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這些器件是快捷半導體廣泛的MOSFET系列產品的組成部分,可為設計人員提供較寬的崩潰電壓範圍(-500V 至1000V)、最先進的封裝方式和業界領先的品質因素(FOM),以便為需要電子功率轉換的任何場合提供高效的功率管理。1 j4 W# a% p W& y9 E/ v
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