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標題: 如何選擇ESD Device Contact Type? [打印本頁]

作者: CHIP321    時間: 2011-12-29 05:10 PM
標題: 如何選擇ESD Device Contact Type?
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 9 {, I" @; R) }) d

5 @  }, t# d$ `1 O[attach]15181[/attach]
$ w) e" o; N/ p1 V0 \近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。5 O  r7 _1 O* f( H6 _0 L
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
$ Q4 A5 ^7 c) z; s' c3 P( L. q但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、  P' `- E. P$ m4 D3 ^/ ?
迷惑中....1 M# c5 n- D7 ^8 g' w2 |7 `5 ^: A8 g
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?6 X- J* E9 `2 M* O7 U

% y; [( n2 D1 k0 v0 m6 a
作者: sendow    時間: 2012-1-31 11:31 AM
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?9 K" Q" q8 P1 K* Q  I
  ]2 O: ?. h8 O7 E* Z
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,0 }* |& b0 e+ h9 {
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,+ X6 F" L3 F8 ~  t0 m# r
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,  c9 u# X+ j/ z# n5 N
這也是現實上要考量的.
( C. C- i7 o& r9 n, |. E! |/ q4 v8 G3 l; v* b  e' S
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
$ @2 C7 O! A# Y. r6 h3 s( f+ ?- O不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.




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