Chip123 科技應用創新平台
標題:
關於mos source/drain contact 的數量
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作者:
sunwely
時間:
2011-11-4 10:32 AM
標題:
關於mos source/drain contact 的數量
關於analog cmos layout source/drain contact 的數量有必要全部打滿嗎?
; b2 d8 P2 R! S, j3 \% C$ P$ @! f
有時會遇到無線可跳的情形,所以直接把 mos source/drain contact 挖掉用來走線.
- c8 x/ v% I K
例如 ABBA 對稱的mos 直接把中間BB的contact/metal 挖掉,然後挖掉的空間拿來直接連兩邊AA的drain 端.
1 L9 M, m. Q7 H, k- s- g. V
也就是不跳Metal2 ,直接跨過BB的mos 用metal1 連接.
( A: h# Y" A+ L" O' M6 Q$ _& t
有人會這樣做嗎? 還是全部都用metal跳線? 而不會挖掉mos source/drain contact ?
- D( J9 k( ^* T7 \: T U
另外如果挖掉某部份的contact 除了造成 mos 電流走向不平均外還會有其他影響嗎?
作者:
motofatfat
時間:
2011-11-4 02:21 PM
原則上是 能有多少 就多少
. \# c& L; `+ ]9 H# x+ g! R
有時候有些考慮 用幾層 metal 也是考慮因素
- e4 t" ~, R$ y5 C$ G/ _
ABBA 是要對稱的 ,cont 也在對稱的項目之中
作者:
MTK1019
時間:
2011-11-18 03:11 AM
1，contect 孔多可以减小接触电阻，每个孔的电阻为2-3Ω。孔越多电阻越小
5 ]4 l- F9 S6 t, B* }
2，严格的MOS匹配，连线都要一致，不匹配的连线有可能引起1%的失配
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3，模拟版图导线跨栅是大忌，寄生效应是我们不可预测的。
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