010-12-21 08:49 PM
謝謝分享
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% O" e/ h# M) ~
剛好有需要
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下載來看看
作者:
szona44250
時間:
2021-8-26 01:35 PM
受益'良多
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4 K- o. h! I5 A
謝謝大大的分享!!!!
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