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標題: ESD失效分析求助 [打印本頁]
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-20 02:59 PM
標題: ESD失效分析求助
2颗VDD到地测试3 S  k! m% j! ~: G0 |1 j/ ]+ b; A& h
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
8 b5 w1 E( m: [2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效$ L& F* X; }1 O* B+ k( }5 l2 C
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
* R2 F% ^) d% J% z失效机理是怎么会事，多谢
作者: klim    時間: 2011-1-18 02:32 PM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:2 ^8 z" x9 Z9 z& E: ]# v
1. 請問製程為何?
& N. \' V  k1 D( \) L2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
$ j  K' z4 l' S5 S3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?* r& C- u$ X% `6 K
要有上述的數據才能做最基本的分析.
作者: andyjackcao    時間: 2011-3-27 11:34 AM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:0 }5 y" d& w5 `+ t" x1 H
1. 請問製程為何?" b3 C9 J# Y$ |$ t) ^5 }( W4 ]
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
* v2 |$ i, u$ U2 ?% Yklim 發表於 2011-1-18 14:32
4 k7 i! N+ \: ]
! r4 @+ H1 }1 ]; K8 L9 U
1), 請問製程為何?5 G4 a. |$ ?6 l8 }" T5 V
tsmc 0.18um , C6 w8 y# y, J4 k+ q

2 z- m# q1 g6 Q+ P2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...3 ?8 ]  C  x) i( g/ F$ s2 C/ f3 f' Q9 d
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打1 m' M6 v: [( d' {5 f, O

9 y4 |  z; h; Q3 y3 \, O3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
作者: postme    時間: 2012-2-12 01:41 PM
感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？
作者: andyjackcao    時間: 2012-3-13 08:20 PM
感谢关注,ESD问题已经解决
作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 12:21 PM
how to resolved it????
作者: andyjackcao    時間: 2012-8-21 09:40 PM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路
作者: chang707070    時間: 2013-10-13 02:30 AM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
' A. t- f8 r) {! \* q! |5 C均勻是指什麼
7 A) S6 ?' H/ {7 x( m. S方便貼圖上來嗎



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