! u6 D: o) |: T. `關於FM25xxxC系列% u7 q- S7 z v9 y2 n
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Ramtron公司FM25xxxC系列器件具有一個串列SPI介面,工作電壓為5V,在-40°C 至 +85°C的整個工業溫度範圍內。此外,FM25xxxC系列產品具有低功耗特性,當時脈速率為1 MHz 時,有效電流約為250 µA。以及複雜的寫入保護機制,可以防止不經意的記憶體資料寫入。全系列器件均採用工業標準的8腳“綠色”且與RoHS相容的SOIC封裝。除FM25xxxC系列之外,Ramtron還提供I2C介面的FM24xxxC系列串列記憶體的樣品,包括4Kb、16Kb和64Kb。作者: ranica 時間: 2011-11-21 03:52 PM
招聘公司:A famous IC company ' I; j; g. o' g8 d招聘岗位:Process Development Engineer- w, G0 k: m3 f7 Y
工作地点:Shanghai 5 Q) x/ {4 Q: b5 I7 M. p / u6 z1 \! n0 D2 g岗位描述:3 E9 O' }+ ]! C k
Job description and responsibilities: Process integration for XX 65nm and 90nm Flash memory technology development; Overall process flow optimization & key module development; WAT analysis device/cell characterization and EFA/PFA study; In-line trend chart and defect monitoring and analysis; Work with foundry and product engineers to enhance product yield and quality. . |- s* o Q, J9 G) e3 I- `0 ^1 X& ?. j2 F3 r3 ^
职位要求:8 Y" `1 O' z0 U, |8 u, W9 T) B* F
Key Competency Requirements: Strong background in semiconductor physics, process and module (etch, plasma physics and advanced cleaning) knowledge and experience; Familiar with FA techniques (e.g. SEM,TEM,FIB) and SPC control; Good communication and interpersonal skills; Team oriented personality Education Required: BS or MS in Electrical Engineering. Physics or Material Science Experience Required: Minimum three years of semiconductor industry experience Fab PIE or module experience preferred作者: amatom 時間: 2012-1-18 02:03 PM 標題: Ramtron宣佈推出2百萬位元串列非揮發性F-RAM記憶體 世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣佈推出2百萬位元(Mb)高性能串列F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM記憶體中的一員,工作電壓範圍寬,在2.0 - 3.6V之間。FM25V20具有快速存取、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數(1e14)及低功耗等特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串列快閃記憶體和串列EEPROM 記憶體的普適型(drop-in)替代產品,其應用範圍廣泛,包括工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲及計算等應用。2 R6 q& s+ Z$ e A5 d2 B( s6 w! U
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Ramtron市場經理Craig Taylor表示:“FM25V20可為嚴苛的資料收集應用提供更大的非揮發性存儲容量,並為我們現有的V系列F-RAM記憶體客戶提供一個簡便的途徑,以升級到更高密度的解決方案。V系列產品線的擴展可支援我們正在進行中的計畫,提供具有低能耗和高資料完整性的記憶體解決方案,避免了在其它非揮發性記憶體所常見的複雜性、開銷和系統級可靠性等問題。”/ X# ]. \5 j1 y, a
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關於FM25V20 " P! D8 H$ @2 k/ ?( F" o9 c- f3 O5 ^2 T
FM25V20採用先進的鐵電製程,具有達到100萬億(1e14)讀/寫次數的幾乎無限的耐用性,且資料能夠可靠地保存10年。FM25V20採用快速串列周邊介面(SPI),以40MHz頻率的全速匯流排速率運行。其運行功率低,工作電壓範圍寬,介於2.0V - 3.6V之間,及100µA的典型待機電流及3µA的睡眠模式電流。FM25V20具有串列V系列器件的標準特性,即唯讀器件ID特性,使得主機能夠確定生產廠商、產品密度和產品版本。FM25V20可在-40°C 至 +85°C的工業溫度範圍內工作,並採用符合RoHS標準的“綠色” 8腳EIAJ SOIC 和 8腳TDFN封裝。作者: amatom 時間: 2012-1-18 02:03 PM
關於F-RAM V系列 1 }9 t" \% x" o1 a- X- t9 ^( \ 8 S. b' \: K, `Ramtron 公司的V系列F-RAM記憶體產品採用低功耗130nm CMOS生產製程製造,包括串列I2C、串列SPI和並列記憶體。整個V系列F-RAM產品包括以下器件:* w; c2 D$ a2 k- J* H
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V系列串列I2C F-RAM 2 U) Q+ n/ I' RFM24V10 (1Mb) 8 q6 b; }5 t( ?" A+ }* g: L FM24V05 (512Kb)2 A! s0 O$ s7 D7 d7 G* U: R6 R) L
FM24V02 (256Kb) 8 n, u, v* {! Q1 x' A3 r FM24V01 (128Kb); Z; m+ s ^* P6 i
8 R# \7 _/ k, k: c9 ^Ramtron處理器伴侶具有標準的 I2C介面和SPI 介面、無延遲寫入 (NoDelay™)、幾乎無限的耐用性和低功耗等特性。FM31L278具有增強型的涓流充電器、一個12.5pF外部時鐘晶振、可編程的低VDD電壓重定、可編程的看門狗計時器、手動復位功能、雙電池供電事件計數器、可鎖定的序號,以及用於預警斷電中斷 (NMI) 的通用比較器。FM31L278的工作電壓範圍為2.7至3.6V,可在整個工業溫度範圍內工作。Ramtron還可提供密度為64Kb和 256Kb的3V和5V處理器伴侶型款。 ( S: b$ B! o2 D% c9 \ . A$ @% k/ c0 g! D0 C價格和供貨 3 Y: n9 a8 `4 P4 ~' J5 D " ]+ a2 Q5 n" \ T/ p客戶現可通過Ramtron遍及世界各地的授權分銷網路來獲得FM31L278,以改善工業設計;分銷網路包括Digi-Key Corporation、Mouser Electronics、Future Electronics及其它許多主要分銷商。訂購1萬片FM31L278 起的建議零售價為每片3.70美元。作者: ranica 時間: 2012-5-30 03:22 PM
招聘公司:A famous flash memory company! [& {; U5 b& l% n H/ f
招聘岗位:Sr Product Engineer& @# C$ x1 A/ |+ R% m
工作地点:Shanghai ! q7 L+ f5 D) C! m; A0 L; I/ Z3 ^& u% A* R: P3 Q8 [
岗位描述: ' C( y W5 e! PIn this position, the individual will be responsible for NAND Product Engineer and Package Qual/Rel tests setup/FA/Action Plan. The individual will also be responsible for Product Evaluation DOE for Rel/DPPM improvement and D/S and KGD Sort Yield improvement.( ^5 k2 X5 Y) E9 X, P6 k( g; ?
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职位要求: 7 z: ]3 {' V: T0 J; P. n% |$ t7 hThe position requires a Bachelors degree or equivalent. Masters degree preferred. The ideal individual must have proven ability to achieve results in a fast moving, dynamic environment. Self-motivated and self-directed, however, must have demonstrated ability to work well with people. A proven desire to work as a team member, both on the same team and outside of the team. Ability to troubleshoot and analyze complex problems. Ability to multi-task and meet deadlines. Excellent communication (written and verbal) and interpersonal skills.作者: ranica 時間: 2012-5-30 03:23 PM
招聘公司:A famous flash memory company% s( Y" H: m9 C9 j
招聘岗位:Staff Characterization Engineer7 }7 I8 `$ Z) h% W
工作地点:Shanghai * c8 m. P9 N- [, [1 L; s2 A5 h5 G+ D; f* j$ R: b' f! s
岗位描述:* @4 j+ J1 T+ l7 H+ T
In this position, the individual will be in charge of the test development of NAND memory test characterization using Nextest ATE test systems and handler. This includes some aspects of test debug, validation and correlation. Perform AC/DC and logic/data sheet characterization across process, operating voltage and temperature. This individual will do the low yield analysis on issues pertaining to design marginality. Support System Engineering with failures of Card qualification. Deliver the formal characterization report. In this position, the individual will do some training at the junior engineers and lead the Characterization test in the new projects.* z1 T: r$ o" H" V; E# F
9 }9 u# c3 a$ r/ S' O职位要求:; x0 z: w1 n! u0 j/ D) {
• Require 8+ years of experiences in the area of NVM product development. • Require a BSEE degree, master is preferred, with an emphasis on solid state device fundamental and analysis. • Major in Microelectronics/ Test& Measurement/ Electro-communication • Prefer good problem solving skills. • Prefer good understanding of NAND basic logic operations, AC timings, DC parametric, and NAND Flash interface protocol. • Require familiarity with common lab equipment such as digital scope, logic analyzer, V/I sources… • Some exposure with electrical/physical failure analysis technique is preferable. • Require good interaction skills with other groups. • Require excellent written and verbal communication skills.作者: tk02376 時間: 2012-7-10 05:55 PM
萊迪思宣佈與聯華電子建立戰略夥伴關係 / l( p7 i v+ Z3 e2 Q) q; u - 充分利用從SiliconBlue獲得非揮發性記憶體技術-+ [1 x$ I) \" @' g' O+ W) Z. `& M
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【臺北訊,2012年7月10日】-萊迪思半導體公司(NASDAQ: LSCC)今天宣佈與全球領先的半導體代工廠-聯華電子(NYSE: UMC; TWSE: 2303)建立長期技術的合作關係。在此合作關係的基礎下,萊迪思與聯華電子將持續進行以先進科技製程為基礎的非揮發性產品的開發工作,並將成果快速擴展應用至萊迪思的其它產品線。 ) | j) p* a3 ^4 q' M0 \* o% K / K9 Z2 H) Q, `# ^' c萊迪思半導體公司總裁兼執行長Darin G. Billerbeck表示,「從通訊基礎設施到行動消費裝置,萊迪思越來越關注低成本及低功耗的市場,尤其我們了解其中的成功關鍵就在於擁有一個彈性的非揮發性技術。在2011年12月收購的SiliconBlue,就是提供這種技術的廠商,今天宣佈與我們成為代工合作夥伴的聯華電子,能夠快速地使用該技術開發創新的產品。萊迪思正積極地與聯華電子合作,我們計畫將於2012年底前推出由聯華電子製造的40nm非揮發性產品,未來我們也將推出以28nm節點製程為基礎的下一代主力產品線。」1 ~. w9 P, a+ Z