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標題: pn junction 的電路的設計與layout [打印本頁]
作者: gyamwoo    時間: 2009-11-6 05:02 PM
標題: pn junction 的電路的設計與layout
我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中0 p3 l! @) r4 Y& O) Z
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下：
5 t5 M: \" g% q# e1 l: G8 G% p! E
* B2 z* N' p. X  h3 D8 V! Z* ~8 K而我畫的layout圖如下：
7 a  n9 v# |& Y- Q4 Y
/ a! K3 W$ T  N6 W) U8 B6 v: \/ i  @. f* U& I" p  `! c
我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的，所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。" k7 k. ^; v- t! |
我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何？
4 Y( P; `, U; M* _% Z9 L1.pn接面導通的電位多大？跟pn接面的面積有沒有關係2 w% n% G# {" A# J
2.導通電流多大？跟pn接面的面積有沒有關係9 Z# V6 g6 L% w/ J& w" u0 S, y
3.逆偏崩潰電壓多大？跟pn接面的面積有沒有關係+ M7 b: i+ ]7 W) w
+ L' q% K+ s% @+ s8 n8 X
拜託有人能給我一點指引，謝謝。
作者: lu123sd    時間: 2009-11-11 11:15 PM
標題: 此貼有意思~
此貼確實有點意思~
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