|
摘 要:討論並設計了基於PMOS 襯底驅動技術和CMOS 准浮柵技術的兩種超低壓CMOS 混頻器電路,並對混頻器 的特性進行了比較分析。在電源電壓為0 .8 V,本征頻率和射頻頻率分別是20 MHz、100 MHz 和1 GHz、2 .4 GHz 的輸入正弦信號時,襯底驅動混頻器的轉換增益為- 1 7 .95 dB 和- 8 .5 dB ,三階輸入截止點的值為3 3 .2 dB 和28 .4 dB ;在0 .6V的單電源電壓下,輸入正弦信號分別為頻率為2 0 MHz、1 00 MHz 和1 GHz、2 .4 GHz 時,准浮柵混頻器的轉換增益為- 14 .23 dB 和- 21 .8 dB ,三階輸入截止點的值為35 .9 dB 和34 .6 dB。仿真結果比較顯示,襯底驅動混頻器具有更高的轉換增益,而准浮柵混頻器具有更好的頻域特性和低壓特性。而且它們在頻率較低時的性能更好。
( O3 W# Z. }6 x0 Q; O' P% G* P- E& r- `" l
% O3 E% \2 U9 A% F. B; o' K
回覆後 可以下載PDF附件 權限10 & 2RDB
% |. r& s+ D$ s這些文章 在網路上 都可以找到 我只是比較雞婆 拿來分享!7 r$ ?+ i' M( v0 g, @
在中國大陸的期刊論文 簡體字的 pdf file!
% v# P- n# Z H0 C/ @" ?) l" L, @' d& z. y% C" S
3 Z% z7 |) h3 x# J[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-5-24 10:18 PM 編輯 ] |
本帖子中包含更多資源
您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員
x
|