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標題:
LDO的POWER MOS長度選擇?
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作者:
satokazuo
時間:
2011-10-29 03:44 PM
標題:
LDO的POWER MOS長度選擇?
LDO的POWER MOS長度用最小長度180nm(.18製程) OK嗎?
- L3 f! D# H( ]& ?, ]! s; ]
3 d8 H( G+ I2 A7 T! H
目前使用TSMC 1P6M 0.18um 製作一顆LDO
& Q9 r8 W, e) K3 P! I8 H
. c3 N9 }" I+ i" k I5 T8 k8 P$ V
利用常見的計算公式 [attach]14409[/attach] 加上要求Imax=50mA Vdrop=200mV KPp=66uA/V^2 帶入算出 W/L=38880
3 c$ s1 g. `# _' G
% }9 D7 c* A% I0 A
明顯的用最小長度180nm製作出來的面積最小~但明顯的180nm表現出來是短通道效應，一般常用的長通道模型不適合。
1 n0 m3 x5 o* M
8 X) n& r" Y1 O* h9 ~2 f- l
請問各路高手有何看法>?
作者:
finster
時間:
2011-11-6 07:47 AM
一般在作LDO的Power MOS我是不會用最小的minimum length,我會選擇minimum length再大一點的length,這是因為Fab的機台有好有壞,若用minimum作為Power MOS設計時,若機台的差異稍微差異一點就會影響很大,故而通常不建議
- s+ R$ \2 u3 y9 u/ T
至於要加多大,通常會加個0.3um~1um之間,看情況有所調整
作者:
shaq
時間:
2011-11-11 10:34 AM
0.5um, 0.6um 的話，我 L 都取min. length. 但 0.18um 沒作過，也許可以，也許不行。 下了才知道~ 這種事情也說不準XD
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