Chip123 科技應用創新平台

標題: 請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好 [打印本頁]
作者: james65chan    時間: 2009-8-28 01:50 PM
標題: 請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，* M+ u% ?# Z/ X! T
請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
( r7 R8 v2 M" n) w4 o/ S& X8 U0 Z  P: l" l9 a
P/N MOS 如何達到穩壓的效果
作者: shucai    時間: 2009-8-30 10:37 PM
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
作者: james65chan    時間: 2009-8-31 01:25 PM
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
+ S7 U3 u( i. N& y9 `3 ]5 A7 c9 s是否就應用 pmos 電容，
$ w: v8 \. q( X5 N" H因其include 在nwell 中，
# s9 z( I! x" p沒錯DRC RULE會較大，影響size.2 P! Z) e$ H+ R- z! A2 o: z; t
! a" j3 [7 l; s# u* B, q: Y& ~$ s

6 }# s1 b/ t& S/ u' ]8 @8 F所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？
作者: duanzy    時間: 2009-8-31 05:19 PM
个人看法，仅供参考：5 J7 s+ t; A- {( d

) d; s% r4 R8 p$ r* h' B/ O2 ~: }. T- Y用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。- [5 L  ?0 C) {. e* n; t5 m, \4 v% m

, j. F( l3 r) W% E0 X$ s. p- r但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~
作者: motofatfat    時間: 2009-9-4 01:18 PM
同意樓上的看法
0 J1 g5 I9 R0 h0 K以原理來看% |" d# Y3 w7 [, l& v1 v6 H& j8 [4 S+ \
PMOS 的載子 是 電洞5 z6 E' A* z9 ]: r. N" r* J3 m
NMOS 的載子 是 電子
8 k6 x8 r, V  ~' I電子移動較快
/ N6 \, q7 a! f  S5 a, h* C/ _6 |如果無其他考慮
! h  c$ Q% J3 q' A) g3 I4 a8 KNMOS 似乎 較佳



歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2