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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法
( W7 F% y1 {' Q( B3 A一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時! |9 A' ?: N6 W; w! _  X
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
. [1 |: h+ K2 G" h$ i$ u但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
/ s6 W" E  x4 g. Y* ?& @肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
. c0 S* N+ @4 g1 J1 X' ~# \) J0 u  K) q/ i" l; R# U, `
一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況: T, h6 o9 x! F* O+ M1 ]0 w
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
; g+ B: `/ z6 v& ]) |再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓8 z8 b4 r. u+ D0 v! E
去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
& A" u) h7 ^8 F9 C很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上- u# v9 T# q* A4 r: h$ }; x
就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
5 \5 ]% H, t) |4 a所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
) K# Q) a) U) o: s; v: ^" r讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability% j* S9 E5 M* B

% v- f9 a* j# L  F6 X; X8 H3 W最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命) P4 r: J& \; G: c
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式+ @! r8 x" x% D2 I0 S4 N
但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速) s1 T/ }$ [7 o' s7 |
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
/ ]( Y$ K( _" ^' W; |% R/ f只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
; w0 f* q* X8 @1 A8 k( b% }! X3 B何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
9 d9 s" w& t: a9 d所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
$ n( s  W! x& p# |" z! C3 P+ X7 q9 u
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選8 U! H& S; ?! J1 u- a* t3 I. `! T
從後段到前段難  從前段到後段易$ n- m/ P7 f8 y6 u1 i& U3 B
如果先做測試或設備工程師0 o# @- l$ c$ f0 w
很可能就會像以前我大學老師說的一樣
/ z) ]: h: n; E! }6 N, m) B0 G; |一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .0 B: ^  a1 c4 U: ]* O0 L3 O1 A! P& p
PCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)/ y5 Z: l7 B2 j
The reason is the failure rate curve of  "bath tub"
! _( ]! b! E" J3 f. j7 j9 {% l" gSo we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by ' r: j+ D8 J9 M  _" P
semiconductor degradation.
! u3 x% D; v0 a( w/ _: s7 _* f3 mI did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.
! C3 o7 @" Q( x  Q% T6 v9 E& A, zThe operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.
1 X  ?& M7 v6 f6 g# Q( POh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word." s) u. L* Z; j7 j6 `
I was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .* y% \$ K$ c" g% q7 A$ @0 y
( P( r6 P: j4 T
I believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.
7 U' o9 @( n3 V4 o# D" \. Z, l) r  i" J% B2 O2 {
EE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.7 j' @' Y/ O5 r. D
% e1 o+ A2 M* c
Do you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.
3 X) q9 e  t5 l7 eWhen we test some products, we should realize their specifications.
8 a$ Z7 G2 m4 q2 {, z# Z. _If we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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