Chip123 科技應用創新平台

標題: corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思?? [打印本頁]
作者: maipeter    時間: 2012-6-9 06:56 PM
標題: corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???
4 ?; ]6 U1 b' u, M  K: c                                                                                
3 {  l6 c3 w+ h/ T有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
作者: a619willy    時間: 2012-6-13 02:22 AM
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)' }/ [3 l  Y' ~( m/ z% ?) ]

9 R3 x( @7 v/ g% A  MSS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P
2 E5 k9 L/ K) ^* _( y5 s1 _1 \8 u* [
不知道這樣說明對不對 請前輩指教
作者: chthuang    時間: 2012-6-26 10:25 AM
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
作者: hoochie    時間: 2012-8-9 11:52 PM
tt ss ff sf  fs  , 前n後p ; p1 K% X0 D0 \5 R8 b( q
指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
作者: zhifj86    時間: 2012-9-20 04:58 PM
工艺角，   s t f  之间一般偏差20%        。。。。。。。。。。
作者: robin0338    時間: 2012-9-27 07:41 AM
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異，所以希望在各種情況都模擬嗎?
作者: alubaqian    時間: 2012-9-27 09:42 AM
工艺上的误差容限范围。
作者: 经邦济世    時間: 2012-10-9 12:47 PM
学习了呵呵~~~~~~~    ！！
作者: Rexcchao    時間: 2012-10-24 01:54 AM
學到先n後p
3 G* n; q+ Z( e7 r, `不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
作者: sqnnzhu    時間: 2012-10-25 07:09 AM
nmos pmos$ T# E. @0 S: @0 N6 O

, f0 |) {- R$ N+ K, d2 Rslow, typical, fast
作者: shijiasun    時間: 2012-12-5 03:17 AM
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.
" H# T2 G2 f1 [! J6 \0 X7 k# E+ z* m# B9 {! J3 n
The art of analog layout, $ D/ }+ Z+ f3 ?! h1 I: k' `5 |; A
Semiconductor Devices: Physics and Technology,5 g- {" _" T; e- s& A: B! }
至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
作者: mildseven0228    時間: 2013-4-8 10:41 PM
受益良多 感謝各位大大
作者: s010191    時間: 2013-7-17 08:21 PM
typical-typical (TT)
% z; k1 r  U& a" P* p# n6 Ffast-fast (FF)
9 ~6 c( g3 @7 V8 F$ g; Rslow-slow (SS)
% K  H% P/ ?% ?5 ]fast-slow (FS)9 m: J/ U) ], P  g
slow-fast (SF)
作者: iamman307    時間: 2022-8-15 12:44 PM
受益良多 感謝各位大大
$ F( c: E4 ^  X# V/ x4 }



歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2