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標題: 製作Qcell 時無法加上opc [打印本頁]
作者: sunwely    時間: 2008-5-8 05:52 PM
標題: 製作Qcell 時無法加上opc
使用cadence IC5141版本製作Qcell. o! u0 n& y) }0 ?" G
但是製作Qcell時無法在contact四個角加上opc
* E( M7 d* ?2 X- `8 X2 l因為Qcell 製作mos的layer層只有poly, od, cont, mt1, 四層並無opc這層 2 u5 A$ r: r3 Y2 P" N, z. q
請問各位高手有辦法在製作Qcell時增加layer層嗎?, Q7 Q8 }7 r& c( _2 N
還是有辦法寫一個類似增加metal dummy的程式
8 o& i+ k2 t: L/ x& ^/ j/ \' A可以在所有的contact 四個角增加opc 這層layer
, Z$ u# ?+ o: j% K) }% t! ?希望高手能幫幫忙,謝謝
作者: CHIP321    時間: 2008-5-8 05:52 PM
忽然发现上次的留言没写完，惭愧。 ! u* y9 L* _% I9 F/ g  B
其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类，如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话，好像系统并没有提供多个CONTACT,或其它层的输入来完成楼主所说的OPC.而自定义器件，又有可能会在邻接（abutment），P&R的时候出现问题，所以感觉还不如使用PCELL做来的方便。7 I2 [- z1 R) d3 `" o3 B
继续关注中，有谁知道怎么处理这个吗？
作者: skeepy    時間: 2008-5-9 09:47 AM
我也是用5141，qcell製作cdsmos時有add implant layer與
" D1 m, n$ Q/ s4 ^: ?1 vadd well layer可以點選使用，自己要加哪個layer自己挑，不( r" g6 a( |, K  V+ t
過是有限定enclosing diff gate或是兩者，另opc是什麼?看不
5 f) N9 C4 n3 @( t6 U0 Y& l懂。
作者: sunwely    時間: 2008-5-9 12:40 PM
原帖由 skeepy 於 2008-5-9 09:47 AM 發表
# W. k3 V! U& Y  {& \我也是用5141，qcell製作cdsmos時有add implant layer與2 [4 o! ~9 O" y3 p  z4 c# w
add well layer可以點選使用，自己要加哪個layer自己挑，不
/ ~+ Z' y. l* r7 T3 O8 U7 C* c4 {過是有限定enclosing diff gate或是兩者，另opc是什麼?看不' m2 q5 M' k) ], o+ m
懂。
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. P& v* e2 l( z/ M7 R2 a
opc就是conopc層,用來打在contact四個角落的一個layer層 目的是防止製程在轉角處可以修正的比較接近方形,而不會使contact因為製程的偏差而做出來變成不規則的形狀
0 r9 u2 D6 r0 }5 b0 O2 l5 T大大說的兩個add layer我有看到 因為沒有opc所以我無法定義@@
7 Z$ ]/ z' s7 X* w; G8 J* a! Y& o2 K有高手可以幫忙解決嗎@@?
作者: CHIP321    時間: 2008-5-13 11:54 AM
QCell在制作标准的MOS器件时候时很方便的，但是，诸如楼主所说的这种情况，可能必须重新添加几个OPC层的矩形区域，并将它的位置定义到现在Contact的四角位置上。当然，这样做基本的CELL的时候时没什么问题的，但是如果需要拉伸Contact阵列，或者在自动布局布线的时候可能会有其它的问题出现，最好还是由CAD支持人员来做这个工作。
作者: sunwely    時間: 2008-7-3 10:46 AM
這個問題還沒解決,如果以pcell代替qcell就沒有這個問題了,感謝兩位大大的回答喔



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