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標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT [打印本頁]
作者: YuanII    時間: 2012-6-26 03:53 PM
標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT
各位大大您們好:! X  K8 M; {3 s7 t8 _+ n
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，- X' ^' W( ?- A0 l% Y/ u  w- G. p5 G
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
2 r; F# P4 N$ n    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，+ O. u: q2 u$ N! y- p$ w
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，. v3 \! F6 K6 r) k. o" |( B
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT) h5 n' W" J, v$ N9 D
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??- V* l& t5 V& K' U, Q# N
1 J, k2 h" M( Z6 a) ~6 C
      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
% s2 j* u" T$ S, B" X    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，% N5 A; J+ Y8 a) z) J& o# g
    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，) ]2 Y9 R' F, [4 h2 K6 g
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
6 ?! _2 p- q# Y9 n) r2 U
. e/ I! I& ^" z; B      請各位好心人給意見^^謝謝
作者: billlin    時間: 2012-6-27 09:29 AM
想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error: # u% {* S- l8 ~2 V5 o" O
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
* Y6 c6 [% ^' r+ Ko  X  o  X  o
; u. W! r" H& J9 ?X  X  o  o  X
$ [8 ]; y) }! Ko  o W o  o
7 \8 A+ A! ?0 C8 VX o  o  X  X
6 v7 F$ s0 E; e4 S0 q+ Bo X  o  X  o
作者: billlin    時間: 2012-6-27 09:34 AM
weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)/ a* T, |) n: t! g! a
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)6 F( q* E7 {; d/ W
所以直由公式直觀的算,
1 R2 O% G; h2 S假設gate driver = 0.2V ..
9 C' p. [& `' Q+ q% [) ~要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電
作者: YuanII    時間: 2012-7-18 08:48 PM
謝謝大大的回覆@@2 {  o$ @$ ?# D5 s) c7 j+ S/ `
小弟大概知道意思，9 E$ x, T: |7 ~7 W" A; {
謝謝。



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