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標題: Statistical和Mismatch model [打印本頁]
作者: blueskyinair    時間: 2008-8-8 04:19 PM
標題: Statistical和Mismatch model
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?( `! ?7 @) t4 D9 C" G" U

, x1 J( H. J; U$ g. ?) B/ A感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo0 g1 W" k: k6 \9 Z% M; H  _' [

. A. @+ p  M! T( k! L1 P如果我是拿來run OP的offset，應該用哪一個呢?
  m5 Q- P* e1 I% n
! w$ O  [. C3 y* l* F$ T3 f# U謝謝
作者: finster    時間: 2008-8-10 11:38 PM
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model
, y1 B' |1 ]% @3 a; k& ]另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題  A* Y' D, g: N2 ^; F
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
作者: blueskyinair    時間: 2008-8-11 01:42 AM
先謝謝您熱心的回答
1 E9 r% i5 C" p; e( a8 N& i9 d; l1 p8 v
目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model0 \1 V- }$ N( N: O
提供您更新的資訊~~2 o: N! h4 R4 T0 o5 Y* @! @- w7 b

6 b; o, N/ y6 {! q. p不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?# _- K, l; f5 A; O: [
若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?" T, j- j, e5 L" }8 {8 q8 x: E$ T" l7 ]/ K
offset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?5 l/ W8 r; d) D+ v4 e8 ~0 A
謝謝
作者: finster    時間: 2008-8-11 11:17 AM
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述8 {. k+ E0 G2 ^4 S; Z/ p1 d; X, W
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
0 f, f, w% |( A  G5 P5 p2 |% y因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看2 F* z( ~$ Q9 k, H- o3 F) m+ N

& R5 n; i) }' ^( I; B/ [7 C) |5 E1 K至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數
. o* [( }* ^) U# L) L0 x
* \. B9 c3 ?; y. }3 {0 j另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
作者: blueskyinair    時間: 2008-8-11 01:44 PM
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
' W. `/ q; R9 M( B8 V3 w# V. U/ B6 \" A. L1 x) _8 v) g: M
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念7 T8 h' Q$ [1 ?& K( k; f* ^
mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
9 T  v% {6 H  u2 ^! n6 ]9 T( H# z1 W( g, ^) t* |7 q( a1 {) X1 q
請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
作者: finster    時間: 2008-8-11 05:03 PM
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的
( F2 C* Q! U+ ]  F% O就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數
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3 L3 h* X$ j  s: \而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model, u  W" o1 H! I, R
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
* ~8 {4 c7 w" N- a% G4 X一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明
作者: daidai    時間: 2008-8-13 11:11 PM
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.
作者: AIC6632    時間: 2015-11-2 09:24 PM
哎呀，這個都沒去跑" ^  }6 }+ C6 B) B$ }
我太偷懶了



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