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標題: OD2 與 SAB 的意義?? [打印本頁]
作者: flank0122    時間: 2013-7-22 12:00 AM
標題: OD2 與 SAB 的意義??
小弟才剛學習沒多久，目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層，但對於他們兩個的用途觀念很模糊，在網路上查到的也不知道對不對，麻煩各位前輩指導小弟
" k* v3 D; Y3 z0 x" q0 `$ W6 P: s/ q2 f
OD2作用:. }. D, @2 C  t1 g' c
1. 增加阻值0 o* {- x, u) M: f- l: c. a$ f
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
* @6 k/ S0 N2 [4 N: C3. 通常用於高壓製程上
4 V* c% }/ S0 t5 n( c
7 x0 z: a: i; J* U. TSAB作用:
( X9 ?- l" }9 w* }$ G* u/ d0 c. ~, n1. 可以用來計算電阻值
6 \9 w. k0 m& A  f' G2. 降低阻值3 x  X- S& a6 z$ Z$ h7 A
3. 防止LDD的尖端放電& C8 b5 Y3 @7 ?& d4 U8 M3 B- i
8 A" v, A/ N0 {! }/ |; g$ D

! {) n4 M3 u% Q5 M2 [6 z+ Y以上不知道有沒有錯誤的地方，還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢？
作者: bowbow99    時間: 2013-7-22 01:38 PM
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
' ~3 r7 w. _; o1 `- A, `. A
/ u/ c0 Z, @, d0 ?個人的認知與看法！有錯請指點一下！
" b$ n% D" ~# \' U8 D: s' D
( n2 T) X' @( l7 l* R有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!7 h( ]& n- U: Z
( ^/ z! S. `: Z" b) r
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大！如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
8 b7 S  R2 t8 O( h: P; o. f) u能不能計算電阻！我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣！
作者: daviv5    時間: 2013-8-2 05:03 PM
樓上說的正確沒錯~就是這樣
作者: chang707070    時間: 2013-10-5 11:29 PM
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
  {* E5 B. d& H5 h5 c7 [; Q" B; e這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的+ y& ?5 O8 p7 Y9 C9 O% j7 N
SAB : 認同二樓說法
作者: sainwu    時間: 2015-8-17 12:10 AM
學到了一課,感謝大大分享!
作者: engineer    時間: 2015-8-17 01:58 PM
OD2是否為運算層？而SAB為實體層？請指教，甘溫。



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