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標題: transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力? [打印本頁]
作者: lupiu    時間: 2012-6-21 03:43 PM
標題: transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?
請問各位前輩~; @0 Q; l0 d0 R. Z& y' @; ^
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
1 P! x! Z- _( b- p- n內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
" t6 V% f3 R/ R# q; a3 L. N, H跟tri-state(pad接在gate)
+ M2 {. a- \) v2 ?兩者，哪一個ESD的能力比較強
7 h5 M" r/ M, C1 I, Y8 W而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的, P/ O9 D$ V5 H- K3 V
那三者，又是哪一個比較強呢?
作者: andyjackcao    時間: 2012-6-24 04:43 PM
請問各位前輩~
( E* L/ K5 G4 e' y在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
3 K/ f$ s6 b: F0 ^. U/ r: C! ]內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...9 B' n6 t1 t9 |/ w- U' p/ `
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43
) ~2 d7 W. h3 _) b3 o" a# o
1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
9 L! `$ e6 S* a( c$ Q2 T! f2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。
作者: gaojun927    時間: 2012-6-26 02:58 PM
回復 2# andyjackcao - f: s. j+ b9 l9 ~

, q2 h) z. @; V! e( o原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。
作者: cltongkn    時間: 2012-7-9 02:51 PM
接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点
作者: andyjackcao    時間: 2012-8-21 09:50 PM
回復  andyjackcao . X5 {, H" F: T( @1 `# I
; m! Q# Q6 s5 V
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
9 [2 M3 q( I& d9 V' J' P! N- Hgaojun927 發表於 2012-6-26 14:58
) t8 f. C' H2 M  {' U
$ t- d* I( Y7 I& G) u$ l
4 o- l% M9 J  Q4 @

% }' s) R  ?$ I  |# H$ I- J3 B3 ~+ A
    是这样的；
; Z& w! H$ @- J0 m/ z3 G6 E3 R   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效
作者: alden2262001    時間: 2014-9-22 10:33 PM
goooooooooooooooooooooooooooooooooood
作者: gav253886    時間: 2022-9-16 11:46 AM
相當專業的內容，感謝大大分享心得
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