廠商出貨XDR DRAM 記憶體達二千五百萬顆

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XDR DRAM使得大量生產且成本敏感的系統展現前所未有的效能
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" T, a7 @, g3 A# F4 a7 \- p* t& Z9 U(台北訊，2007 年 6 月 12日) 全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus（納斯達克股票代碼：RMBS），今日宣佈採用 XDR™ DRAM 的客戶出貨量已超過二千五百萬顆元件。在高頻寬與成本敏感的系統設計上，XDR DRAM 和 XDR 記憶體架構非常適合繪圖處理、消費性電子產品、網路和伺服器應用，以及透過多核心處理器驅動的新一代電腦運算平台。Sony旗下的 PLAYSTATION®3 (PS3™) 電腦娛樂系統正因採用 XDR DRAM 高性能記憶體解決方案才有如此突破性的表現。

iSuppli 研究總監 Nam Kim 表示，Sony PS3 能夠呈現豐富圖形的關鍵因素，在於採用XDR 記憶體架構及其基礎的創新技術，而同樣的技術也能支援未來需要密集繪圖能力的應用，例如 HDTV 高畫質電視等。

XDR 記憶體架構以 4.0 GHz 頻率運作，一顆 2 位元組寬的 XDR DRAM能提供無可匹敵的8.0 GB/s 最高記憶體頻寬。XDR DRAM 能完美的搭配 XDR 記憶體控制器 (XMC)、XDR IO 控制器介面單元 (XIO)以及 XDR 時脈產生器 (XCG) 運作，利用最少 IC 晶片數實現空前的記憶體階層效能。Rambus計畫擴充XDR DRAM頻率運作到 8.0 GHz並為每元件提供 16.0 GB/s 頻寬，以持續提供一系列較今日標準記憶體更高的容量與效能。

( {& E9 A8 t' p6 HRambus 銷售、授權與行銷資深副總裁 Sharon Holt 表示，市場持續追求更高效能的記憶體解決方案，來滿足多核心處理和其他運算密集之應用需求。XDR 記憶體架構結合工程支援服務能協助客戶提高產品效能，並加速上市時程。
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! I" ?, ]: U. e( W- A" Q' u* nXDR 記憶體架構的主要特色包括從Rambus創新專利發展而來的幾項關鍵技術，例如低電壓、低功率的 DRSL 技術；可在每個時脈週期傳送 8 位元資料的8倍速傳輸 (ODR) 技術；可提高晶片內資料排列與時脈校準精確度的FlexPhase™ 電路技術；用於增強信號完整性和可擴充性的動態點對點 (DPP) 技術。

4 [) t+ N7 l  g  n& |5 U+ Z+ LRambus 解決方案證明其在大量生產且具成本效益應用的成就，不但支援從晶片設計到系統整合的廣泛工程服務範圍，還考量到未來產品的擴充性以達到降低成本的目標。若需瞭解 XDR 記憶體架構、新一代 XDR、以及擁有微線程(micro-threading) 專利技術 的8GHz XDR2 DRAM 等相關資訊，請上網至www.rambus.com/xdr。獲得XDR DRAM技術授權的公司包括爾必達(Elpida Memory Inc)、奇夢達(Qimonda AG)以及三星(Samsung Electronics Co. Ltd.)。