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標題:
二极管与MOS管做ESD保护的区别
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作者:
andyjackcao
時間:
2010-10-31 10:46 AM
標題:
二极管与MOS管做ESD保护的区别
在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
+ _1 v& w- w4 B1 x% m
我考虑到的有：
) l% H' \% {3 ^
1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
6 A9 u+ m4 X& d; y0 N8 L
2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
! E0 N- r' P" t$ \ O3 E6 F7 C
3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
4 u& C. |" f. T# F$ F
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
' s# h) [# Q9 B, ^4 j; Y% |' @
结论对不？
( ]7 U: x$ [% }- [; f2 t& _
多谢
作者:
andyjackcao
時間:
2010-10-31 06:23 PM
芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下
作者:
andyjackcao
時間:
2010-11-1 07:48 PM
还请大大帮忙解决下这个问题：）
作者:
andyjackcao
時間:
2010-11-9 08:11 PM
1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
* `) L C& D8 h
2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配
作者:
andyjackcao
時間:
2010-11-19 07:37 PM
1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
0 r4 p. c% g8 Q$ I6 \/ Q/ J p
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
0 F, W8 r6 ~& K5 |
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑
作者:
franklu1227
時間:
2010-12-15 04:29 PM
怎么只剩楼主一个人自言自语了？
作者:
andyjackcao
時間:
2011-9-2 09:57 PM
二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
: q3 F4 J0 T, O$ i: Q8 D- X
如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。
作者:
szona44250
時間:
2021-8-25 09:58 AM
感謝大大的分享，受益無窮
, L: ~. p4 I% t+ W/ d
0 d; Q/ f. w* ^7 ~6 w5 T9 ?
謝謝
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