標題: 9/1『前瞻記憶體與3D IC技術發展趨勢』研討會 [打印本頁] 作者: amatom 時間: 2011-8-19 11:06 AM 標題: 9/1『前瞻記憶體與3D IC技術發展趨勢』研討會 隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進，也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸，而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制，並將取代目前的主流記憶體。 # l! |9 P+ ? X9 {8 w3 D: p' p2 A- _; y" Q: Z
迎接未來4G通訊時代，下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬，以支援4G時代手機傳輸功能的需求，而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC，將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨，並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。, h$ V* a4 }- R, U! Q9 v% k' P
$ C1 T, p4 u; n0 y* l' B T 有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態，此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」，提供各界更多元的思維，搶先掌握商機。 " V3 f8 y# T$ i* r. F P