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在這邊說說我的看法
0 v- W# M; G( x' J4 P( n8 a" Y7 J; q一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
! }/ F3 Q& x- S) O+ k3 K4 A- Z4 l找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
( I; B4 L3 U# b5 I但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
$ g! e' N9 Y5 h% o) p! N' e肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
) F. M% v% W- R6 F7 L Q' ~
: F# t; G* k# s一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況, Z% _1 D& ~* }% d8 q
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品9 d& j& }. Q: \" G+ z1 r
再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓1 P- |; w2 p5 U' f1 s
去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
, v6 g& \# Q5 p很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上
6 Z! g, h6 s- f. L就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
4 n, B+ k! Y8 f3 `, T3 ?所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
# B" P( V, Y9 d6 Q; F9 f讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability$ r4 W3 N" Z: t, L! K ]1 O2 L
/ F. D! G" b7 V: S! B
最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
: ?+ a. [; u* T$ D+ K! A2 P不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式: [' ?' A3 w* x0 S0 t, q
但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速: S8 G# a% p( E$ b! m3 V5 T2 \0 R
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事: S8 y2 H9 l, q W& q
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果. K( _5 h- p% M
何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
' F' L, [' y: a, s7 N/ d( `/ h所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.9 O. ]% L& K" s0 l3 d
) F3 t5 O% K4 P
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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