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標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port? [打印本頁]

作者: alvin0411 時間: 2009-4-28 10:58 PM
標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
請問各位前輩.
SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.

請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?

對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~

作者: stanlly9 時間: 2009-6-7 11:03 AM
首先，定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
我碰過的例子，也許是大部分的例子。
one-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀、1寫。
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
two-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]

SARAM跟Register-file的差距在於密度問題，當然電路的長相也不同[換句話說面積跟消耗功率也是不同]
普通情況而言，SRAM的密度比較大，同樣面積底下可以塞多一點資料，但是他的address line的最低要求要比較大
可能address line一定要8個bits左右，但是使用者未必會使用到這麼多entries。

Register-file則是可以擁有比較小的entries，但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

作者: masonchung 時間: 2009-9-22 11:48 AM
你寫的 dual-port 和 two-port 反過來嚕
我用Faraday Memaker 產生

two-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]

有錯請指正~

作者: memcad 時間: 2009-10-12 11:51 AM
標題: 回復 1# 的帖子
dual port sram 一般基于8管SRAM结构，读出靠的是sense Amplifier，需要复杂的写入和读出逻辑，面积很大，而且都是硬IP，用到的metal层多，一般要block 3层metal。所以，APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是：规模可以做大，一般是大于16Kb，规模阵列，可以shink最小drc rule面积利用率高。
register file一般是基于latch结构的存储单元，用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大，<1kb，优点是读写控制用standard cell做，可以APR，因此可以merge到整个设计中，共用走线通道，可以放在core中。

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