標題: 請問各位大大,關於MOS電容下極版問題 [打印本頁] 作者: tommy01 時間: 2010-4-12 06:07 PM 標題: 請問各位大大,關於MOS電容下極版問題 若是NMOS做的電容6 J6 r* y h ?3 O4 \# ]
上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態 ) ?0 w8 H$ [& U* ]1,通道未型成時 5 M$ |- ?0 v' i$ C; T' A0 a" a! y2,三極管區 " K7 g$ z8 L' E) z3,飽和區1 q0 N, c) c) q" W
但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好: i0 x% e$ w0 r. u% V' P 這樣是操作在哪一狀態呢???作者: kkk000777 時間: 2010-5-3 08:21 PM
3,飽和區 6 b( s. ~# n7 f3 \" j通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定 . Q X1 @, m. L3 ]) ]/ B所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn , 7 j. t8 ]8 |# t
如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.作者: poseidonpid 時間: 2010-5-5 10:56 AM
通常應該是工作在 (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。作者: semico_ljj 時間: 2010-5-5 11:01 AM
工作在反型层 状态作者: chungming 時間: 2010-5-28 12:17 AM
example for NMOS :3 ~7 J9 r( n) p) n( e" O
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion3 p+ l* ?: O3 e' B; L: W
Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation 6 \- E& p9 z) j7 s) Q" `+ b8 j- H. E9 T, ?
You can see Razavi Chap2 pp. 39. I0 Z" M3 W `3 r
Good Luck ~ !