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標題: how to choose the resistor value of gcnmos [打印本頁]
作者: scy8080    時間: 2008-3-20 03:10 PM
標題: how to choose the resistor value of gcnmos
how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.  ?% L5 Q3 \( ]1 z7 ^

- V$ k( }9 X4 D3 N: {7 [1 \' l4 c2 W6 _, N3 n
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
# ]6 t3 o3 h/ G4 Y- \! f
9 y1 D6 |" \! u% L! Pthx+ S: K' j- N( A1 n6 q
/ x- z0 C" C& v4 K
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]
作者: 小朱仔    時間: 2008-3-20 05:45 PM
Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
9 I! d3 f7 ~) C/ |0 |  @) \一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
! z2 h' Y" Q1 p% L4 |* ~如果要用精準的話那建議採取poly電阻
: f0 Q8 y! w1 s  f6 X8 l+ Z; q6 c6 h5 b7 |1 E& G; V
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r& S' [, z! V$ l$ W2 I9 }
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
, K! h' a2 R0 |! I; `% t1 i, C以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
: Q; ]) ?% I- r7 y: e$ \* ~; _! k: E  O% `# {1 [% \
參考看看囉~~
作者: laurence    時間: 2008-3-21 10:39 PM
What do you want to know???; r. f4 _! K* G; [! K- [
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..- v! s; f% A, q' q4 w+ k
GCNMOS not look like your picture circuit...2 J; S5 r$ m4 Q1 ]3 B; \
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
% d  L+ p9 R: \. [Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.$ T6 a5 ~% O  _

+ S0 ^" F4 O+ w! LFor ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...8 c5 h8 U1 S3 q" G" v. I4 X0 ]
" |1 R* g& j+ c* A
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.
作者: ritafung    時間: 2008-4-12 01:01 AM
How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?5 r; J$ U. s0 f; a' P9 X  G) E
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?6 |) N' L3 ?; F) {) c
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
4 T; R6 a! l' T0 l$ K1 }Any idea to exchange?
作者: cthsu1    時間: 2008-9-8 11:17 PM
標題: 回復 4# 的帖子
小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
  c! \6 o0 ?0 J' o大面積的話  GCNMOS 比較好! v! A0 p3 K+ E% k
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電
作者: bryansu111    時間: 2008-9-22 12:58 PM
請問一下,關於GCNMOS ,
8 p0 k& ]7 j8 Y- Z: {Power 會動的很厲害的話會漏電.& a' e* W  X3 f' N' @

# {; }7 @/ }: G6 s是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
% [5 Z( `( x! A; `那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
% v; A3 x+ e  Z) V& z% H% E麻煩請解惑 ,謝謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-10-23 10:11 AM
原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表 $ `' M8 Z, n  H. U% J# B" w
請問一下,關於GCNMOS ,- J( Y! w7 {9 j' Z2 z
Power 會動的很厲害的話會漏電.
9 f& _$ ^" \8 W/ @9 [; m
0 j0 H8 T4 [! g* R是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??* L0 ?6 P. o6 C. Y% L' h4 w' F
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
5 i2 G6 U& J' Q' X: T麻煩請解惑 ,謝謝

3 s" z* }. H. @" T; c# W' B
  n5 n. ?) f6 ^: k0 E9 s' S是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on
作者: scy8080    時間: 2008-12-4 05:40 PM
原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表 ' o' ?& Y# ]$ P3 ]
What do you want to know???
( S" _& d& N* n0 A" LGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor.., h: u$ N: j8 n# C* [" F
GCNMOS not look like your picture circuit...5 V% d. G6 w1 h# Y/ s
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
6 A% v6 n$ q. WNor ...
4 ]% E& z: W; ^4 n  j% T
7 C) I! b5 c5 t# L7 M
不知道你使用的是什么工艺？, {/ [- k5 _2 c+ f9 Q- H% t  M6 J5 a* x6 q
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
% U6 _$ k. ~6 v9 T; y; y7 d/ v& V. K' X
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-4 08:49 PM
標題: 回復 8# 的帖子
GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！" w* D: n- y3 H2 r: o) Y; U

5 H; s, t3 D8 {' J) S0 }延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！
作者: wph123    時間: 2009-3-24 01:50 AM
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