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標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電 [打印本頁]
作者: semico_ljj    時間: 2009-7-2 01:39 PM
標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響' o3 h' j) h5 X/ f: \! q
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性1 d2 d6 p- E$ N9 z0 |' m
* o" ]* r. O1 g- q/ X3 o  Q
一、前言
( r$ M/ B# ?9 U0 z二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
: e  f+ X9 {( e) [7 [三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理, I' l3 |1 u$ s. p. T
四、實驗結果與分析推論
& n8 @: K: `& G" @/ F  h1 c五、結論; \, G  D5 j& t4 O

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作者: alienwarejian    時間: 2015-5-10 03:41 PM
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
作者: sbm81tw    時間: 2018-11-28 04:16 PM
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作者: k200630901    時間: 2019-1-26 08:56 PM
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作者: balam2018    時間: 2019-3-13 07:04 PM
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作者: sslin    時間: 2021-6-7 10:28 AM

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9 b$ J" K4 t$ j  r$ n深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
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作者: myokd    時間: 2022-11-24 12:28 AM
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