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標題:
Latch-up for Bipolar CMOS DMOS 5V/40V
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作者:
redkerri
時間:
2008-5-12 08:31 PM
標題:
Latch-up for Bipolar CMOS DMOS 5V/40V
各位大大：
( R9 @$ o; w& Z2 e, {# H
0 J d9 C4 w8 J! H: q5 Z. K
小妹我現在遇到Latch-up問題，fail情況都是直接燒毀，製程是BCD 5V/40V
2 Q' G. [; |& J
請問我該如何作FA分析去解決這個問題？
, H/ g9 W" d' ]% Y% J n: X
( i7 u; h) l# \5 L# P
現在正在焦頭爛耳中，不知道方向在哪？
/ S+ J% [7 B8 W5 q, K4 e
希望各位大大能給點方向或意見可以提供小妹，謝謝！
作者:
kokokiki
時間:
2008-5-13 10:04 AM
請問有長epi嗎?lacth-up有許多原因....
作者:
tcsungeric
時間:
2008-5-13 11:27 AM
請問是哪家foundry的BCD製程?是哪個generation node process? 0.5um? 0.6um?...
作者:
阿光
時間:
2008-5-13 11:51 AM
1. 先 review layout
, B9 ]+ t+ ~. C1 b
2. 如果無法從 layout 看出，做亮點分析，妳的例子是直接燒毀，所以已經知道大電流路徑
8 Q. P$ I8 P; S" k
3. 就燒毀位置附近 layout 畫出可能之 latch-up 等效電路，看是哪邊寄生電阻過大，過大部分就接多一點 contact，或者寄生的 n,p type BJT 拉遠一點即可
! _: f5 g+ U1 A- V7 c, Z; \
以上是個人的小小經驗....
作者:
redkerri
時間:
2008-5-13 12:00 PM
To Kokokiki:
- Y, m$ N. U+ u7 s! ~
non-epi wafer
6 M5 r. O6 Z) f2 @: U
+ X, T [2 q& k2 ]; Z: ~
To Tcsungeric:
4 N1 k b2 A4 J+ \2 e9 \
0.6um process
3 E( |6 i( `- t% p! f" w! }* q5 Q
+ y3 p& _" V* h8 ~7 D* B! [; i' R
To 阿光：
7 _' C1 }8 a6 P5 j" |/ M
目前都已確認過Layout，尚無找到問題
|; t7 G- O r7 p! u
8 G% Q: G) e! `
' `4 Z3 `, M' b2 w6 z2 }
我們的設計是有內含LDO circuit，針對Latch-up是不是有哪些應該要注意的點呢？
作者:
persuse
時間:
2008-5-14 11:59 AM
做完Hot spot找到位置, 看位置附近 Layout,Device cross section及circuit操作方式加上偏壓,
% G. {0 ^3 X8 i1 |
看有為寄生bipolar 被 turn on . 注意 P/N介面 0.7V 就turn on.
3 t- T% O8 |# Y4 s
另外是高壓製程一般都有EPI.
作者:
redkerri
時間:
2008-5-14 10:14 PM
抱歉，今天與晶圓廠確認，我們的製程是有 EPI 的
# r1 F q9 X1 v% l
) I( B$ }- v# @
請問，高壓產品的 Latch-up 打法是否完全遵照 JEDEC-78A 的規範？
5 V$ r M X6 v; w$ D
Input pin 接 high 打一次，接 low 也打一次？
" f) A1 F' u# e! o" w2 p
或是只要參考應用電路的接法去打？
作者:
kokokiki
時間:
2008-5-15 12:16 PM
如果是有epi,那P-sub(or n-SUB),阻值是相對低,比較有可能的是HV-device的well之間隔離不良造成.
* E/ J( ?9 W+ `3 O8 f X1 i
可以在run-timing的狀況之下,用紅外線攝影(晶圓廠通常有)做高點分析,找到較hot的junction,做layout上的改善.
作者:
lin.weite
時間:
2009-5-19 05:15 PM
是漢磊的嗎?!
2 f/ U' H. x0 L5 `& O
加大Drain端到Gate的距離!!然後加大Contact Size!!
& ^) u8 L- U' M) [# V5 N
再不行就加Zener Protection!
作者:
shkao0201
時間:
2009-5-20 01:21 PM
在POWERMOS的GUARD RING 家厚,檢查LATCHUP 可能的路徑
, D5 O; h& T2 F" s3 t$ ?6 [
有燒毀現象 就要針對該地方分析latchup發生原因.
作者:
szona44250
時間:
2021-8-26 01:36 PM
受益'良多
' {' @4 n* p9 X# O- W: c( t
/ p2 i* ~2 L' R8 j3 ?$ ]
謝謝大大的分享!!!!
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