Chip123 科技應用創新平台
標題:
Layout Design Rule Considerations:How to set up the Space of Rpoly?
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作者:
CHIP321
時間:
2011-11-25 05:12 PM
標題:
Layout Design Rule Considerations:How to set up the Space of Rpoly?
Layout Design Rule Considerations:How to set up the Space of Rpoly?
1 ^* m% B; y% v0 e7 Y* \8 f' x
2 E, s$ U) I1 E$ H0 v, q) k+ M3 |1 @
用於製作電阻的POLY間距在LDR中通常要遠大于GATE POLY的間距?較大的間距會帶來什麽收益?是出於PR的考慮or Etch的要求呢?
0 z6 A( W9 {# L9 a* c# U5 ^- H( @ G0 w
若是基於精度控制,爲何GATE POLY不做此項有求?
作者:
MTK1019
時間:
2011-11-25 05:44 PM
1,FOX 比栅氧要厚,也就是 Etch的时候 接触面是要算立体的吧。FOX厚多少 宽度自然要加多少。
5 l% o) [5 o3 o+ P2 _
2,Rploy 是生长在场氧上(FOX),相对栅氧是不平整的。距离大“翘起”效应低一点。
( K/ H. b3 Y2 N& b: y& Q' r# T
个人的一点浅见,多多指教。
作者:
Clemens71
時間:
2011-12-1 01:46 AM
goooooooooooooooooooooooooooooooood
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