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標題: esd管衬底接触的疑问 [打印本頁]
作者: scy8080    時間: 2009-9-7 01:50 PM
標題: esd管衬底接触的疑问
fab提供的ESD管版图见附件，右图为什么不允许使用？有何道理？
作者: semico_ljj    時間: 2009-9-10 04:14 PM
这个有点怪！以前见过，但不理解为什么！
% _. e1 k( f( X3 |. f9 X几年前还特意采用右边的方式，产品也没有出什么问题！
作者: semico_ljj    時間: 2009-9-10 04:16 PM
还有这个和一般认为的合适的做法（也就是采用右边的）有很大的不同！期待之情朋友解答！
作者: jian1712    時間: 2009-9-16 04:00 PM
我感觉这两种方式是在考量sub的寄生电阻，我之前一直选用右边的，效果很好，现在用的一个工艺就是左边的模式，所以应该主要靠量Rsub
作者: semico_ljj    時間: 2009-9-16 06:17 PM
標題: 回復 4# 的帖子
是啊，照理说右边的Rsub小，应该更好啊！
作者: semico_ljj    時間: 2009-9-16 06:18 PM
所以很奇怪，为什么要人为制造出Rsub大的效果呢？
作者: ritafung    時間: 2009-9-21 03:37 PM
我想是因為它要確定有大 Rsub,方便這個MOS snap back 從而discharge ESD....0 I! I3 A( a$ s2 q4 W
如果Rsub太少,這個MOS 便需要較大的substrate current 去trigger NPN....有可能NPN都還未turn-on已被ESD打死
作者: jian1712    時間: 2009-9-24 03:12 PM
標題: 回復 5# 的帖子
Rsub小不好的，像7#说的一样，Rsub太小需要很大的电流trigger npn，所以这个时候希望Rsub会大些，我用过左边的，也用过右边的，左边的是在sub电阻很低的工艺里面用的，右面的是在sub电阻较大的工艺上用的，我也看到两种结构用在同一个较大的sub电阻工艺上的，一样的没有问题，如果想验证那就只能做实验了
作者: semico_ljj    時間: 2009-9-25 11:53 AM
標題: 回復 8# 的帖子
说的不错，有些道理
作者: sun_8099    時間: 2009-10-17 10:49 AM
太好了，学习了！
/ ]9 y: u! _* L$ b% `6 Y, n我之前也一直弄不明白，现在终于知道原因了！谢谢！
作者: arieslee    時間: 2009-10-30 09:47 AM
標題: 回復 8# 的帖子
同意   是Rsub的问题   8 @: T5 a/ f6 y' d" d* g
同种工艺中左侧Rsub大于右侧     
" i$ L$ F0 B. C6 s, Q: Z之所以不建议采用右侧结构是因为左侧结构中Rsub的差异会增多寄生结构开启机会  e; x; {  b" J; G! n4 y, {5 \
即当寄生npn结构只有一个或少部分开启时  较大的Rsub会使后面的结构也有机会启动
6 f) p6 O  g' D/ ~! O' M" E不同工艺直接的差异还是有的   比如hhnec的就不允许做右侧结构
5 n% D% v% |& i3 S; E( j+ s而tsmc等工艺中就无所谓   两种都很好
作者: L_ju    時間: 2010-3-30 10:36 AM
作者: semico_ljj    時間: 2010-9-14 12:51 PM
大家都来说一说。。。
作者: linger809    時間: 2010-9-20 10:30 PM
我想是因為它要確定有大 Rsub,方便這個MOS snap back 從而discharge ESD....
9 w0 o5 l* j5 W5 E! Q. r如果Rsub太少,這個MOS 便需要 ...$ m2 w9 H1 J( K  O4 p' M$ j  I, e6 ~! ?
ritafung 發表於 2009-9-21 03:37 PM
, K! F: N. P% ?" f' f; l' Q. E
: z. {( P  q$ d9 q# a
比较赞同该说法,右边的Rsub会很小,雪崩击穿后需要很大的电流才能让npn的base级开启,如果Rsub大的话很小的电流即可开启npn,右边匹配没有左边的好,同样多的finger右边会比左边长很多,/ Z) N& z; s: s+ t$ [0 h  t/ y
有可能由于匹配不好,有的finger已经进去snapback了,有的finger还没有开启,导致局部电流过大将IC烧毁,不过如果用左边的方式,最好还是要有ESD implant,这样才能更好的保证finger同时导通,
; U/ [4 B5 H* E  u2 r要不然也是有局部导通烧毁IC的可能性.
作者: finster    時間: 2010-9-24 11:09 PM
我個人的認知是layout matching的因素
4 l2 J- s/ \0 K8 ?* V9 \因為ESD device是要charge/discharge掉大電流,若採用右側的layout方式,各個finger的turn on時間無法同時啓動,這樣子會讓ESD device容易局限在某幾個finger,如此一來容易造成局部ESD device被damage的可能性大增
( K8 k0 n$ r6 H9 {若是採用左側的layout方式,則可大大降低局部導通的issue



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