Chip123 科技應用創新平台
標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
[打印本頁]
作者:
jeffrey
時間:
2008-3-7 04:26 PM
標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
Dear 先進們,
$ h5 l; Y4 B/ G6 B
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
: u8 d" H. P* o. ~$ I1 Z0 U: D
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
, V) f7 Z. L9 B0 _& P
0 \7 m h2 F. f2 E* E, r3 c
感謝各位的幫忙.
作者:
qpau
時間:
2008-3-8 09:37 PM
MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
7 u9 Z6 F' B, j: K& W( e
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
5 ^; ^$ Y* r+ g: \6 x& o0 h) c1 d
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
2 k3 k) H" [) K8 C' N. D0 n$ R$ m h4 {
可用軟體模擬出C-V曲線,
3 W! O7 O' j4 S4 h( F6 } h1 n
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
; `1 J7 Y9 g. z) F( Q1 [% S
也就是長在NWELL裡的NMOS,
" M+ Q% b0 m: [
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
/ i3 y, o% s9 T8 w1 n& v _' C
使用這種元件並不需要多加光罩,
! _" b" M ~* q6 S
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件
作者:
tommywgt
時間:
2008-3-11 12:09 PM
我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
; V. M, O* N1 l, ]
_, F# {4 t+ J' A
哪位大大可以補充一下下?
作者:
st80069
時間:
2008-9-1 06:02 PM
我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
6 h- r. X+ f7 E0 E0 \
.option dccap post
4 J B. X& {( `/ L
.print CGG=LX18(mn1)
- G. A: y/ w* I) T" B. F! h0 G) a& a
.dc vin 0 5 0.1
# `" f9 \- `4 A. z& m6 A' L
....
! e# [1 H; g# }, t# V
.....
3 y; K& @1 Q; j5 m+ x
.......
! W4 ?6 Z4 c& R& F3 i" h0 x
.end
, y' ]; _* J1 Z S" i
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
$ T# ?5 W. v, T- G
如有錯誤，請大大們指教~~~
. ?- E' d* X5 ^* O$ z
4 _7 a# ^3 C m# S( i+ [
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
# f- {8 f0 ]* Q. d
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
+ K2 w& ]+ A4 _) q. I. M- H
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???
作者:
小緯仔
時間:
2008-9-17 04:10 PM
回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
( {2 A% n7 p# [! A" b! [7 t
. B7 J+ }+ f6 u" }5 E
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)
Powered by Discuz! X3.2